Парус Iнтернет-Консультант

Открытое тестирование

КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ

ПОСТАНОВА
від 28 січня 2004 р. N 86
Київ

Про затвердження Порядку здійснення
державного контролю за міжнародними
передачами товарів подвійного використання

( Із змінами, внесеними згідно з Постановами КМ
N 699 від 26.05.2004
N 1432 від 28.10.2004
N 274 від 13.04.2005
N 622 від 21.07.2005
N 1209 від 15.12.2005
N 227 від 01.03.2006
N 726 від 25.05.2006
N 809 від 07.06.2006
N 1700 від 08.12.2006
N 692 від 03.05.2007
N 1012 від 08.08.2007
N 1240 від 17.10.2007
N 464 від 14.05.2008
N 755 від 27.08.2008
N 886 від 01.10.2008
N 338 від 15.04.2009
N 442 від 06.05.2009
N 740 від 17.07.2009
N 876 від 19.08.2009
N 3 від 06.01.2010
N 887 від 29.09.2010
N 1143 від 15.12.2010
N 24 від 18.01.2012
N 282 від 05.04.2012
N 453 від 21.05.2012
N 696 від 01.08.2012
N 698 від 01.08.2012
N 1027 від 24.10.2012
N 779 від 23.10.2013
N 423 від 10.09.2014 )

Відповідно до статті 8 Закону України "Про державний контроль за міжнародними передачами товарів військового призначення та подвійного використання" ( 549-15 ) Кабінет Міністрів України постановляє:

1. Затвердити Порядок здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання (додається).

2. Визнати такими, що втратили чинність, постанови Кабінету Міністрів України згідно з переліком, що додається.

Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ

Затверджено
постановою Кабінету Міністрів України
від 28 січня 2004 р. N 86

Порядок
здійснення державного контролю за міжнародними
передачами товарів подвійного використання

Загальна частина

1. Цей Порядок визначає процедури здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання.

2. У цьому Порядку терміни вживаються у значенні, наведеному в Законі України "Про державний контроль за міжнародними передачами товарів військового призначення та подвійного використання" ( 549-15 ).

До товарів подвійного використання (далі - товари) належать:

товари, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки;

товари, що можуть бути використані у створенні ракетної зброї;

товари, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї;

товари, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї;

товари, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї.

3. Міжнародна передача товарів може здійснюватися суб'єктом здійснення міжнародних передач товарів (далі - суб'єкт) або іноземним суб'єктом господарської діяльності (далі - іноземний суб'єкт) за наявності у нього відповідного дозволу чи висновку Держекспортконтролю.

Дозвіл чи висновок Держекспортконтролю на право здійснення відповідної міжнародної передачі будь-якого виробу, обладнання чи матеріалу подвійного використання є підставою для передачі імпортеру (кінцевому споживачеві) комплекту технічної документації (технічних даних), необхідної для налагодження, експлуатації та використання такого товару за цільовим призначенням в обсягах, визначених цим дозволом чи висновком.

4. Товари, контроль за міжнародними передачами яких здійснюється відповідно до цього Порядку, зазначені у списках:

товарів, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки, згідно з додатком 1;

товарів, що можуть бути використані у створенні ракетної зброї, згідно з додатком 2;

товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї, згідно з додатком 3;

товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, згідно з додатком 4;

товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї, згідно з додатком 5.

5. У разі переміщення товарів через митний кордон України їх митний контроль та митне оформлення здійснюються у порядку, встановленому законодавством.

Під час митного оформлення суб'єкт або іноземний суб'єкт разом з іншими документами, необхідними для здійснення митного контролю та митного оформлення товарів, зобов'язаний відповідно до частини другої статті 264 Митного кодексу України ( 4495-17 ) надати на вимогу митного органу оригінал дозволу або висновку Держекспортконтролю.

Митне оформлення товарів здійснюється за умови надходження до Держмитслужби від Держекспортконтролю дозволів та висновків в електронній формі із застосуванням засобів електронного цифрового підпису і врахуванням положень пункту 7 розділу XXI Прикінцевих та перехідних положень Митного кодексу України ( 4495-17 ). ( Пункт 5 в редакції Постанови КМ N 453 від 21.05.2012)

6. Експорт, імпорт, тимчасове вивезення, тимчасове ввезення товарів, які є матеріальними носіями інформації, віднесеної до державної таємниці, здійснюється з дотриманням вимог законодавства з питань охорони державної таємниці.

7. Не допускається експорт окремих товарів до держав, стосовно яких Радою Безпеки ООН установлено ембарго на їх експорт, а також у разі, коли за результатами експертизи в галузі державного експортного контролю є підстави вважати, що вони призначені для:

створення зброї масового знищення чи засобів її доставки;

використання у терористичних або інших протиправних цілях;

використання в діяльності, пов'язаній із створенням ядерних вибухових пристроїв, або в діяльності, пов'язаній з ядерним паливним циклом, яка не перебуває під гарантіями МАГАТЕ;

використання в діяльності, пов'язаній з придбанням, створенням, накопиченням або застосуванням хімічної зброї як засобу ведення війни;

використання в діяльності, пов'язаній з придбанням, створенням, накопиченням або застосуванням збудників захворювань (патогенів) і токсинів як бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї чи її складових частин.

8. Експорт та тимчасове вивезення з України, імпорт та тимчасове ввезення в Україну товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, зазначених у розділах 1 і 2 частини першої додатка 4, допускається тільки до або з держав - учасниць Конвенції про заборону розробки, виробництва, накопичення і застосування хімічної зброї та про її знищення.

Експорт та тимчасове вивезення з України, імпорт та тимчасове ввезення в Україну товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, зазначених у розділі 1 частини першої додатка 4, допускається тільки до або з держав - учасниць зазначеної Конвенції у разі, коли вони використовуються у дослідницьких, медичних, фармацевтичних, а також захисних цілях, які безпосередньо пов'язані із захистом від токсичних хімікатів та хімічної зброї.

Експорт та тимчасове вивезення з України, імпорт та тимчасове ввезення в Україну товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, зазначених у розділі 2 частини першої додатка 4, допускається до або з держав, які не є учасницями зазначеної Конвенції, якщо йдеться про товари, що:

1) містять у своєму складі 1 відсоток або менше хімікатів, зазначених у розділі 2 А;

2) містять у своєму складі 10 відсотків або менше хімікатів, зазначених у розділі 2 В;

3) визначені як продукція, розфасована для роздрібної торгівлі або для індивідуального використання. ( Пункт 8 в редакції Постанови КМ N 809 від 07.06.2006 )

9. Експорт та тимчасове вивезення з України, імпорт та тимчасове ввезення в Україну товарів, зазначених у частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї, допускається тільки у разі, коли вони призначені для профілактичних, захисних та інших мирних цілей і не пов'язані з придбанням, створенням, накопиченням або застосуванням збудників захворювань (патогенів) та токсинів як бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї або складових частин такої зброї.

10. Експорт спеціально спроектованого обладнання, призначеного для виробництва товарів, зазначених у списку товарів, що можуть бути використані у створенні ракетної зброї (категорія I), як правило, не допускається, за винятком випадків, передбачених керівними принципами міжнародного режиму контролю за ракетними технологіями.

11. Відомості про експорт та імпорт окремих категорій товарів відповідно до міжнародних зобов'язань України Держекспортконтроль подає МЗС для інформування заінтересованих міжнародних організацій, членом яких є Україна.

Загальні вимоги до здійснення експорту, тимчасового
вивезення, імпорту, тимчасового ввезення
та реекспорту товарів

12. Для отримання дозволу чи висновку на право експорту, тимчасового вивезення, імпорту, тимчасового ввезення чи реекспорту товарів суб'єкт надсилає Держекспортконтролю лист, до якого додаються:

заява за встановленою Мінекономрозвитку формою. ( Абзац другий пункту 12 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 1027 від 24.10.2012 )

( Абзац третій пункту 12 виключено на підставі Постанови КМ N 24 від 18.01.2012 )

( Абзац четвертий пункту 12 виключено на підставі Постанови КМ N 24 від 18.01.2012 )

( Абзац п'ятий пункту 12 виключено на підставі Постанови КМ N 24 від 18.01.2012 )

( Абзац шостий пункту 12 виключено на підставі Постанови КМ N 423 від 10.09.2014 )

( Абзац сьомий пункту 12 виключено на підставі Постанови КМ N 423 від 10.09.2014 )

У разі подання суб'єктом заяви про надання відповідного відкритого або генерального дозволу чи висновку документи, передбачені абзацами другим і п'ятим пункту 15, а також абзацами другим і третім пункту 25 цього Порядку, до листа не додаються, а подаються Держекспортконтролю разом із зазначеним у пункті 31 цього Порядку звітом суб'єкта про використання дозволу чи висновку. ( Абзац восьмий пункту 12 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 24 від 18.01.2012 )

У разі коли суб'єкт або іноземний суб'єкт, який здійснює імпорт товарів, є посередником, разом із зазначеними у цьому пункті документами до листа додається оригінал документа, оформлений чи підтверджений уповноваженим державним органом держави призначення товарів, у якому кінцевий споживач підтверджує право такого суб'єкта на постачання йому товарів. Якщо участь посередника у виконанні зовнішньоекономічного договору (контракту) щодо постачання товарів кінцевому споживачеві визначена у поданому разом із заявою сертифікаті кінцевого споживача, імпортному сертифікаті або іншому документі, оформленому чи підтвердженому уповноваженим державним органом держави призначення товарів, зазначений документ може не додаватися.

Якщо постачання товарів кінцевому споживачеві здійснюється через посередників, до листа додаються оригінали документів, які містять зобов'язання кожного посередника щодо передачі товару іншому посереднику або кінцевому споживачеві, визначеному в сертифікаті кінцевого споживача, імпортному сертифікаті або іншому документі.

З метою прийняття обґрунтованого рішення щодо можливості надання відповідного дозволу чи висновку Держекспортконтроль може вимагати від суб'єкта надання додаткових відомостей або документів.

Строк розгляду заяви суб'єкта про надання дозволу чи висновку на право здійснення відповідної міжнародної передачі товарів, якщо його надання не потребує додаткового міжвідомчого узгодження, встановлюється з дня надходження всіх необхідних документів:

до 25 днів - щодо експорту (реекспорту) та тимчасового вивезення або тимчасового ввезення товарів;

до 10 днів - щодо імпорту та транзиту товарів, а також тимчасового вивезення або тимчасового ввезення товарів у випадках, передбачених пунктами 19, 20, 26 і 27 цього Порядку.

До строку розгляду заяви не зараховується час, необхідний для отримання від суб'єкта додаткових відомостей або документів.

Якщо додаткові відомості або документи не надійшли протягом двох місяців, заява вважається відхиленою і розгляду не підлягає.

Розгляд заяв суб'єктів щодо експорту товарів до держав, стосовно яких встановлено часткове ембарго або обмеження на експорт таких товарів, виходячи з міжнародних зобов'язань України чи інтересів національної безпеки, здійснюється із залученням в установленому порядку Міжвідомчої комісії з політики військово-технічного співробітництва та експортного контролю. ( Пункт 12 доповнено абзацом згідно з Постановою КМ N 464 від 14.05.2008 )

У разі потреби з ініціативи Держекспортконтролю або згідно із зверненням суб'єкта строк розгляду заяви може бути продовжений рішенням Голови Держекспортконтролю.

У разі потреби в додатковому міжвідомчому узгодженні (перевірка кінцевого споживача чи посередника, отримання інформації про можливе відхилення від заявленого кінцевого використання товарів, проведення консультацій з відповідними органами держав - учасниць міжнародних режимів експортного контролю) міністерства, інші центральні органи виконавчої влади та Служба зовнішньої розвідки протягом 15 днів після отримання відповідного запиту надають висновок про можливість здійснення міжнародної передачі. Якщо надання висновку потребує терміну, що перевищує 15 днів, міністерства, інші центральні органи виконавчої влади та Служба зовнішньої розвідки письмово повідомляють про це Держекспортконтроль із зазначенням підстав для продовження терміну та визначають додатковий термін для надання висновку, який не може перевищувати 15 днів. У такому разі загальний термін розгляду заяв з урахуванням міжвідомчого узгодження не повинен перевищувати 90 днів. ( Пункт 12 доповнено абзацом згідно з Постановою КМ N 1209 від 15.12.2005, із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 726 від 25.05.2006 )

Документи, що подаються Держекспортконтролю, мають бути складені державною мовою. До документів, складених іноземною мовою, обов'язково додається їх засвідчений в установленому порядку переклад на українську мову.

13. Заява суб'єкта про надання дозволу чи висновку на право експорту, тимчасового вивезення, імпорту, тимчасового ввезення та реекспорту товарів залишається без розгляду у разі, коли:

вона подана (підписана) особою, яка не має на це повноважень;

документи подано не в повному обсязі або оформлено з порушенням вимог цього Порядку.

Про залишення заяви про надання дозволу чи висновку без розгляду або у разі прийняття рішення про відмову в його наданні Держекспортконтроль письмово повідомляє суб'єкта та центральний орган виконавчої влади, до сфери управління якого належить цей суб'єкт, протягом трьох днів після прийняття відповідного рішення з обґрунтуванням причин.

14. Заява і документи, які суб'єкт подає Держекспортконтролю для отримання дозволу чи висновку, повинні містити повну та достовірну інформацію про суб'єктів, що беруть участь у здійсненні зазначеної у заяві міжнародної передачі товарів, про товари та порядок їх міжнародної передачі, про кінцеве використання цих товарів, а також гарантії щодо їх використання виключно у заявлених цілях.

Додаткові вимоги до здійснення експорту,
тимчасового вивезення та реекспорту товарів

15. До листа про надання дозволу на експорт товарів, крім документів, зазначених у пункті 12 цього Порядку, суб'єкт додає:

1) оригінали документів про зобов'язання та гарантії іноземного суб'єкта - кінцевого споживача стосовно імпортованих товарів;

2) документ про походження товарів;

3) засвідчені в установленому порядку:

копію зовнішньоекономічного договору (контракту) на експорт зазначених у заяві товарів, а також копію договору комісії, доручення тощо, якщо експортером є підприємство-посередник;

копію довідки про ступінь секретності товару, яку суб'єкт подавав Держекспортконтролю під час проведення попередньої експертизи товарів і реєстрації цього суб'єкта в Держекспортконтролі.

( Абзац сьомий пункту 15 виключено на підставі Постанови КМ N 24 від 18.01.2012 )

Зобов'язання та гарантії іноземного суб'єкта - кінцевого споживача стосовно імпортованих товарів повинні бути надані у вигляді сертифіката кінцевого споживача, імпортного сертифіката або іншого документа, в якому містяться:

відомості про кінцевого споживача товарів, їх експортера, найменування та кількість товарів, кінцеве призначення та місце використання;

зобов'язання іноземного суб'єкта - кінцевого споживача не реекспортувати і не передавати будь-кому стримані товари або, що такі товари призначені для власних потреб кінцевого споживача, не пов'язаних з їх реекспортом чи передаванням, а також його зобов'язання щодо окремих груп товарів, а саме:

а) товарів, що можуть бути використані у створенні ракетної зброї:

використовувати отримані товари тільки у заявлених цілях, які не стосуються створення ракетних засобів доставки зброї масового знищення;

не копіювати, не модифікувати чи не реекспортувати отримані товари, а також не передавати їх будь-кому, крім кінцевого споживача, або, що такі товари призначені для власних потреб кінцевого споживача, не пов'язаних з їх наступним копіюванням, модифікуванням, реекспортом чи передаванням;

б) товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї:

використовувати отримані товари тільки у заявлених цілях, які не стосуються будь-яким чином діяльності, пов'язаної із створенням ядерних вибухових пристроїв, або діяльності, пов'язаної з ядерним паливним циклом, яка не перебуває під гарантіями МАГАТЕ;

не копіювати, не модифікувати чи не реекспортувати отримані товари, а також не передавати їх будь-кому, крім кінцевого споживача, або, що такі товари призначені для власних потреб кінцевого споживача, не пов'язаних з їх наступним копіюванням, модифікуванням, реекспортом чи передаванням;

в) товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї:

використовувати отримані товари тільки у заявлених цілях, які не стосуються створення хімічної зброї або будь-якої іншої діяльності, забороненої Конвенцією про заборону розробки, виробництва, накопичення і застосування хімічної зброї та про її знищення;

не реекспортувати і не передавати отримані товари будь-кому, крім кінцевого споживача, або, що такі товари призначені для власних потреб кінцевого споживача, не пов'язаних з їх наступним реекспортом чи передаванням.

У документі, який містить зобов'язання та гарантії іноземного суб'єкта, повинні бути зазначені хімічна назва, структурна формула та реєстраційний номер товару за міжнародним довідником "Chemical abstracts service", якщо він йому присвоєний (у разі експорту хімікатів);

г) товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї:

використовувати отримані товари тільки у заявлених цілях, які не стосуються створення бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї або будь-якої іншої діяльності, забороненої Конвенцією про заборону розробки, виробництва і накопичення запасів бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї та про її знищення;

не реекспортувати і не передавати отримані товари будь-кому, крім кінцевого споживача, або, що такі товари призначені для власних потреб кінцевого споживача, не пов'язаних з їх наступним реекспортом чи передаванням.

У документі, який містить зобов'язання та гарантії іноземного суб'єкта, повинна бути зазначена назва штаму збудника захворювання (патогену) чи токсину з посиланням на відповідний паспорт (у разі експорту збудників захворювань (патогенів) чи токсинів).

У разі коли іноземний суб'єкт - кінцевий споживач має намір у подальшому реекспортувати чи передавати отримані товари іншому кінцевому споживачеві, в зазначеному документі повинно бути визначено його зобов'язання про здійснення таких операцій лише за наявності письмової згоди на це експортера та Держекспортконтролю.

Якщо експорт товарів, визначених як "чутливі" або "дуже чутливі" у списку товарів, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки, або коли експорт товарів, визначених в інших додатках, здійснюється до держав, які не є членами відповідного міжнародного режиму експортного контролю, до зазначених у цьому пункті документів додаються імпортний сертифікат або інший документ, оформлений або підтверджений уповноваженим державним органом держави призначення товарів, і містить підтвердження або гарантії цього державного органу щодо імпорту зазначеного товару до цієї держави.

16. У разі експорту товарів до держав - учасниць відповідного міжнародного режиму експортного контролю, членом якого є Україна, документи, зазначені у пункті 15 цього Порядку, які визначають зобов'язання та гарантії кінцевого споживача стосовно імпортованих товарів, за погодженням з Держекспортконтролем можуть не подаватися.

У разі експорту товарів, які є внеском до капіталу спільного українсько-бразильського підприємства - бінаціональної компанії "Алкантара Циклон Спейс", утвореного відповідно до Договору між Україною та Федеративною Республікою Бразилія про довгострокове співробітництво щодо використання ракети-носія "Циклон-4" на пусковому центрі Алкантара, підписаного 21 жовтня 2003 р. в м. Бразиліа, зовнішньоекономічний договір (контракт) не надається. ( Пункт 16 доповнено абзацом згідно з Постановою КМ N 3 від 06.01.2010 )

17. Відкритий або генеральний дозвіл на право експорту товарів до держав, які не є учасниками відповідного міжнародного режиму експортного контролю, членом якого є Україна, а також у разі, коли з державою - кінцевим споживачем товарів не укладено міжнародний договір, яким обумовлено такий експорт, надається в установленому порядку за погодженням з МЗС, а у разі потреби - з іншими центральними органами виконавчої влади. ( Абзац перший пункту 17 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 464 від 14.05.2008 )

Фактичне відвантаження товарів, передбачених для експорту за відповідним відкритим або генеральним дозволом, суб'єкт повинен здійснювати лише після отримання документів, зазначених в абзацах другому і п'ятому пункту 15 цього Порядку.

18. Реекспорт чи передача іншому кінцевому споживачеві товарів здійснюється згідно з порядком, передбаченим для їх експорту. При цьому, крім документів, зазначених у пунктах 12 і 15 цього Порядку, експортер подає документи, які підтверджують відсутність обмежень на реекспорт чи передачу товарів іншому кінцевому споживачеві з боку постачальника цих товарів в Україну.

19. Тимчасове вивезення товарів для демонстрації на виставках і ярмарках, реклами, проведення випробувань та з іншою метою, якщо це не передбачає переходу права власності на товар, здійснюється за наявності позитивного висновку Держекспортконтролю. До листа про надання такого висновку, крім документів, зазначених у пункті 12 цього Порядку, додаються:

документ, який містить відомості про найменування виставки або ярмарку, місце і строк експонування або випробування товарів тощо, а також зобов'язання (гарантії) щодо зворотного ввезення товарів в Україну без зміни їх кількісних і якісних характеристик;

засвідчені копії документів, згідно з якими здійснюється тимчасове вивезення товарів (запрошення для участі у виставці або ярмарку, зовнішньоекономічного договору (контракту), угоди з іноземним партнером тощо), та довідки про ступінь секретності товару, яку суб'єкт подавав під час проведення попередньої експертизи товарів та реєстрації цього суб'єкта в Держекспортконтролі.

20. Тимчасове вивезення товарів військовими формуваннями України для проведення навчань або для забезпечення їх діяльності за межами України, якщо це не передбачає переходу права власності на товари, здійснюється за наявності позитивного висновку Держекспортконтролю. До листа про надання висновку, крім документів, зазначених у пункті 12 цього Порядку, додаються:

засвідчені копії документів, згідно з якими здійснюється тимчасове вивезення товарів;

довідка про ступінь секретності кожного з найменувань товарів, що передбачаються для тимчасового вивезення.

21. У разі експорту, тимчасового вивезення та реекспорту товарів, зазначених у частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї, згідно з додатком 3, крім документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, подається документ, оформлений або підтверджений уповноваженим державним органом держави призначення товарів, який містить підтвердження або гарантії цього державного органу, що отримані товари, а також вироблені на їх основі або в результаті їх використання ядерні і спеціальні неядерні матеріали, установки та обладнання:

не використовуватимуться для виробництва ядерної зброї чи інших ядерних вибухових пристроїв або для досягнення будь-якої військової мети;

перебуватимуть під контролем (гарантіями) МАГАТЕ протягом усього строку їх фактичного використання згідно з угодою про гарантії між державою, що отримує товари, і МАГАТЕ, яка охоплює всю мирну ядерну діяльність цієї держави;

забезпечуватимуться засобами фізичного захисту на рівні, не нижчому ніж рекомендовано МАГАТЕ;

реекспортуватимуться або передаватимуться з-під юрисдикції держави-імпортера до будь-якої іншої держави тільки за умов, передбачених у цьому пункті, і тільки за наявності письмового дозволу на це експортера та органів експортного контролю України.

Підтвердження або гарантії, передбачені цим пунктом, приймаються до розгляду, якщо вони оформлені уповноваженим на це державним органом держави, що отримує товар, шляхом підтвердження ним зобов'язань у зв'язку з поставками з України або шляхом посилання на зобов'язання відповідно до багатосторонніх або двосторонніх договорів, учасниками яких є Україна та держава, що отримує товар.

У разі експорту, тимчасового вивезення та реекспорту товарів, зазначених у розділі А частини першої списку товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї, згідно з додатком 3, до документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, додатково подається висновок Держатомрегулювання щодо додержання вимог ядерної та радіаційної безпеки під час здійснення операцій з вивезення заявлених товарів.

Додаткові вимоги до здійснення імпорту та
тимчасового ввезення товарів

22. Імпорт та тимчасове ввезення товарів (крім товарів, позначених зірочкою у списку товарів, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки, зазначених у розділі А частини першої списку товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї, частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, та частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї, а також товарів, тимчасове ввезення яких здійснюється з метою надання іноземному суб'єкту послуг з їх ремонту, обслуговування, модернізації тощо), здійснюється без дозволу чи висновку Держекспортконтролю в порядку, встановленому законодавством.

Імпорт товарів, не включених до списків товарів, які ввозяться на територію України з наданням міжнародного імпортного сертифіката або іншого державного документа, який підтверджує зобов'язання імпортера про імпорт товарів в Україну, здійснюється за дозволом Держекспортконтролю. ( Пункт 22 доповнено абзацом згідно з Постановою КМ N 1432 від 28.10.2004 ) ( Пункт 22 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 1432 від 28.10.2004 )

23. Тимчасове ввезення товарів з метою надання іноземному суб'єкту послуг з їх ремонту, обслуговування, модернізації тощо здійснюється за відповідним висновком Держекспортконтролю, а експорт таких послуг (разом з поверненням ввезених товарів), включаючи надання послуг з гарантійного обслуговування, здійснюється за дозволом Держекспортконтролю. Зазначені висновок та дозвіл надаються суб'єкту на підставі документів, визначених у пунктах 12 і 15 цього Порядку. ( Пункт 23 в редакції Постанови КМ N 1432 від 28.10.2004 )

24. Якщо умовою імпорту товарів в Україну є оформлення Українською Стороною документів про гарантії, пов'язані з кінцевим використанням імпортованих товарів, такі документи оформлюються в порядку, встановленому Положенням про порядок надання гарантій та здійснення державного контролю за виконанням зобов'язань щодо використання у заявлених цілях товарів, які підлягають державному експортному контролю, затвердженим постановою Кабінету Міністрів України від 27 травня 1999 р. N 920 (Офіційний вісник України, 1999 р., N 22, ст. 1005; 2003 р., N 4, ст. 139, N 32, ст. 1711).

Передача іншому кінцевому споживачеві товарів, зазначених у додатках 1-5, а також інших товарів, які були ввезені на територію України з наданням відповідного міжнародного імпортного сертифіката, здійснюється згідно з порядком, передбаченим для їх імпорту, а до документів, зазначених у пунктах 12 і 25 цього Порядку, суб'єкт додає документи, які підтверджують відсутність обмежень на таку передачу з боку постачальника цих товарів в Україну.

25. До листа про надання дозволу на імпорт товарів, зазначених у пункті 22 цього Порядку, крім документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, додаються:

засвідчена в установленому порядку копія зовнішньоекономічного договору (контракту) на імпорт зазначених у заяві товарів, а у разі, коли імпортером є підприємство-посередник, - засвідчена копія договору комісії, доручення тощо;

сертифікат кінцевого споживача за формою, встановленою Положенням про порядок надання гарантій та здійснення державного контролю за виконанням зобов'язань щодо використання товарів у заявлених цілях ( 920-99 ).

26. Тимчасове ввезення товарів, зазначених у пункті 22 цього Порядку, для демонстрації на виставках, ярмарках, реклами, проведення випробувань та з іншою метою, якщо це не передбачає переходу права власності на товари, здійснюється за наявності позитивного висновку Держекспортконтролю.

До листа про надання висновку, крім документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, додаються:

документ, який містить відомості про найменування виставки, ярмарку, місце і строк експонування товарів;

засвідчені копії документів, згідно з якими здійснюється тимчасове ввезення товарів (запрошення для участі у виставці, ярмарку, зовнішньоекономічного договору (контракту) тощо).

27. Тимчасове ввезення товарів військовими формуваннями України для проведення навчань, якщо це не передбачає переходу права власності на товари, здійснюється за наявності позитивного висновку Держекспортконтролю. До листа про надання висновку, крім документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, додаються засвідчені копії документів, згідно з якими здійснюється тимчасове ввезення товарів.

28. У разі імпорту та тимчасового ввезення товарів, зазначених у частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, або у частині першій списку товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї, крім документів, передбачених пунктом 12 цього Порядку, подається документ, який містить:

відомості про мету ввезення;

зобов'язання імпортера та кінцевого споживача щодо використання товарів, які ввозяться в Україну, виключно в цілях, визначених у пунктах 8 або 9 цього Порядку;

зобов'язання імпортера та кінцевого споживача не реекспортувати і не передавати отримані товари будь-кому, крім кінцевого споживача, без дозволу на це Держекспортконтролю;

зобов'язання кінцевого споживача про те, що будь-яка наступна передача товарів буде здійснена тільки після отримання відповідного дозволу чи висновку Держекспортконтролю.

Транзит товарів територією України

29. Транзит товарів територією України (крім товарів категорії І, зазначених у списку товарів, що можуть бути використані у створенні ракетної зброї, розділу A частини першої списку товарів, що можуть бути використані у створенні ядерної зброї, розділу першого частини першої списку товарів, що можуть бути використані у створенні хімічної зброї, та частини першої списку товарів, що можуть бути використані у створенні бактеріологічної (біологічної) та токсинної зброї) здійснюється без висновку Держекспортконтролю в порядку, встановленому законодавством. ( Пункт 29 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 1432 від 28.10.2004 )

30. Для одержання висновку на право транзиту територією України товарів, зазначених у пункті 29 цього Порядку, суб'єкт або іноземний суб'єкт надсилає Держекспортконтролю лист, до якого додаються:

заява за встановленою Мінекономрозвитку формою; ( Абзац другий пункту 30 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 1027 від 24.10.2012 )

засвідчена копія експортної ліцензії держави-експортера або інший офіційний документ, що містить необхідні відомості для проведення експертизи в галузі експортного контролю та прийняття відповідного рішення;

інші документи (засвідчені копії сертифіката кінцевого споживача, імпортного сертифіката, технічні дані та призначення товарів тощо) залежно від категорії товару та держави-отримувача товару на вимогу Держекспортконтролю.

Звітування та відповідальність суб'єктів

31. Звіти про використання отриманих дозволів на право експорту чи імпорту товарів суб'єкт подає Держекспортконтролю за встановленою Мінекономрозвитку формою. Строки подання звітів визначаються під час реєстрації цього суб'єкта в Держекспортконтролі або оформлення дозволів. ( Абзац перший пункту 31 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 1027 від 24.10.2012 )

Неподання або несвоєчасне подання суб'єктом зазначених звітів тягне за собою відповідальність згідно із законодавством.

32. Суб'єкти, які допускають порушення вимог цього Порядку, несуть відповідальність згідно із законодавством.

Додаток 1
до Порядку

(у редакції постанови Кабінету Міністрів України
від 29 вересня 2010 р. N 887)

СПИСОК товарів подвійного використання, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки

------------------------------------------------------------------ | Розділ 1. СПЕЦІАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ ТА ПОВ'ЯЗАНЕ З НИМИ ОБЛАДНАННЯ | |----------------------------------------------------------------| | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |-------------+--------------------------------------------------| |Загальні |1. Термін "товари подвійного використання" у цьому| |примітки. | Списку вживається у значенні, наведеному у | | | статті 1 Закону України "Про державний контроль| | | за міжнародними передачами товарів військового | | | призначення та подвійного використання" | | | ( 549-15 ). | | | Терміни, що використовуються у цьому Списку в | | | лапках, мають значення, наведені у пункті 1 | | | розділу "Загальні примітки", розміщеного | | | наприкінці цього Списку. | | |2. Коди товарів згідно з УКТЗЕД ( 2371а-14, | | | 2371б-14, 2371в-14, 2371г-14 ) наводяться у | | | цьому Списку довідково. Основною ознакою для | | | прийняття рішення є відповідність заявленого | | | до митного оформлення товару найменуванню | | | та опису відповідного товару, наведеного | | | в цьому Списку. | | |3. У позиції 1.A.1 та далі за текстом у графі | | | "номер позиції" у квадратних дужках наводяться | | | коди товарів згідно із системою їх класифікації| | | державами - учасницями Європейського Союзу. | | |4. У деяких випадках для зручності в ідентифікації| | | хімічних сполук у цьому Списку зазначаються | | | найменування хімічної сполуки та її | | | реєстраційний номер Хімічної реферативної | | | служби (CAS-номери, Chemical Abstracts | | | Service). Хімічні сполуки, які мають однакову | | | структурну формулу (включаючи гідрати), | | | підлягають контролю незалежно від найменування | | | та CAS-номеру. CAS-номери не можуть | | | бути використані як однозначні ідентифікатори, | | | оскільки деякі форми хімічних сполук, наведені | | | в цьому Списку, мають різні CAS-номери, суміші,| | | до складу яких входить хімічна сполука, | | | також можуть мати різні CAS-номери. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особливі |1. "Технологія", що підлягає контролю, визначена в| |примітки. | кожному розділі. | | | Експорт "технології", "необхідної" для | | | "розроблення", "виробництва" або "використання"| | | виробів, зазначених у цьому Списку, | | | контролюється відповідно до умов, згаданих | | | у кожному розділі. Ця "технологія" підлягає | | | контролю навіть у разі, коли вона | | | використовується для розроблення будь-якого | | | виробу, не внесеного до цього Списку. | | | Дозвіл на експорт виробу, зазначеного в цьому | | | Списку, також надає дозвіл на експорт тому | | | самому кінцевому споживачеві мінімуму | | | "технології", необхідного для установлення, | | | експлуатації, технічного обслуговування | | | (перевірки) та ремонту виробу. Кількість та | | | обсяги такого мінімуму обмежуються інформацією,| | | наведеною у технічній документації (паспорті, | | | формулярі тощо), яка спеціально розроблена для | | | кінцевого споживача та постачається з виробом. | | | Контроль не застосовується до "технологій", що | | | є "загальнодоступними", "фундаментальних | | | наукових досліджень" або мінімальної | | | інформації, необхідної для подання заявки | | | на патент. | | |--------------------------------------------------| | |2. За цим Списком контролю не підлягає "програмне | | | забезпечення", загальнодоступне громадськості | | | шляхом: | | | a) продажу без обмежень у пунктах роздрібної | | | торгівлі, призначене для: | | | 1) торговельних операцій у роздріб; | | | 2) торговельних операцій за поштовим | | | замовленням; або | | | 3) торговельних операцій за замовленням по | | | телефону; та | | | b) розроблене для інсталяції користувачем без | | | подальшої допомоги з боку постачальника або є | | | "загальнодоступним". | | |--------------------------------------------------| | |3. Міжнародні передачі "послуг та робіт", | | | пов'язаних з "розробкою", "виробництвом", | | | "використанням", складанням, випробуванням, | | | "модифікацією" та модернізацією виробів, | | | обладнання, матеріалів, "програмного | | | забезпечення" і "технологій", підлягають | | | експортному контролю у тому самому обсязі, | | | що і міжнародні передачі виробів, обладнання, | | | матеріалів, "програмного забезпечення" і | | | "технологій", зазначених у цьому Списку. | |-------------+--------------------------------------------------| |1. |СПЕЦІАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ ТА ПОВ'ЯЗАНЕ З| | | |НИМИ ОБЛАДНАННЯ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.1. |Компоненти, вироблені із сполук, що| | |[1A001] |містять фтор: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) ущільнення, прокладки, |3923 30 90 00 | | | ущільнювальні матеріали або |3925 10 00 00 | | | еластичні паливні баки, |3926 90 10 00 | | | спеціально призначені для |3926 90 99 90 | | | "літальних апаратів" чи для | | | | використання в аерокосмічній | | | | техніці та виготовлені більш | | | | як на 50 вагових відсотків | | | | з матеріалу, зазначеного | | | | в позиціях 1.C.9.b або 1.C.9.c; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) п'єзоелектричні полімери |3920 99 51 00 | | | та сополімери, вироблені |3921 90 60 00 | | | з матеріалів на основі |3921 90 90 00 | | | вініліденфториду, | | | | зазначених у позиції | | | | 1.C.9.a: | | | | 1) у формі плівки або листа; та | | | | 2) завтовшки понад 200 мкм; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) ущільнення, прокладки, гнізда |3919 90 90 00 | | | клапанів, еластичні паливні баки|3923 30 90 00 | | | або діафрагми, які: |3925 10 00 00 | | | 1) виготовлені із фтороластомірів,|3926 90 10 00 | | | які містять щонайменше одну |3926 90 99 90 | | | вінілефірну групу як складову | | | | ланку; та | | | | 2) спеціально призначені для | | | | "літальних апаратів" чи для | | | | використання в аерокосмічній | | | | або ракетній техніці. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.2. |"Композиційні матеріали" або | | |[1A002] |ламінати (шаруваті матеріали), які | | | |містять будь-що з наведеного | | | |нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) органічну "матрицю" і вироблені |з 3921 | | | з матеріалів, що підлягають |3926 90 10 00 | | | контролю згідно з позиціями |3926 90 99 90 | | | 1.C.10.c, 1.C.10.d чи 1.C.10.e; | | | | або | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) металеву або вуглецеву "матрицю"| | | | і виготовлені з: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) вуглецевих "волокнистих або |з 3801 | | | ниткоподібних матеріалів" з: |з 6815 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) питомим модулем пружності |з 6815 | | | 6 | | | | понад 10,15 х 10 м; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) питомою межею міцності при |з 6815 | | | 4 | | | | розтягу понад 17,7 х 10 м; | | | | або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) матеріалів, що підлягають |8101 92 00 00 | | | контролю за позицією 1.C.10.c. |8108 90 30 00 | | | |8108 90 70 00 | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 1. |Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають | | |композиційні структури або шаруваті матеріали, | | |виготовлені з епоксидної смоли, імпрегнованої | | |"волокнистими чи ниткоподібними матеріалами" для | | |ремонту авіаційних конструкцій, або шаруваті | | |матеріали, у разі, коли їх розмір не перевищує | | |100 х 100 см. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 2. |Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають | | |закінчені вироби або напівфабрикати, спеціально | | |призначені тільки для наведеного нижче цивільного | | |використання: | | | a) у спортивних товарах; | | | b) в автомобільній промисловості; | | | c) у верстатобудівній промисловості; | | | d) у медичних цілях. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 3. |Згідно з позицією 1.A.2.b.1 контролю не підлягають| | |закінчені вироби або напівфабрикати, що містять | | |сплетення ниток максимум у двох вимірах та | | |спеціально призначені для використання у: | | | a) термічних печах для відпуску металів; | | | b) обладненні для виробництва монокристалів | | | кремнію. | |-------------+--------------------------------------------------|

|1.A.3. |Вироби з ароматичних поліамідів, що|з 3919 | |[1A003] |не належать до "плавких" у формі |з 3920 | | |плівки, листа, стрічки або смужки, |з 3921 | | |які мають будь-яку з наведених | | | |нижче характеристик: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) завтовшки понад 0,254 мм; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) покриті чи ламіновані вуглецем,|з 3921 | | | графітом, металами або | | | | магнітними речовинами. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.A.3 контролю не підлягають | | |вироби, покриті або ламіновані міддю і призначені | | |для виробництва електронних друкованих плат. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо "плавких" ароматичних поліамідів в будь-якій | |примітка. |формі дивись підпозицію 1.C.8.a.3. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.A.4. |Обладнання для забезпечення захисту| | |[1A004] |і виявлення та їх частини, наведені| | | |нижче, спеціально не призначені для| | | |військового використання: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) протигази, газові маски, коробки|9020 00 90 00 | | | протигазів з фільтрами та |9033 00 00 00 | | | обладнання для знезараження, | | | | призначені або модифіковані для | | | | захисту від будь-чого з | | | | наведеного нижче, та спеціально | | | | призначені компоненти для них: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) біологічних агентів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) радіоактивних матеріалів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) бойових хімічних агентів; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) "хімічних засобів боротьби із | | | | масовими заворушеннями", | | | | включаючи: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) альфа-бромбензинацетонітрил, | | | | (бромбензил ціанід) (CA) | | | | (CAS 5798-79-8); | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) [(2-хлорофенілу) метилену] | | | | пропанедінітрил, (о- | | | | хлоробензиліденемалононітрилу)| | | | (CS) (CAS 2698-41-1); | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) 2-хлоро-1-фенілетанон, | | | | фенілацил хлорид | | | | (w-хлороацетофенону) (CN) | | | | (CAS 532-27-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) дібенз-(b,f)-1,4-оксацефін, | | | | (CR) (CAS 257-07-8); | | | |-----------------------------------+--------------| | | e) 10-хлоро-5,10-діхідрофенар- | | | | сазин, (фенарсацин хлориду), | | | | (Адамзиту), (DM) | | | | (CAS 578-94-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | | f) N-нонаноілморфолін, (MPA) | | | | (CAS 5299-64-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) захисні костюми, рукавиці та |6210 20 00 00 | | | взуття, спеціально призначені |6210 30 00 00 | | | або модифіковані для захисту від|з 6405 90 | | | будь-чого з наведено нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) біологічних агентів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) радіоактивних матеріалів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) бойових хімічних агентів; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) Ядерні, біологічні та хімічні |з 9027 | | | системи виявлення та їх частини,|9030 10 90 00 | | | спеціально призначені або |9033 00 00 00 | | | модифіковані для виявлення або |9027 10 10 00 | | | ідентифікації будь-чого з |9027 10 90 00 | | | наведеного нижче, а також |9027 90 80 00 | | | спеціально призначені для них | | | | компоненти: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) біологічних агентів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) радіоактивних матеріалів, | | | | "пристосованих для військового | | | | використання"; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) бойових хімічних агентів; | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) електронне обладнання, | | | | призначене для автоматичного | | | | виявлення або ідентифікації | | | | наявності залишків "вибухових | | | | речовин" з використанням методів| | | | "виявлення слідів" (наприклад, | | | | поверхневої акустичної хвилі, | | | | спектрометрії рухливості іонів, | | | | спектрометрії на основі | | | | розподілу рухливості, масова | | | | спектрометрія). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |"Виявлення слідів" - здатність виявити менш ніж | |примітка. |одну частину на мільйон пари, або 1 мг твердої або| | |рідкої речовини. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 1. |Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягає | | |обладнання, спеціально призначене для | | |лабораторного використання. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 2. |Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягають | | |стаціонарні безконтактні пропускні арочні пристрої| | |безпеки. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 3. |Згідно з позицією 1.A.4 контролю не підлягають: | | |a) персональні радіаційні моніторингові дозиметри;| | |b) обладнання, яке за конструкцією або функціями | | | призначене тільки для захисту від небезпечних | | | та шкідливих факторів, типових для безпеки | | | мешканців та житла, а також для цивільних | | | галузей промисловості, таких як гірнича | | | промисловість, відкрита розробка родовищ, | | | сільське господарство, фармацевтика, медицина, | | | ветеринарія, охорона довкілля, переробка | | | відходів або харчова промисловість; | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічні |1. Згідно з позицією 1.A.4 контролю підлягає | |примітки. | обладнання і компоненти, які були | | | ідентифіковані, успішно протестовані згідно | | | з національними стандартами або ефективність | | | яких підтверджена іншим чином, для виявлення | | | або захисту від радіоактивних матеріалів, | | | "пристосованих для військового використання", | | | біологічних агентів, "пристосованих для | | | військового використання", бойових хімічних | | | речовин, "імітаційних продуктів" або "хімічних | | | засобів боротьби із масовими заворушеннями", | | | навіть якщо таке обладнання або компоненти | | | використовуються в галузях цивільної | | | промисловості, зокрема для гірничої справи, | | | робіт в кар'єрах, сільськогосподарської, | | | фармацевтичної, медичної, ветеринарної | | | діяльності, харчової промисловості, а також | | | для робіт, пов'язаних із захистом навколишнього| | | природного середовища та переробкою відходів | | | або для харчової промисловості; | | |2. "Імітаційний продукт" - речовина або матеріал, | | | який використовується замість токсичних агентів| | | (хімічних або біологічних) для навчання, | | | дослідження, тестування або аналізу. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.A.5. |Бронежилети і спеціально призначені|6204 29 90 00 | |[1A005] |для них "компоненти", виготовлені | | | |не за військовими стандартами або | | | |специфікаціями і не рівноцінні їм у| | | |виконанні. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо контролю за "волокнистими або ниткоподібними | |примітка. |матеріалами", що використовуються у виробництві | | |бронежилетів, див. позицію 1.C.10. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають | | | бронежилети або захисний одяг, якщо вони | | | перебувають у своїх користувачів з метою їх | | | власного захисту. | | |2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають | | | бронежилети, призначені тільки для забезпечення| | | фронтального захисту як від уламків, так і від | | | вибуху невійськових вибухових пристроїв. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.A.6. |Обладнання, спеціально призначене | | |[1A006] |або модифіковане для знищення | | | |саморобних вибухових пристроїв, та | | | |спеціально призначені компоненти і | | | |пристосування для нього: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) транспортні засоби з | | | | дистанційним керуванням; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) руйнівники (підривачі). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Руйнівники - пристрої, спеціально призначенні для | |примітка. |запобігання спрацюванню вибухового пристрою за | | |допомогою дії рідини, твердої речовини або | | |крихкого снаряду. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо обладнання, спеціально призначеного для | |примітка. |військового використання, знищення саморобних | | |вибухових пристроїв, дивись позицію ML4 Списку | | |товарів військового призначення, міжнародні | | |передачі яких підлягають державному контролю, | | |наведеного у додатку до Порядку здійснення | | |державного контролю за міжнародними передачами | | |товарів військового призначення, затвердженого | | |постановою Кабінету Міністрів України від | | |20 листопада 2003 р. N 1807. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.A.6 контролю не підлягає | | |обладнання, що супроводжується (слідує разом) його| | |оператором. | |-------------+--------------------------------------------------|

|1.A.7.* |Обладнання та пристрої, спеціально | | |[1A007] |призначені для ініціювання зарядів | | | |і пристроїв, що містять енергетичні| | | |матеріали, за допомогою електричних| | | |засобів, наведених нижче: | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за | |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| | |a) блоків підриву детонаторів | | | | вибухових пристроїв, призначених| | | | для приведення в дію детонаторів| | | | вибухових пристроїв, що | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позицією 1.A.7.b; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) електродетонатори вибухових | | | | пристроїв: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) детонатори з містком, що | | | | вибухає (іскрові детонатори); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) детонатори з дротовою | | | | перемичкою, що вибухає | | | | (струмові детонатори); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) детонатори з ударником | | | | (детонатори ударної дії); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) ініціатори з фольгою, що | | | | вибухає. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |1. Іноді слова "ініціатор" або "запалювач" | |примітка. | використовуються замість слова "детонатор"; | | |2. Для цілей позиції 1.A.7.b. усі детонатори, про | | | які йде мова, використовують невеликий | | | електричний провідник (місток, дротову | | | перемичку або фольгу), який вибухоподібно | | | випаровується, під час пропуску через нього | | | короткого сильнострумового електричного | | | імпульсу. У детонаторах безударної дії | | | провідник, що вибухає, починає хімічну | | | детонацію в контакті з бризантною вибуховою | | | речовиною, такою як ПЕТН | | | (пентаеритриттетранітрат). У детонаторах | | | ударної дії вибухоподібне випаровування | | | електричного провідника переміщає через зазор | | | бійчик або ударник, який ударяє по вибуховій | | | речовині і викликає хімічну детонацію. | | | У деяких конструкціях ударник приводиться | | | в дію магнітною силою. Термін "детонатор | | | з фольгою, що вибухає" може означати або | | | детонатор з містком, що вибухає, або детонатор | | | ударного типу. Термін "ініціатор з фольгою, що | | | вибухає" може відноситись як до детонаторів з | | | містком, що вибухає, так і до детонаторів | | | ударної дії. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо обладнання та пристроїв, спеціально | |примітка. |призначених для військового використання, дивись | | |Список товарів військового призначення, міжнародні| | |передачі яких підлягають державному контролю, | | |наведений у додатку до Порядку здійснення | | |державного контролю за міжнародними передачами | | |товарів військового призначення, затвердженого | | |постановою Кабінету Міністрів України від | | |20 листопада 2003 р. N 1807. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.A.8.* |Заряди, пристрої та компоненти: | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| | |a) кумулятивні заряди, у яких: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) чиста маса вибухової речовини | | | | (NEQ) понад 90 г; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) діаметр зовнішньої оболонки | | | | дорівнює або більше ніж 75 мм; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) лінійні підривні заряди для | | | | перебиття елементів конструкцій,| | | | які мають усі наведені нижче | | | | характеристики, і спеціально | | | | призначені для них компоненти: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) вміст "вибухової речовини" | | | | більш ніж 40 г/м; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) завширшки 10 мм або більше; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) детонуючий шнур з вмістом | | | | "вибухової речовини" більше | | | | ніж 64 г/м; | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) підрівні заряди для перебиття | | | | елементів конструкції, крім тих,| | | | що зазначені в позиції 1.A.8.b, | | | | та розрізувальні інструменти, | | | | що мають чисту масу вибухової | | | | речовини (NEQ) більше ніж | | | | 3,5 кг. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |До зарядів або пристроїв, зазначених у позиції | | |1.A.8, належать тільки ті, що містять "вибухові | | |речовини" та їх суміші, зазначені в додатку до | | |Розділу 1. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |"Кумулятивні заряди" - вибухові заряди, що мають | |примітка. |таку форму, яка спрямовує силу вибуху. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.A.9. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.10. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.11. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.12. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.13. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.14. |Зарезервовано. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.A.15.* |Спеціальні засоби та вироби, які за| | | |своїми властивостями можуть бути | | | |використані у терористичних цілях: | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| | |a) піротехнічні вироби у зборі. |3604 90 00 00 | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.A.15.a контролю не підлягають:| | |a) піротехнічні вироби (візуальні сигнальні | | | засоби), які в обов'язковому порядку повинні | | | розташовуватись на морському судні відповідно | | | до пункту 3 правила 6 розділу I глави III, | | | правила 18 розділу I частини В глави III | | | Конвенції з охорони людського життя на морі | | | 1974 року - із змінами і | | | доповненнями (International Convention | | | for the Safety of the Life at Sea, 1974 as | | | amended), глави III, пункту 4.4.8 глави IV, | | | пункту 7.1 глави VII Міжнародного кодексу | | | по рятувальним засобам 1996 року | | | (International Life-saving Appliance Code | | | 1996) та частини D Міжнародної Конвенції | | | про Міжнародні правила запобігання зіткненню | | | суден на морі 1972 року - із | | | змінами і доповненнями (Convention on the | | | International Regulations for Preventing | | | Collisions at Sea, 1972 (COLREGs) as amended); | | |b) піротехнічні вироби побутового призначення (I, | | | II, III класів небезпеки згідно з | | | ДСТУ 4105-2002), загальнодоступні для | | | громадськості шляхом продажу без обмежень | | | у пунктах роздрібної торгівлі. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | | | |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.B.1. |Обладнання для виробництва волокон,| | |[1B001] |препрегів, преформ, | | | |"композиційних" матеріалів чи | | | |виробів, що підлягають контролю | | | |згідно з позиціями 1.A.2 або | | | |1.C.10, і спеціально призначені | | | |"компоненти" до нього та допоміжні | | | |пристрої: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) машини для намотування волокон, |8446 30 00 00 | | | у яких переміщення, пов'язані з |з 8448 | | | позиціюванням, обволіканням і | | | | намотуванням волокон, | | | | координуються та програмуються | | | | за трьома або більше осями, | | | | спеціально призначені для | | | | виробництва "композиційних | | | | матеріалів" або ламінатів з | | | | "волокнистих або ниткоподібних | | | | матеріалів"; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) машини для укладання стрічки або|8446 30 00 00 | | | троса, в яких переміщення, |з 8448 | | | пов'язані з позиціюванням і | | | | укладанням стрічки, тросів або | | | | листів, координуються та | | | | програмуються за двома або | | | | більше осями, спеціально | | | | призначені для виробництва | | | | елементів корпусів бойових ракет| | | | або каркаса літаків з | | | | "композиційних матеріалів"; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) ткацькі машини або машини для |8446 21 00 00 | | | плетіння, що діють у різних |з 8448 | | | вимірах і напрямках, включаючи | | | | адаптери та пристрої для зміни | | | | функцій машин, призначених для | | | | ткацтва або переплетення волокон| | | | з метою виготовлення | | | | "композиційних матеріалів". | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.B.1.c контролю не підлягають | | |текстильні машини, не модифіковані для зазначеного| | |кінцевого використання. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Зазначена в позиції 1.B.1.c техніка плетіння | |примітка. |включає в'язання. | |-------------+--------------------------------------------------| | |d) обладнання, спеціально | | | | призначене або пристосоване для | | | | виробництва зміцнених волокон: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) обладнання для перетворення |з 8456, 8466, | | | полімерних волокон (таких, як |8515 80 91 00 | | | поліакрилонітрил, віскоза, пек |8515 80 99 00 | | | або полікарбоксилан) у |8515 90 00 00 | | | вуглецеві або карбідокремнієві | | | | волокна, включаючи спеціальне | | | | обладнання для розтягу волокон | | | | у процесі нагрівання; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) обладнання для осадження парів |8417 80 20 00 | | | хімічних елементів або складних|з 8417 90 00 | | | речовин на нагріту ниткоподібну|8417 80 80 00 | | | підкладку з метою виробництва | | | | карбідокремнієвих волокон; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) обладнання для виробництва |8445 90 00 00 | | | термостійкої кераміки методом | | | | вологого намотування (такої, як| | | | оксид алюмінію); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) обладнання для перетворення |з 8451 80, | | | шляхом термооброблення волокон |8451 90 00 00 | | | алюмініємістких прекурсорів у | | | | волокна, які містять глинозем; | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) обладнання для виробництва |з 8451, | | | препрегів методом гарячого |з 8477 59 | | | плавлення, які підлягають | | | | контролю, згідно з позицією | | | | 1.C.10.e; | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) обладнання для неруйнівного |9022 12 00 00 | | | контролю, спеціально призначене |9022 13 00 00 | | | для "композиційних матеріалів": |9022 14 00 00 | | | |9022 19 00 00 | | | |9022 29 00 00 | | | |9022 90 90 00 | | | |9031 80 39 10 | | | |9031 80 99 00 | | | |9031 90 90 90 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) системи рентгенівської | | | | томографії для виявлення | | | | дефектів у трьох вимірах; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) ультразвукові випробувальні | | | | машини з числовим програмним | | | | керуванням, в яких рух для | | | | позиціювання передатчиків або | | | | приймачів одночасно | | | | координується та програмується | | | | за чотирма або більше осями, | | | | з метою забезпечення слідування| | | | вздовж тривимірних контурів | | | | компонента, за яким | | | | здійснюється контроль. | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|1.B.2. |Обладнання для виробництва | | |[1B002] |металевих сплавів, порошкоподібних | | | |металевих сплавів або матеріалів на| | | |основі сплавів, спеціально | | | |призначене для уникнення | | | |забруднення та для використання в | | | |одному з процесів, включених до | | | |позиції 1.C.2.c.2. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.B.3. |Робочі інструменти, прес-форми, |8207 30 10 10 | |[1B003] |форми або пристрої для |8207 30 10 90 | | |"надпластичного формування" чи | | | |"дифузійного зварювання" титану або| | | |алюмінію чи їх сплавів, спеціально | | | |призначені для виробництва: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) каркасів літаків або | | | | аерокосмічних конструкцій; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) двигунів "літальних апаратів" чи| | | | аерокосмічних апаратів; або | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) "компонентів", спеціально | | | | призначених для конструкцій, | | | | зазначених у позиції 1.B.3.a, | | | | або двигунів, зазначених у | | | | позиції 1.B.3.b. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.B.4.* |Обладнання, спеціально призначене |з 7309, 00, | | |для виробництва товарів, що |7310, 8419, | | |підлягають контролю згідно з |8462, 8464, | | |позиціями 1.A.7, 1.A.8 та 1.A.15, а|8465, 8474, | | |також промислових вибухових речовин|8477 | | |та їх компонентів, зазначених у | | | |позиції 1.C.13.a. | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| |Примітка. |Компоненти промислової вибухової речовини - | | |хімічні сполуки, їх суміші, які входять до складу | | |рецептури промислової вибухової речовини, а також | | |хімічні сполуки, їх суміші, з яких утворюється | | |промислова вибухова речовина на останньому етапі | | |виготовлення (синтезу), в тому числі безпосередньо| | |перед її використанням. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C. |МАТЕРІАЛИ | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Метали і сплави включають необроблені та | |примітка. |напівфабрикатні форми. | | |Необроблені форми: | | |аноди, кулі, стрічки (включаючи рублені та дротяні| | |смуги), металеві заготовки, блоки, сталеві | | |болванки, брикети, бруски, катоди, кристали, куби,| | |стакани, зерна, гранули, зливки, брили, котуни, | | |чушки, порошок, кільця, дріб, сляби, шматки | | |металу неправильної форми, губки, прутки; | | |напівфабрикатні форми (незалежно від того, | | |облицьовані, анодовані, просвердлені або | | |перфоровані вони, чи ні): | | |a) ковані форми або оброблені матеріали, | | | виготовлені шляхом прокату, волочіння, гарячого| | | штампування, кування, імпульсного штампування, | | | пресування, дроблення, розпилення та | | | розмелювання, а саме: кутики, швелери, кільця, | | | диски, пил, пластівці, фольга та листи, | | | поковки, плити, порошок, вироби, оброблені | | | пресуванням або штампуванням, стрічки, фланці, | | | прути (включаючи зварні брускові прутки, | | | дротяні прути та прокатаний дріт), профілі, | | | форми, листи, смужки, труби і трубки | | | (включаючи трубні кільця, трубні прямокутники | | | та пустотілі трубки), витягнений або | | | екструдований дріт; | | |b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом лиття в | | | піщано-глинисті форми, кокіль, металеві, | | | пластикові або інші види прес-форм, включаючи | | | лиття під високим тиском, оболонкові форми та | | | форми, виготовлені методом порошкової | | | металургії. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Мета контролю не повинна порушуватися під час | | |експорту форм як закінчених виробів, не зазначених| | |у цьому Списку, але які фактично є необробленими | | |або напівфабрикатними формами, що підлягають | | |контролю. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.1. |Матеріали, спеціально призначені | | |[1C001] |для поглинання електромагнітних | | | |хвиль, або полімери з власною | | | |електропровідністю: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) матеріали для поглинання хвиль |з 3910 00 00 | | | 8 |з 3920 | | | на частотах понад 2 х 10 Гц, |з 3921 | | | 12 | | | | але менш як 3 х 10 Гц; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 1. |Згідно з позицією 1.C.1.a контролю не підлягають: | | |a) абсорбери волосяного типу, виготовлені з | | | натуральних або синтетичних волокон, з | | | немагнітним наповненням для абсорбції; | | |b) абсорбери, що не мають магнітних втрат, робоча | | | поверхня яких не є плоскою, включаючи піраміди,| | | конуси, клини та спіралеподібні поверхні; | | |c) плоскі абсорбери, які мають усі наведені нижче | | | характеристики: | | | 1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче | | | матеріалу: | | | a) пінопластичних матеріалів (гнучких або | | | негнучких) з вуглецевим наповненням або | | | органічних матеріалів, включаючи в'язкі | | | домішки, які забезпечують понад 5% відбиття | | | порівняно з металом уздовж ширини смуги, що | | | перевищує середню частоту падаючої енергії на| | | 15%, та не здатні протистояти температурі | | | понад 450 K (177 град.C); або | | | b) керамічних матеріалів, які забезпечують понад| | | 20% відбиття порівняно з металом уздовж | | | ширини смуги, що перевищує середню частоту | | | падаючої енергії на 15%, та не здатні | | | протистояти температурі понад 800 K | | | (527 град.C). | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Зразки для проведення випробувань на поглинання | |примітка. |згідно з приміткою 1.c.1 до позиції 1.C.1.a | | |повинні мати форму квадрата із стороною не менш як| | |п'ять довжин хвиль середньої частоти і | | |розміщуватися в дальній зоні випромінювального | | |елемента. | | | 6 | | | 2) з міцністю при розтягу менш як 7 х 10 Н/кв.м;| | | та | | | 3) з міцністю на стиснення менш як | | | 6 | | | 14 х 10 Н/кв. м; | | |d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого | | | фериту, що мають: | | | 1) питому вагу понад 4,4; та | | | 2) максимальну робочу температуру 548 K | | | (275 град.C). | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 2. |Примітка 1 не звільняє з-під контролю магнітні | | |матеріали, що забезпечують поглинання хвиль, у | | |разі коли вони містяться у фарбах. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) матеріали для поглинання хвиль |з 3920 | | | 14 |з 3921 | | | на частотах понад 1,5 х 10 Гц,|з 3910 00 00 | | | 14 | | | | але менш як 3,7 х 10 Гц і | | | | непрозорі для видимого світла; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) електропровідні полімерні | | | | матеріали з об'ємною | | | | електропровідністю понад 10000 | | | | сіменс/м або поверхневим питомим| | | | опором менш як 100 Ом/кв.м, | | | | вироблені на основі одного з | | | | наведених нижче полімера: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) поліаніліну; |3909 30 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) поліпіролу; |3911 90 91 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) політіофену; |3911 90 93 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) поліфенілен-вінілену; або |3911 90 99 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 5) політіенілен-вінілену. |3919 90 90 90 | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Об'ємна електропровідність та поверхневий питомий | |примітка. |опір визначаються відповідно до стандартної | | |методики ASTM D-257 або її національного | | |еквівалента. | |-------------+--------------------------------------------------|

|1.C.2. |Металеві сплави, порошки металевих | | |[1C002] |сплавів та сплавлені матеріали: | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.2 контролю не підлягають | | |металеві сплави, порошки металевих сплавів або | | |сплавлені матеріали, призначені для ґрунтувальних | | |покриттів. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |1. Металеві сплави, зазначені у позиції 1.C.2, | |примітка. | мають назву тих металів, ваговий відсоток яких | | | більший, ніж інших елементів, що входять до | | | складу сплаву. | | |2. Строк експлуатації до руйнування (межу тривалої| | | міцності) потрібно визначати відповідно до | | | стандартної методики ASTM E-139 або її | | | національного еквівалента. | | |3. Показник циклової втоми необхідно визначати | | | відповідно до стандартної методики ASTM E-606 | | | "Рекомендація з тестування на циклову втому при| | | постійній амплітуді" або її національного | | | еквівалента. Тестування потрібно проводити за | | | напрямком осі при середньому значенні показника| | | напруги, що дорівнює одиниці, та коефіцієнті | | | концентрації напруги (Kt), що дорівнює одиниці.| | | Середня напруга дорівнює різниці максимальної | | | та мінімальної напруги, поділеній на | | | максимальну напругу. | |-------------+--------------------------------------------------| | |a) алюмініди: |7502 20 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) нікелеві алюмініди, що містять | | | | як мінімум 15 вагових %, як | | | | максимум 38 вагових % алюмінію | | | | та принаймні один додатковий | | | | легуючий елемент; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) титанові алюмініди, що містять |8108 10 10 90 | | | 10 або більше вагових % | | | | алюмінію та принаймні один | | | | додатковий легуючий елемент; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) металеві сплави, вироблені з | | | | матеріалів, які підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 1.C.2.c: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) нікелеві сплави із: |7502 20 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) строком експлуатації до | | | | руйнування 10000 годин або | | | | більше з навантаженням 676 МПа| | | | при температурі 923 K | | | | (650 град.C); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) низьким показником циклової | | | | втоми 10000 циклів | | | | випробувань або більше з | | | | навантаженням 1095 МПа при | | | | температурі 823 K | | | | (550 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) ніобієві сплави із: |8112 91 31 00 | | | |8112 99 30 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) строком експлуатації до | | | | руйнування 10000 годин або | | | | більше з навантаженням 400 МПа| | | | при температурі 1073 K | | | | (800 град.C); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) низьким показником циклової | | | | втоми 10000 циклів | | | | випробувань або більше з | | | | навантаженням 700 МПа при | | | | температурі 973 K | | | | (700 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) титанові сплави із: |8108 10 10 90 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) строком експлуатації до | | | | руйнування 10000 годин або | | | | більше з навантаженням 200 МПа| | | | при температурі 723 K | | | | (450 град.C); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) низьким показником циклової | | | | втоми 10000 циклів випробувань| | | | або більше з навантаженням | | | | 400 МПа при температурі 723 K | | | | (450 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) алюмінієві сплави з межею |з 7601 20 | | | міцності при розтягу: |7604 29 10 00 | | | |7608 20 91 00 | | | |7608 20 99 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) 240 МПа або більше при | | | | температурі 473 K | | | | (200 град.C); чи | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) 415 МПа або більше при | | | | температурі 298 K | | | | (25 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 5) магнієві сплави з: |з 8104 | | |-----------------------------------+--------------| | | a) межею міцності при розтягу | | | | 345 МПа або більше; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) швидкістю корозії менше ніж | | | | 1 мм на рік у | | | | 3-відсотковому водному розчині| | | | хлориду натрію, виміряною | | | | відповідно до стандартної | | | | методики ASTM G-31 або її | | | | національного еквівалента; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) порошки металевих сплавів або | | | | частинки матеріалів, які мають | | | | усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) виготовлені з будь-якої | | | | наведеної нижче композиції: | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |X відповідає одному або більше легуючим елементам,| |примітка. |що входять до складу сплаву. | |-------------+--------------------------------------------------| | | a) нікелевих сплавів (Ni-Al-X, |7504 00 00 00 | | | Ni-X-Al), призначених для | | | | використання у складі частин | | | | чи "компонентів" газотурбінних| | | | двигунів, тобто менше ніж з | | | | трьома неметалевими частками | | | | (введеними у процесі | | | | виготовлення), більшими ніж | | | | 9 | | | | 100 мкм в 10 частках | | | | сплаву; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) ніобієвих сплавів (Nb-Al-X або|8112 91 31 00 | | | Nb-X-Al, Nb-Si-X або Nb-X-Si, |8112 99 30 00 | | | Nb-Ti-X або Nb-X-Ti); | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) титанових сплавів (Ti-Al-X |8108 10 10 20 | | | або Ti-X-Al); | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) алюмінієвих сплавів (Al-Mg-X |з 7603 | | | або Al-X-Mg, Al-Zn-X або | | | | Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe);| | | | або | | | |-----------------------------------+--------------| | | e) магнієвих сплавів (Mg-Al-X або|8104 30 00 00 | | | Mg-X-Al); та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) виготовлені у контрольованому | | | | середовищі за допомогою будь- | | | | якого з наведених нижче | | | | процесів: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) "вакуумного розпилення"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) "газового розпилення"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) "відцентрового розпилення"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) "охолодження розбризкуванням";| | | |-----------------------------------+--------------| | | e) "прядіння з розплаву" та | | | | "здрібнювання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | f) "витягання з розплаву" та | | | | "подрібнення"; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | g) "механічного легування"; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) придатні до формування | | | | матеріалів, що підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 1.C.2.а або 1.C.2.b; | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) сплавлені матеріали, які мають |7504 00 00 00 | | | усі наведені нижче |7505 12 00 00 | | | характеристики: |7603 20 00 00 | | | |7604 29 10 00 | | | |з 8104, | | | |8108, 8112 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) виготовлені з будь-яких | | | | композиційних систем, | | | | зазначених у позиції 1.C.2.c.1;| | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) мають форму неподрібнених | | | | гранул, стружки або тонких | | | | стрижнів; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) виготовлені у контрольованому | | | | середовищі одним з наведених | | | | нижче методом: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) "охолодження розбризкуванням";| | | |-----------------------------------+--------------| | | b) "прядіння з розплаву"; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) "витягання з розплаву". | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.3. |Магнітні метали всіх типів та будь-| | |[1C003] |якої форми, що мають будь-яке з | | | |наведеного нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) початкову відносну магнітну |8505 11 00 00 | | | проникність 120000 або більше і |8505 19 | | | завтовшки 0,05 мм або менше; |8505 19 10 00 | | | |8505 19 90 00 | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Вимірювання початкової відносної магнітної | |примітка. |проникності повинне здійснюватися на повністю | | |відпалених матеріалах. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) магнітострикційні сплави, які |7206 90 00 00 | | | мають будь-яку з наведених нижче| | | | характеристик: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) магнітострикційне насичення | | | | -4 | | | | більше ніж 5 х 10 ; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) коефіцієнт магнітомеханічного | | | | зчеплення більше ніж 0,8; або | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) аморфну або нанокристалічну |з 7206 | | | стружку сплаву, яка має: |7504 00 00 00 | | | |з 8105 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) склад мінімум 75 вагових % | | | | заліза, кобальту або нікелю; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) магнітну індукцію насичення | | | | (Bs) - 1,6 Т або більше; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) одну з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) стружка завтовшки 0,02 мм або | | | | менше; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) питомий електричний опір | | | | -4 | | | | 2 х 10 Ом/см або більше. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Нанокристалічні матеріали, зазначені у позиції | |примітка. |1.C.3.c, - це матеріали, що мають кристалічні | | |зерна розміром 50 нм або менше і визначаються | | |дифракцією X-променів. | |-------------+--------------------------------------------------|

|1.C.4. |Ураново-титанові сплави або |з 2844 10 | |[1C004] |вольфрамові сплави з "матрицею" на |з 2844 20 | | |основі заліза, нікелю або міді, які|з 2844 30 | | |мають: |з 2844 40 | | | |8108 10 10 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |a) густину більше ніж | | | | 17,5 г/куб.см; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) межу пружності більше ніж | | | | 880 МПа; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) межу міцності на розрив більше | | | | ніж 1270 МПа; та | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) відносне подовження понад 8%. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.5. |Провідники з "надпровідних" | | |[1C005] |"композиційних матеріалів" | | | |завдовжки понад 100 м або масою | | | |понад 100 г: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) провідники з "надпровідних" |8112 99 30 00 | | | "композиційних матеріалів", що |8544 19 90 00 | | | містять одну або більше | | | | ніобієво-титанових ниток, які: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) укладені в "матрицю", іншу, ніж| | | | мідні "матриці" або комбіновані| | | | "матриці" з мідною основою; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) мають площу поперечного | | | | перерізу менш як | | | | -4 | | | | 0,28 х 10 кв.мм (6 мкм | | | | у діаметрі з круглим перерізом | | | | нитки); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) провідники з "надпровідних" |8544 19 90 00 | | | "композиційних матеріалів", які | | | | містять одну або більше | | | | "надпровідних" ниток, що | | | | виготовлені не з ніобій-титану, | | | | і мають: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) "критичну температуру" при | | | | нульовій магнітній індукції | | | | понад 9,85 K (-263,31 град.C); | | | | та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) залишаються у "надпровідному" | | | | стані при температурі 4,2 K | | | | (-268,96 град.C) у разі | | | | перебування в магнітному полі, | | | | яке зорієнтовано у будь-якому | | | | напрямку, перпендикулярному | | | | поздовжній вісі провідника, та | | | | відповідає магнітній індукції | | | | 12 Т, з критичною щільністю | | | | струму у найбільшому | | | | поперечному перерізі провідника| | | | понад 1750 А/кв.мм; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) провідники з "надпровідних" | | | | "композиційних матеріалів", які | | | | містять "надпровідні" нитки, що | | | | залишаються у "надпровідному" | | | | стані при температурі понад | | | | 115 K (-158,16 град.C). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Нитки, зазначені у позиції 1C005, можуть мати | |примітка. |форму дроту, циліндра, плівки, стрічки або смужки.| |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.6. |Рідини та мастильні матеріали: | | |[1C006] |-----------------------------------+--------------| | |a) гідравлічні рідини, що містять | | | | як основні складові компоненти | | | | будь-які з наведених нижче | | | | речовин або матеріалів: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) синтетичні кремнієво- | | | | вуглеводні мастила, які | | | | мають все з наведеного | | | | нижче: | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |Технічна |Для матеріалів, зазначених у |з 3404 | |примітка. |позиції 1.C.6.a.1, кремнієво- |3819 00 00 | | |вуглеводні мастила містять виключно| | | |кремній, водень та вуглець. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| | | a) температуру займання понад | | | | 477 K (204 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) температуру застигання 239 K | | | | (-34 град.C) або менше; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) коефіцієнт в'язкості 75 або | | | | більше; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) термостабільність при 616 K | | | | (343 град.C); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) хлорфторвуглецеві матеріали, у | | | | яких: | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |Технічна |Для матеріалів, зазначених у |з 2812 | |примітка. |позиції 1.C.6.a.2, хлорфторвуглеці |з 2826 | | |містять виключно хлор, фтор і |3824 71 00 00 | | |вуглець. |3824 90 95 00 | |-------------+-----------------------------------+--------------| | | a) відсутня температура займання;| | | |-----------------------------------+--------------| | | b) температура самозаймання понад| | | | 977 K (704 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) температура застигання 219 K | | | | (-54 град.C) або менше; | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) коефіцієнт в'язкості 80 або | | | | більше; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | e) температура кипіння 473 K | | | | (200 град.C) або вище. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Для матеріалів, наведених у позиції 1.C.6.a: | |примітка. | 1) температура займання визначається за методом | | | Клівлендської відкритої чаші, описаним у | | | стандартній методиці ASTM D-92 або в її | | | національному еквіваленті; | | | 2) температура застигання визначається за | | | методом, описаним в стандартній методиці | | | ASTM D-97 або в її національному еквіваленті; | | | 3) коефіцієнт в'язкості визначається за методом, | | | описаним в стандартній методиці ASTM D-2270 | | | або в її національному еквіваленті; | | | 4) термостабільність визначається за методикою | | | випробувань або в її національному | | | еквіваленті. | | | 20 мл випробуваної рідини заливають у камеру | | | об'ємом 46 мл з нержавіючої сталі марки 317, | | | що містить шари номінальним діаметром 12,5 мм | | | з інструментальної сталі марки M-10, сталі | | | марки 52100 та корабельної бронзи (60% Cu, | | | 39% Zn, 0,75% Sn). | | | Камера, продута азотом, загерметизована під | | | тиском, що дорівнює атмосферному, при | | | температурі, підвищеній до 644 +- 6 K | | | (371 +- 6 град.C) і витриманій на цьому рівні | | | 6 годин. | | | Зразок вважається термостабільним, якщо після | | | закінчення зазначеної процедури виконуються | | | такі умови: | | | a) втрата ваги кожного шару менш як 10 мг/кв.мм | | | його поверхні; | | | b) зміна початкової в'язкості, визначеної при | | | 311 K (38 град.C), менш як 25%; | | | c) загальне число кислотності або основності | | | менш як 0,40; | | | 5) температура самозаймання визначається за | | | методом, описаним у стандартній методиці | | | ASTM E-659 або в її національному еквіваленті.| |-------------+--------------------------------------------------| | |b) мастильні матеріали, що містять | | | |як основну складову будь-яку з | | | |наведених нижче речовин або | | | |матеріалів: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) феніленові або алкілфеніленові | | | | ефіри, тіоефіри або їх суміші, | | | | які містять більше ніж дві | | | | ефірні або тіоефірні функції | | | | або їх суміші; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) фторовані рідини, що містять |з 3403 | | | кремній і мають кінематичну | | | | в'язкість менш як 5000 кв.мм/с | | | | (5000 сантистоксів) при | | | | температурі 298 K | | | | (25 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) зволожувальні або флотаційні |2909 30 90 00 | | | рідини з показником чистоти |2930 90 30 00 | | | понад 99,8%, які містять менш |3824 90 95 00 | | | як 25 частинок розміром | | | | 200 мкм і більше на 100 мл | | | | об'єму і виготовлені принаймні | | | | на 85% з будь-яких наведених | | | | нижче речовин або матеріалів: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) дібромтетрафторетану; |3824 90 95 00 | | | |з 3910 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) поліхлортрифторетилену (лише | | | | маслянисті та воскоподібні | | | | модифікації); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) полібромтрифторетилену; |2903 46 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |d) фторвуглецеві охолодні рідини |3904 69 10 00 | | | для електроніки, що мають усі |3904 69 90 00 | | | наведені нижче характеристики: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) містять 85 вагових % або більше|3904 69 10 00 | | | однієї з наведених нижче |3904 69 90 00 | | | речовин чи суміші з них: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) мономерні форми |3824 90 95 00 | | | перфторполіалкілефір- | | | | тріазинів або | | | | перфтораліфатичних ефірів; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) перфторалкіламіни; |з 2909 | | |-----------------------------------+--------------| | | c) перфторциклоалкани; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) перфторалкани; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) густина 1,5 г/мл або більше при| | | | температурі 298 K | | | | (25 град.C); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) рідкий стан при температурі | | | | 273 K (0 град.C); та | | | |-----------------------------------+--------------| | |4) містять 60 вагових % або більше | | | |фтору. | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|1.C.7. |Матеріали на керамічній основі, | | |[1C007] |керамічні некомпозиційні | | | |матеріали, матеріали типу | | | |"композит" з керамічною "матрицею",| | | |а також прекурсори: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) основні матеріали з простих або |2850 00 90 00 | | | складних боридів титану, які | | | | містять металеві домішки, крім | | | | навмисних домішок, на рівні менш| | | | як 5000 частинок на мільйон при | | | | середньому розмірі частинки, що | | | | дорівнює або менший ніж 5 мкм, | | | | при цьому не більше ніж 10% | | | | частинок розміром понад 10 мкм; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) керамічні некомпозиційні |2850 00 90 00 | | | матеріали у необробленій формі | | | | або у формі напівфабрикатів на | | | | основі боридів титану з густиною| | | | 98% або більше теоретичної | | | | густини; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.7.b контролю не підлягають | | |абразиви. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) "композиційні матеріали" типу |з 2849, | | | кераміка-кераміка із скляною або|з 2850 00, | | | оксидною "матрицею" та армовані |8803 90 10 00 | | | волокнами, які: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) виготовлені з будь-якого |з 9306 90 | | | наведеного нижче | | | | матеріалу: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) Si-N | | | | b) Si-C | | | | c) Si-Al-O-N або | | | | d) Si-O-N та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) мають питому межу міцності при | | | | 3 | | | | розтягу понад 12,7 х 10 м. | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) "композиційні матеріали" типу |8803 90 10 00 | | | кераміка-кераміка з однорідної |з 9306 90 | | | металевої фази або без неї, що | | | | включає частинки, вуса | | | | (ниткоподібні монокристали) або | | | | волокна, в яких "матриця" | | | | сформована з карбідів або | | | | нітридів кремнію, цирконію | | | | або бору; | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) прекурсори (тобто полімерні або |з 3910 00 00 | | | металоорганічні спеціального | | | | призначення) для виробництва | | | | будь-якої фази або фаз | | | | матеріалів, що підлягають | | | | контролю відповідно до | | | | позиції 1.C.7.c: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) полідіорганосилани (для | | | | виробництва карбіду кремнію); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) полісилазани (для виробництва | | | | нітриду кремнію); | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) полікарбосилазани (для | | | | виробництва кераміки з | | | | кремнієвими, вуглецевими та | | | | азотними компонентами); | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) "композиційні матеріали" типу |з 6903, | | | кераміка-кераміка з оксидною або|6914 90 90 00 | | | скляною "матрицею", армованою | | | | однорідними волокнами будь-якої | | | | з наведених нижче систем: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) Al O ; або | | | | 2 3 | | | | 2) Si-C-N. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.7.f контролю не підлягають | | |"композиційні матеріали", що мають волокна з таких| | |систем з межею міцності при розтягу менш як | | |700 МПа при 1273 K (1000 град.C) або опору | | |повзучості розриву волокон понад 1% напруги | | |повзучості при навантаженні 100 МПа | | |та 1273 K (1000 град.C) протягом 100 годин. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.8. |Нефторовані полімерні речовини: | | |[1C008] | | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.8.a. |1) бісмалеіміди; |2925 19 30 00 | | |-----------------------------------|2925 19 80 00 | | |2) ароматичні поліамідіміди; |3908 90 00 00 | | |-----------------------------------|3909 30 00 00 | | |3) ароматичні полііміди; |3907 20 91 00 | | |-----------------------------------|3907 91 90 00 | | |4) ароматичні поліефіріміди, які | | | |мають температуру переходу в | | | |склоподібний стан (Tg) понад 513 K | | | |(240 град.C). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.8.a контролю підлягають | | |речовини у рідкій або твердій "плавкій" формі, у | | |тому числі у формі смоли, порошку, котуна, плівки,| | |листа, стрічки або смужки. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо виробів з неплавкого ароматичного полііміду, | |примітка. |які мають форму плівки, листа, стрічки або смужки | | |див. позицію 1.A.3. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.8.b. |Термопластичні рідкокристалічні | | | |сополімери, які мають температуру | | | |теплової деформації понад 523 K | | | |(250 град.C), виміряну відповідно | | | |до стандартної методики ISO 75-2 | | | |(2004) або її національного | | | |еквівалента, під час навантаження | | | |1,80 Н/кв.мм, і утворені | | | |сполученням: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) будь-яким з наведених нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) фенілену, біфенілену або |3907 91 90 00 | | | нафталену; або | | | | b) метилу, третинного бутилу або | | | | феніл-заміщеного фенілену, | | | | біфенілену або нафталену; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) будь-якою з наведених нижче | | | | кислот: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) терефталевою; | | | | b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або | | | | c) 4-гідроксибензойною. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.8.c. |Виключено; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.8.d. |Поліариленові кетони; |з 3907 99 | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.8.e. |Поліариленові сульфіди, в яких |з 3911 90 | | |ариленова група є біфеніленом, | | | |трифеніленом, або їх комбінацією; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.8.f. |Полібіфеніленефірсульфон, який має |з 3911 90 | | |температуру переходу до | | | |склоподібного стану (Tg) понад | | | |513 K (240 град.C). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Температура переходу до склоподібного стану (Tg) | |примітка. |для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.8, | | |визначається за методом, описаним у стандарті | | |ISO 11357-2 (1999) або його національному | | |еквіваленті. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.9. |Необроблені сполуки, що містять | | |[1C009] |фтор: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) сополімери вініліденфториду, які|3904 69 10 00 | | | містять 75% або більше бета- |3904 60 90 00 | | | кристалічної структури, | | | | одержаної без витягування; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) фтористі поліаміди, які містять |3904 69 10 00 | | | 10 вагових % або більше |3904 60 90 00 | | | "зв'язаного" фтору; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) фтористі фосфазинові еластоміри,|3904 69 10 00 | | | які містять 30 вагових % або |3904 60 90 00 | | | більше зв'язаного фтору. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.10. |"Волокнисті або ниткоподібні | | |[1C010] |матеріали", що можуть бути | | | |використані в органічних | | | |"матрицях", металевих "матрицях" | | | |або вуглецевих "матрицях", | | | |"композиційних" або багатошарових | | | |структурах: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) органічні "волокнисті або |з 3916 | | | ниткоподібні матеріали", у яких:|з 3926 | | | |6815 10 10 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) питомий модуль пружності понад | | | | 6 | | | | 12,7 х 10 м; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) питома межа міцності при | | | | розтягу понад | | | | 4 | | | | 23,5 х 10 м. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.a контролю не підлягає | | |поліетилен. | |-------------+--------------------------------------------------|

| |b) вуглецеві "волокнисті або |з 3801 | | | ниткоподібні матеріали", у яких:|з 3916 | | | |з 3926 | | | |6815 10 10 00 | | | |6903 10 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) питомий модуль пружності понад | | | | 6 | | | | 12,7 х 10 м; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) питома межа міцності при | | | | 4 | | | | розтягу понад 23,5 х 10 м. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.b контролю не підлягають | | |тканини, виготовлені з "волокнистих або | | |ниткоподібних матеріалів" для ремонту структур або| | |ламінатів "цивільних літальних апаратів", розмір | | |окремих листів яких не перевищує 100 х 100 см. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Властивості матеріалів, зазначених у позиції | |примітка. |1.C.10.b, повинні визначатися за методами | | |SRM 12-17, рекомендованими Асоціацією | | |постачальників перспективних "композиційних | | |матеріалів" (SACMA), ISO 10618 (2004) 10.2.1 | | |Метод А або їх національними еквівалентами | | |випробувань на розтяг та базуються на | | |середній якості партії. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) неорганічні "волокнисті або |з 3926 | | | ниткоподібні матеріали", у яких:|6815 10 10 00 | | | |8101 92 00 00 | | | |8108 90 30 00 | | | |8108 90 70 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) питомий модуль пружності понад | | | | 6 | | | | 2,54 х 10 м; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) температура плавлення, | | | | розм'якшування, розкладу або | | | | сублімації понад 1922 K | | | | (1649 град.C) в інертному | | | | середовищі. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.c контролю не підлягають:| | |a) дискретні, багатофазні, полікристалічні волокна| | |оксиду алюмінію у вигляді переривного волокна або | | |в довільній сплутаній формі, що мають 3 або більше| | |вагових % діоксиду кремнію з питомим модулем | | | 6 | | |пружності менш як 10 х 10 м; | | |b) волокна молібденові або з молібденових сплавів;| | |c) волокна на основі бору; | | |d) дискретні керамічні волокна з температурою | | |плавлення, розм'якшення, розкладу та сублімації | | |нижче 2043 K (1770 град.C) в інертному середовищі.| |-------------+--------------------------------------------------| | |d) "волокнисті або ниткоподібні |з 3926 | | | матеріали": |5402 49 99 00 | | | |5501 90 10 00 | | | |5501 90 90 00 | | | |5503 90 90 00 | | | |6815 10 10 00 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) які мають будь-яку з наведених | | | | нижче складових: | | | |-----------------------------------+--------------| | | а) поліефіріміди, що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 1.C.8.a; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) матеріали, що підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 1.C.8.b - 1.C.8.f; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) до складу яких входять | | | | матеріали, що підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 1.C.10.d.1.a або 1.C.10.d.1.b, | | | | та "сплутані" з іншими | | | | волокнами, що підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 1.C.10.a, 1.C.10.b або | | | | 1.C.10.c; | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) волокна, насичені смолою або |6815 10 10 00 | | | пеком (препреги), металеві або |6815 99 90 00 | | | покриті вуглецем волокна |6903 10 00 00 | | | ("преформи") або "преформи |з 7019 11 00 | | | вуглецевого волокна": |з 7019 10 | | | |з 7019 20 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) виготовлені з "волокнистих або | | | | ниткоподібних матеріалів", що | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b | | | | або 1.C.10.c; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) виготовлені з органічних або | | | | вуглецевих "волокнистих або | | | | ниткоподібних матеріалів": | | | |-----------------------------------+--------------| | | а) з питомою межею міцності при | | | | 4 | | | | розтягу понад 17,7 х 10 м; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) з питомим модулем пружності | | | | 6 | | | | понад 10,15 х 10 м; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) не підлягають контролю згідно | | | | з позиціями 1.C.10.а або | | | | 1.C.10.b; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) насичені матеріалами, що |з 3916 | | | підлягають контролю згідно з |6815 10 10 00 | | | позиціями 1.C.8 або 1.C.9.b, | | | | і мають температуру переходу | | | | до склоподібного стану (Tg) | | | | понад 383 K (110 град.C), або | | | | з фенольною чи епоксидною | | | | смолами, які мають Tg, що | | | | дорівнює або перевищує 418 K | | | | (145 град.C). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітки. |Згідно з позицією 1.C.10.e контролю не підлягають:| | |1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні | | |матеріали", імпрегновані у "матрицю" з епоксидної | | |смоли (препреги) для ремонту структур або | | |ламінатів "цивільних літальних апаратів", у яких | | |розмір окремих листів препрега не перевищує | | |100 х 100 см; | | |2) препреги, насичені фенольною або епоксидною | | |смолами, які мають Tg менш як 433 K (160 град.C) | | |та температуру переходу до склоподібного стану | | |нижче Tg. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Температура переходу до склоподібного стану (Tg) | |примітка. |для матеріалів, що підлягають контролю згідно з | | |позицією 1.C.10.e, визначається за методом, | | |описаним в ASTM D 3418, із застосуванням сухого | | |методу. Tg для фенольних та епоксидних смол | | |визначається за методом, описаним в ASTM D 4065, | | |при частоті 1 Гц та швидкості нагрівання 2 K | | |(град.C) за хвилину із застосуванням сухого | | |методу. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.11. |Метали та сполуки: | | |[1C011] |-----------------------------------+--------------| | |a) метали з розміром частинок менш |8104 30 00 00 | | | як 60 мкм, які мають сферичну, |8109 10 10 00 | | | розпилену, сфероїдальну, | | | | розшаровану або молоту форму, | | | | виготовлені з матеріалу, що на | | | | 99% або більше складається з | | | | цирконію, магнію або сплавів | | | | з них; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, | | |підлягають контролю згідно з цією позицією | | |незалежно від того, чи ці метали або сплави | | |інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або | | |берилій, чи ні. | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Природний вміст гафнію в цирконії (типово від 2 | |примітка. |до 7%) підраховується з урахуванням цирконію. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) бор або карбід бору чистотою 85%|2804 50 10 00 | | | або вище та розміром частинок |2849 90 10 00 | | | 60 мкм або менше; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, | | |підлягають контролю згідно з цією позицією | | |незалежно від того, чи ці метали або сплави | | |інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або | | |берилій, чи ні. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) нітрат гуанідину; |2925 20 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |d) нітрогуанідин (NQ) |2929 90 00 00 | | | (CAS 556-88-7). | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.12.* |Матеріали: | | |[1C012] | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за | |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| |Технічна |Такі матеріали типово використовуються для ядерних| |примітка. |джерел теплоти. | |-------------+--------------------------------------------------| | |a) плутоній у будь-якому вигляді з |2844 20 51 00 | | | вмістом ізотопу плутонію-238, що|2844 20 59 00 | | | більше ніж 50 вагових %; |2844 20 81 00 | | | |2844 20 89 00 | |-------------+--------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.а контролю не підлягають:| | | 1) передача одного грама або менше плутонію; | | | 2) передача трьох або менше "ефективних грамів", | | | що використовуються як чутливі елементи у | | | приладах. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) "попередньо розподілений" |з 2844 40 | | | нептуній-237 у будь-якому | | | | вигляді. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.b контролю не підлягає | | |передача одного грама або менше нептунію-237. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.C.13.* |Матеріали, які за своїми | | | |властивостями можуть бути | | | |використані у терористичних цілях: | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за | |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| |1.C.13.a. |Промислові вибухові речовини та їх | | | |компоненти, у тому числі: | | |----------------------------------------------------------------| | |1) азиди металів, а також вибухові |2850 00 50 00 | | |речовини або капсульні композиції, |3602 00 00 00 | | |що містять азиди чи комплекси |3603 00 10 00 | | |азидів; |3603 00 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |2) азотна кислота з концентрацією |2808 00 00 00 | | |більше ніж 95%; | | | |-----------------------------------+--------------| | |3) гексанітродифеніламін; |2921 44 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |4) діетилдифенілсечовина, |2924 10 00 00 | | |диметилдифенілсечовина, | | | |метилетилдифенілсечовина | | | |(централіти); | | | |-----------------------------------+--------------| | |5) діоктилмалеат; |2917 19 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |6) димний (чорний) порох; |3601 00 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |7) динітропропанол; |2905 50 10 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |8) дифторамін; |2826 19 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |9) етилендіаміндинітрат (EDDN); |2921 21 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |10) етил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 | | |(несиметрична | | | |етилдифенілсечовина); | | | |-----------------------------------+--------------| | |11) емульсійні вибухові речовини, |3602 00 00 00 | | |виготовлені з водних розчинів | | | |нітратів лужних металів, | | | |емульсованих у мінеральних оліях; | | | |-----------------------------------+--------------| | |12) мисливські та інші порохи, що |3601 00 00 00 | | |мають сталу швидкість горіння понад| | | |38 мм/с за нормальних умов (тиск | | | |6,89 МПа, температура 294 K | | | |(21 град.C), включаючи | | | |нітроцелюлозні порохи, | | | |в тому числі двоосновні; | | | |-----------------------------------+--------------| | |13) метил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 | | |(несиметрична | | | |етилдифенілсечовина); | | | |-----------------------------------+--------------| | |14) нітрат калію; |2834 21 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |15) нітрогліцерин (або |2905 50 99 00 | | |гліцеринтринітрат, | | | |тринітрогліцерин); | | | |-----------------------------------+--------------| | |16) нітрокрохмаль; |3505 10 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |17) нітроцелюлоза; |3912 20 19 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |18) пентаеритриттетранітрат |2920 90 85 00 | | |(PETN); | | | |-----------------------------------+--------------| | |19) пероксид водню з концентрацією |2847 00 00 00 | | |більше ніж 85%; | | | |-----------------------------------+--------------| | |20) перхлорати та хлорати металів |з 2829 | | |(без амонію); | | | |-----------------------------------+--------------| | |21) пікрат амонію; |2908 90 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |22) пікрат калію; |2908 90 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |23) N-піролідинон; 1-метил-2- |2933 90 95 00 | | |піролідинон; | | | |-----------------------------------+--------------| | |24) N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 | | |(несиметрична | | | |метилдифенілсечовина); | | | |-----------------------------------+--------------| | |25) стифнати металів; |2908 90 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |26) тетранітронафталін; |2904 20 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |27) триетилалюміній (ТЕА), |2931 00 95 30 | | |триметилалюміній (ТМА) та інші |2931 00 95 90 | | |пірофорні алкілові та арилові |з 3606 90 | | |похідні літію, натрію, магнію, | | | |цинку і бору; | | | |-----------------------------------+--------------| | |28) триетиленглікольдинітрат |2909 19 00 90 | | |(TEGDN); | | | |-----------------------------------+--------------| | |29) тринітроанізол; |2904 20 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |30) тринітроксилол; |2904 20 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |31) тринітронафталін; |2904 20 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |32) тринітрофенол (пікринова |2908 90 00 00 | | |кислота); | | | |-----------------------------------+--------------| | |33) 2,4,6-тринітрорезорцин |2908 90 00 00 | | |(стифнінова кислота); | | | |-----------------------------------+--------------| | |34) 2,4,6-тринітротолуол (TNT); |2904 20 10 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |35) 2-нітродифеніламін (2-NDPA); |2921 44 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |36) 4-нітродифеніламін (4-NDPA); |2921 44 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |37) хлортрифторид. |2812 90 00 00 | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.C.13.b. |Токсичні хімічні речовини та | | | |сполуки: | | | |-----------------------------------+--------------| | |1) акролеїн (альдегід акрилової |2912 19 00 00 | | |кислоти) (CAS 107-02-8); | | | |-----------------------------------+--------------| | |2) арсин (миш'яковистий водень) |2850 00 10 00 | | |(CAS 7784-42-1); | | | |-----------------------------------+--------------| | |3) бромацетофенон (CAS 70-11-1); |2914 70 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |4) бромацетон (CAS 598-31-2); |2914 70 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |5) бромціан (CAS 506-68-3); |2851 00 80 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |6) бензилбромід (CAS 100-39-0); |2903 69 90 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |7) бензилйодид (CAS 620-05-3); |2903 69 90 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |8) брометилетилкетон |2914 70 90 00 | | |(CAS 816-40-0); | | | |-----------------------------------+--------------| | |9) бутилтрифторсилан; |2931 00 95 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |10) дигідрофенарсазинхлорид |2931 00 95 90 | | |(адамсит) (CAS 578-94-8); | | | |-----------------------------------+--------------| | |11) дифенілхлорарсин |2931 00 95 90 | | |(CAS 712-48-1); | | | |-----------------------------------+--------------| | |12) дифенілціанарсин; |2931 00 95 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |13) етилбромацетат (CAS 105-36-2); |2915 90 80 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |14) етилйодацетат (CAS 623-48-3); |2915 90 80 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |15) йодацетон (CAS 3019-04-3); |2914 70 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |16) ксилілбромід (CAS 89-92-9; |2903 69 90 90 | | |620-13-3; 104-81-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | |17) кротоновий альдегід |2912 29 00 00 | | |(CAS 123-73-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | |18) пропілтрифторсилан; |2931 00 95 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |19) трихлортриетиламін |2921 19 80 00 | | |(CAS 817-09-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | |20) трихлорметилхлорформіат |2915 90 20 00 | | |(дифосген) (CAS 503-38-8); | | | |-----------------------------------+--------------| | |21) хлор (CAS 7782-50-5); |2801 10 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |22) хлорангідрид метан |2904 90 20 00 | | |сульфокислоти (CAS 124-63-0); | | | |-----------------------------------+--------------| | |23) хлорангідрид бензойної кислоти |2916 39 00 90 | | |(CAS 98-88-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | |24) хлорангідрид 2-фуранової |2932 99 90 00 | | |кислоти (CAS 527-69-5); | | | |-----------------------------------+--------------| | |25) хлорацетон (CAS 78-95-5); |2914 70 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |26) хлорацетофенон (CAS 532-27-4); |2914 70 90 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |27) фосфін (фосфористий водень) |2850 00 10 00 | | |(CAS 7803-51-2); | | | |-----------------------------------+--------------| | |28) 2-бромбензилціанід |2929 90 99 90 | | |(CAS 19472-74-3); | | | |-----------------------------------+--------------| | |29) 3-бромбензилціанід |2929 90 99 90 | | |(CAS 31938-07-5); | | | |-----------------------------------+--------------| | |30) 4-бромбензилціанід |2929 90 99 90 | | |(CAS 16532-79-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | |31) 8-метил-N-ванілін-6-ноненамід |2939 90 90 00 | | |(капсацин) (CAS 404-86-4). | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|1.C.13.c.* |Будь-які окремі чи у складі інших |з 2844, 2845 | | |виробів джерела іонізуючого | | | |випромінювання з періодом | | | |напіврозпаду більше ніж 5 років, | | | |які мають активність більше ніж | | | | 12 | | | |3,7 х 10 Бк. | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт| |(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до| |Держекспортконтролю подається позитивний висновок| |Держатомрегулювання. | |----------------------------------------------------------------| |Примітка. |Імпорт та тимчасове ввезення товарів, які | | |визначені в позиції 1.C.13.c, здійснюються за | | |дозволами Держекспортконтролю, які надаються за | | |наявності позитивних висновків Держатомрегулювання| | |щодо дотримання імпортером вимог, передбачених для| | |ввезення заявлених товарів на територію України. | | |Вимоги визначаються Держатомрегулювання в | | |установленому порядку. | |-------------+--------------------------------------------------| | |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.D. |1) "програмне забезпечення", |з 8524 | | |спеціально призначене або |з 8471 70 | | |модифіковане для "розроблення", | | | |"виробництва" або "використання" | | | |обладнання, що підлягає контролю | | | |згідно з позицією 1.b; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |[1D001] |2) "програмне забезпечення" для |з 8524 | | |"розроблення" "композиційних" або |з 8471 70 | | |багатошарових структур з органічною| | | |"матрицею", металевою "матрицею" | | | |або вуглецевою "матрицею"; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |[1D002] |3) "програмне забезпечення", | | | |спеціально призначене або | | | |модифіковане для забезпечення | | | |виконання обладнанням функцій | | | |обладнання, яке підлягає контролю | | | |згідно з позиціями 1.A.4.c та | | | |1.A.4.d; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |[1D003] |4) "програмне забезпечення", |з 8524 | | |спеціально призначене для |з 8471 70 | | |"розроблення", "виробництва" або | | | |"використання" промислових | | | |вибухових речовин та їх | | | |компонентів, зазначених у позиції | | | |1.C.13.a. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.E. |ТЕХНОЛОГІЯ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |1.E.1.* |"Технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, | |[1E001] |особливих приміток для |з 3706, 8524, | | |"розроблення" або "виробництва" |4901 99 00 00 | | |обладнання чи матеріалів, які |4906 00 00 00 | | |підлягають контролю згідно з | | | |позиціями 1.A.1.b, 1.A.1.c, | | | |1.A.2 - 1.A.5, 1.A.6.b, 1.A.7, 1.B | | | |або 1.C. | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Імпорт "технології" відповідно до пункту 1 особливих| |приміток для "розроблення" або "виробництва" матеріалів, які| |підлягають контролю згідно з позицією 1.C.12, здійснюється| |за дозволом Держекспортконтролю. | |----------------------------------------------------------------| |1.E.2. |Інші "технології", наведені нижче: |з 3705, | |[1E002] | |з 3706, 8524, | | | |з 8471 70 | | | |4901 99 00 00 | | | |4906 00 00 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |a) "технологія" для "розроблення" | | | | або "виробництва" | | | | полібензотіазолів чи | | | | полібензоксазолів; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) "технологія" для "розроблення" | | | | або "виробництва" сполук | | | | фтореластомірів, що містять | | | | принаймні один мономер | | | | вінілефіру; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) "технологія" для "розроблення" | | | | або "виробництва" матеріалів для| | | | основ або керамічних матеріалів,| | | | що не належать до "композиційних| | | | матеріалів": | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) матеріали основи, що мають | | | | наведені нижче характеристики: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) будь-яка з наведених нижче | | | | композицій: | | | | 1) простих або комплексних | | | | оксидів цирконію і | | | | комплексних оксидів | | | | кремнію або алюмінію; | | | | 2) простих нітридів бору (з | | | | кубічними формами кристалів);| | | | 3) простих або комплексних | | | | карбідів кремнію або бору; | | | | або | | | | 4) простих або комплексних | | | | нітридів кремнію; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) сумарний вміст металевих | | | | домішок за винятком тих, | | | | які вносяться навмисно: | | | | 1) менш як 1000 частинок на | | | | мільйон для простих оксидів | | | | або карбідів; або | | | | 2) менш як 5000 частинок на | | | | мільйон для комплексних | | | | сполук або простих | | | | нітридів; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) будь-що з наведеного нижче: | | | | 1) цирконій із середнім розміром| | | | частинок, що дорівнює або | | | | менший ніж 1 мкм, при цьому | | | | не більше ніж 10% частинок | | | | розміром понад 5 мкм; | | | | 2) інші матеріали основи із | | | | середнім розміром частинок, | | | | що дорівнює або менший ніж | | | | 5 мкм, при цьому не більше | | | | ніж 10% частинок розміром | | | | понад 10 мкм; або | | | | 3) мають будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | | a) пластинки з відношенням | | | | довжини до товщини, що | | | | перевищує 5; | | | | b) ниткоподібні монокристали з | | | | відношенням довжини до | | | | діаметра, що для діаметрів | | | | менш як 2 мкм перевищує 10; | | | | та | | | | c) непереривчасті або дискретні| | | | волокна діаметром менш | | | | як 10 мкм; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) керамічні некомпозиційні | | | | матеріали, що складаються | | | | з матеріалів, зазначених | | | | у позиції 1.E.2.c.1; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.c.2 контролю не підлягає | | |технологія розроблення або виробництва абразивів. | |-------------+--------------------------------------------------| | |d) "технологія" для "виробництва" | | | | ароматичних поліамідних волокон;| | | |-----------------------------------+--------------| | |e) "технологія" для складання, | | | | обслуговування та відновлення | | | | матеріалів, що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 1.C.1; | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) "технологія" для відновлення | | | | "композиційних" багатошарових | | | | структур або матеріалів, які | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або | | | | 1.C.7.d; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не підлягає | | |"технологія" проведення ремонту матеріалів для | | |"цивільних літальних апаратів", під час якого | | |використовуються вуглецеві "волокнисті або | | |ниткоподібні матеріали" та епоксидні смоли, | | |описані в посібниках виробників авіатехніки. | |-------------+--------------------------------------------------| | |g) бібліотеки (параметричні | | | | технічні бази даних) (parametric| | | | technical databases), спеціально| | | | призначені або модифіковані для | | | | забезпечення виконання | | | | обладнанням функцій обладнання, | | | | яке підлягає контролю згідно | | | | з позицією 1.A.4.c. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |У позиції 1.E.2.g термін "бібліотека" | |примітка. |(параметрична технічна база даних) означає | | |сукупність технічної інформації, посилання на яку | | |може удосконалювати робочі характеристики | | |відповідного обладнання або систем. | |-------------+--------------------------------------------------| |1.E.3. |"Послуги та роботи" (відповідно до | | | |особливої примітки щодо послуг та | | | |робіт) стосовно товарів подвійного | | | |використання, зазначених у позиціях| | | |1.A, 1.B, 1.C, 1.D або 1.E. | | | |--------------------------------------------------| | | Додаток до позиції 1.A.8 розділу 1| | |--------------------------------------------------| | | Список вибухових речовин | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|1) |амінодинітробензофуроксан (ADNBF) |2933 90 95 90 | | |або 7-аміно-4,6- | | | |динітробензофуразан-1-оксид | | | |(CAS 97096-78-1); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2) |цис-біс (5-нітротетразолато) |2829 90 10 00 | | |тетраамін-кобальт (III) перхлорат | | | |(BNCP) (CAS 117412-28-9); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |3) |діамінодинітробензофуроксан або |2933 90 95 90 | | |5,7-діаміно-4,6- | | | |динітробензофуразан-1-оксид (CL-14)| | | |(CAS 117907-74-1); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |4) |гексанітрогексаазаізовюрцитан (CAS |2933 90 95 90 | | |135285-90-4) (CL-20 або HNIW); | | | |клатрати CL-20; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |5) |2-(5-ціанотетразолато) пентаамін- |2829 90 10 00 | | |кобальт (III) перхлорат (CP) | | | |(CAS 70247-32-4); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |6) |1,1-діаміно-2,2-дінітроетилен, | | | |FOX7 (DADE); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |7) |діамінотринітробензол (DATB) |2929 90 00 00 | | |(CAS 1630-08-6); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |8) |1,4-динітродифуразанопіперазин | | | |(DDFP); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |9) |2,6-діаміно-3,5-динітропіразин-1- | | | |оксид, PZO (DDPO) | | | |(CAS 194486-77-6); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |10) |3,3'-діаміно-2,2',4,4',6,6'- |2929 90 00 00 | | |гексанітродифеніл або дипікрамід | | | |(DIPAM) (CAS 17215-44-0); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |11) |динітрогліколурил (DNGU, DINGU) |2933 90 95 00 | | |(CAS 55510-04-8) | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |12) |фуразани: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) діаміноазоксифуразан (DAAOF); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) діаміноазофуразан (DAAzF) | | | |(CAS 78644-90-3); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |13) |HMX та його похідні: |2933 69 80 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |a) циклотетраметилентетранітрамін | | | |(CAS 2691-41-0) (HMX); октагідро- | | | |1,3,5,7-тетранітро-1,3,5,7- | | | |тетразин, 1,3,5,7-тетранітро- | | | |1,3,5,7-тетразациклооктан | | | |(октоген); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) дифтораміновані аналоги HMX; |2933 90 95 90 | | |-----------------------------------+--------------| | |c) 2,4,6,8-тетранітро-2,4,6,8- | | | |тетраазабіцикло-[3,3,0]-октанон-3, | | | |тетранітросемигліколурил або | | | |кетобіциклічний НМХ (K-55) | | | |(CAS 130256-72-3); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |14) |гексанітроадамантан (HNAD) | | | |(CAS 143850-71-9); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |15) |гексанітростильбен (HNS) |2929 90 00 00 | | |(CAS 20062-22-0); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |16) |імідазоли: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) октагідро-2,5-біс (нітроаміно) | | | |імідазо [4,5-d] імідазол (BNNII); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) 2,4-динітроімідазол (DNI) | | | |(CAS 5213-49-0); | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) 1-фторо-2,4-динітроімідазол | | | |(FDIA); | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) N-(2-нітротриазол)-2,4- | | | |динітроімідазол (NTDNIA); | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) 1-пікрил-2,4,5-тринітроімідазол | | | |(PTIA); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |17) |1-(2 нітротриазол)-2- | | | |динітрометиленгідразин (NTNMH); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |18) |3-нітро-1,2,4-триазол-5-он (NTO або|2933 69 80 00 | | |ONTA) (CAS 932-64-9); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |19) |полінітрокубани з більш як чотирма |2929 90 00 00 | | |нітрогрупами; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |20) |2,6-біс (пікриламіно)-3,5- |2933 39 95 00 | | |динітропіридин (PYX) | | | |(CAS 38082-89-2); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |21) |циклотриметилентринітрамін (RDX) та| | | |його похідні: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) циклотриметилентринітрамін (RDX)|2933 69 10 00 | | |циклоніт; T4; гексагідро-1,3,5- | | | |тринітро-1,3,5-триазин; 1,3,5- | | | |тринітро-1,3,5-триазациклогексан | | | |(гексоген) (CAS 121-82-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) 2,4,6-тринітро-2,4,6- |2933 90 95 90 | | |триазациклогексанон (K-6 або кето- | | | |RDX) (CAS 115029-35-1); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |22) |триаміногуанідиннітрат (TAGN) |2925 20 00 00 | | |(CAS 4000-16-2); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |23) |триамінотринітробензол (TATB) |2929 90 00 00 | | |(CAS 3058-38-6); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |24) |3,3,7,7-тетрабіс(дифторамін) | | | |октагідро-1,5-динітро-1,5-діазоцин | | | |(TEDDZ); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |25) |тетразоли: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) нітротриазоламінотетразол | | | |(NTAT); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) 1-N-(2-нітротриазоло)-4- | | | |нітротетразол (NTNT); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |26) |тринітрофенілметилнітрамін (тетрил)|2929 90 00 00 | | |(CAS 479-45-8); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |27) |1,4,5,8-тетранітро-1,4,5,8- |2933 90 95 90 | | |тетраазадекалін (TNAD) | | | |(CAS 135877-16-6); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |28) |1,1,3-тринітроазетидин (TNAZ) |2933 90 95 90 | | |(CAS 97645-24-4) | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |29) |тетранітрогліколурил (TNGU, |2933 90 95 00 | | |SORGUYL) (CAS 55510-03-7); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |30) |1,4,5,8-тетранітро-пирідазино | | | |[4,5-d] пирідазин (TNP) | | | |(CAS 229176-04-9); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |31) |триазини: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) 2-оксі-4,6-дінітроаміно-s- | | | |триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) 2-нітроіміно-5-нітро-гексагідро-| | | |1,3,5-триазин (NNHT) | | | |(CAS 130400-13-4); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |32) |триазоли: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) 5-азидо-2-нітротриазол; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) 4-аміно-3,5-дигідрозино-1,2,4- | | | |триазолдинітрамід (ADHTDN) | | | |(CAS 1614-08-0); | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) 1-аміно-3,5-динітро-1,2,4- | | | |триазол (ADNT); | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) [біс-динітротриазол]амін | | | |(BDNTA); | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) 3,3'-динітро-5,5-біс-1,2,4- | | | |триазол (DBT) (CAS 30003-46-4); | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) динітробістриазол (DNBT) | | | |(CAS 70890-46-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | |g) 2-нітротриазол 5-динітрамід | | | |(NTDNA) (CAS 75394-84-9); | | | |-----------------------------------+--------------| | |h) 1-N-(2-нітротриазол) | | | |3,5-динітротриазол (NTDNT); | | | |-----------------------------------+--------------| | |i) 1-пікрил-3,5-динітротриазол | | | |(PDNT); | | | |-----------------------------------+--------------| | |j) | | | |тетранітробензотриазолобензотриазол| | | |(TACOT) (CAS 25243-36-1); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |33) |не зазначені у цьому списку | | | |вибухові речовини із швидкістю | | | |детонації понад 8700 м/с при | | | |максимальній щільності або | | | |детонаційному тиску понад 34 ГПа | | | |(340 кбар); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |34) |інші органічні вибухові речовини, | | | |не зазначені в цьому списку, що | | | |створюють детонаційний тиск 25 ГПа | | | |(250 кбар) або більше і не | | | |змінюються при температурі | | | |250 град.C або вище протягом | | | |5 хвилин і довше; | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|35) |нітроцелюлоза (що містить більше | | | |ніж 12,5% азоту); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |36) |нітрогліколь; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |37) |пентаеритриттетранітрат (PETN); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |38) |пікрилхлорид; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |39) |2,4,6-тринітротолуол (TNT); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |40) |нітрогліцерин (NG); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |41) |триперикісь триацетона (TATP); | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |42) |нітрат гуанідина; | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |43) |нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7). | | ------------------------------------------------------------------

Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2. |ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Підшипники плавного ходу визначені у позиції ML9 | |примітка. |Списку товарів військового призначення, міжнародні| | |передачі яких підлягають державному контролю, | | |затвердженого постановою Кабінету Міністрів | | |України від 20 листопада 2003 р. N 1807. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.A.1. |Антифрикційні підшипники, системи | | |[2A001] |підшипників та їх "компоненти": | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1 контролю не підлягають | | |кулькові підшипники з допусками на кульки, | | |встановленими виробниками відповідно до | | |міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5 або | | |нижче. | |-------------+--------------------------------------------------| | |a) кулькові та твердороликові |8482 10 90 00 | | | підшипники, які мають усі |8482 50 00 00 | | | допуски, установлені виробником | | | | відповідно до класу точності 4 | | | | згідно з міжнародним стандартом | | | | ISO 492 (або класу точності | | | | ABEC-7 чи RBEC-7 згідно із | | | | стандартом ANSI/ABMA Std 20, | | | | або іншими національними | | | | еквівалентами) або краще, у яких| | | | кільця, шарики і ролики | | | | (ISO 5593) виготовлені з | | | | нікелево-мідного сплаву або | | | | берилію; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не підлягають | | |конічні роликові підшипники. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) інші кулькові та твердороликові |8482 80 00 00 | | | підшипники, які мають допуски, | | | | установлені виробником | | | | відповідно до міжнародного | | | | стандарту ISO492 класу допуску 2| | | | (або ANSI/ABMA Std 20 класу | | | | допуску ABEC-9 чи RBEC-9, | | | | інших національних еквівалентів)| | | | або краще; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не підлягають | | |конічні роликові підшипники. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) активні магнітні підшипникові |8483 30 10 00,| | | системи, які мають одну із |8483 30 90 00 | | | складових: | | | | 1) матеріали з магнітною індукцією| | | | 2 Т або більше і межею | | | | плинності понад 414 МПа; | | | | 2) електромагнітний пристрій для | | | | приводу з тримірним уніполярним| | | | високочастотним | | | | підмагнічуванням; або | | | | 3) високотемпературні (450 K | | | | (177 град.C) і більше) | | | | позиційні датчики. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | | | |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічні |1. Вторинні паралельні контурні осі (осі | |примітки. | оброблення) (наприклад, W-осьова фреза | | | горизонтальної розточки або вторинна вісь | | | обертання, центрова лінія якої паралельна | | | головній осі обертання) не включені у загальну | | | кількість контурних осей. Осі обертання не | | | обов'язково передбачають поворот на кут, | | | більший ніж 360 град. Вісь обертання може мати | | | привід лінійного переміщення (наприклад, | | | гвинтом або зубчастою шестірнею). | | |2. У позиції 2B кількість осей, які можуть бути | | | одночасно скоординовані для "контурного | | | керування", означає кількість осей, уздовж або | | | навколо яких під час оброблення заготовки | | | здійснюється одночасний та взаємопов'язаний | | | відносний рух заготовки та інструменту. Ця | | | кількість не включає будь-які додаткові осі, | | | вздовж або навколо яких здійснюється інший | | | відносний рух у верстаті. Такі осі включають: | | | a) системи правки круга в шліфувальних верстатах;| | | b) паралельні осі обертання, призначені для | | | кріплення окремих заготовок; | | | c) колінеарні осі обертання, призначені для | | | маніпулювання тією ж заготовкою за рахунок | | | утримання її в патроні з різних кінців. | | |3. Номенклатура осі визначається відповідно до | | | міжнародного стандарту ISO 841: "Верстати з | | | числовим керуванням - номенклатура осей і | | | різновидів рухів". | | |4. У цьому розділі термін "нахилені шпинделі" | | | означає осі обертання. | | |5. Гарантована точність позиціювання, отримана в | | | результаті вимірювань, здійснених відповідно до| | | міжнародного стандарту ISO 230/2 (1997) або | | | його національних еквівалентів, може бути | | | використана для кожної моделі верстатів як | | | альтернатива випробуванням окремих верстатів. | | | Гарантована точність позиціювання означає | | | величину точності, представлену до спеціально | | | уповноважених органів держави як показник | | | точності конкретної моделі верстату. | | |Порядок визначення гарантованої точності | | |позиціювання: | | | a) виберіть п'ять верстатів окремої моделі, що | | | повинна бути оцінена; | | | b) проведіть вимірювання величин точності для | | | лінійних осей відповідно до міжнародного | | | стандарту ISO 230/2 (1997); | | | c) визначте величину А для кожної осі окремого | | | верстата. Метод обчислення величини А описано | | | у стандарті ISO; | | | d) визначте гарантовану величину для кожної осі | | | для окремої моделі (Ах, Ау); | | | е) оскільки в розділі 2 Списку робиться посилання| | | на кожну лінійну вісь, у ньому повинно бути | | | стільки гарантованих величин точності, | | | скільки є лінійних осей; | | | f) якщо будь-яка з осей моделі верстата, що не | | | підлягає контролю згідно з позиціями 2.B.1.a -| | | 2.B.1.c, має гарантовану величину точності А, | | | що дорівнює 5 мкм для шліфувальних верстатів | | | і 6,5 мкм для фрезерних та токарних верстатів | | | або менше, виробник повинен підтверджувати | | | повторно рівень точності кожні 18 місяців. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.B.1. |Верстати та будь-які їх комбінації | | |[2B001] |для видалення (або різання) | | | |металів, кераміки і "композиційних | | | |матеріалів", які відповідно до | | | |технічних специфікацій виробника | | | |можуть бути оснащені електронними | | | |пристроями для "числового | | | |керування", та "спеціально | | | |призначені компоненти": | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають | | | верстати спеціального призначення, застосування| | | яких обмежено виготовленням шестерень. Для | | | таких верстатів застосовується позиція 2.B.3. | | |2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають | | | верстати спеціального призначення, застосування| | | яких обмежено виготовленням будь-яких таких | | | частин: | | | a) колінчасті вали або кулачкові вали; | | | b) інструменти або різці; | | | c) черв'яки екструдерів; або | | | d) гравійовані або із скошеними поверхнями деталі| | | ювелірних виробів. | | |3. Верстати, що мають щонайменше дві з трьох | | | функціональних можливостей - токарна обробка, | | | фрезерування або шліфування (наприклад, | | | токарний верстат, що має функцію фрезерування),| | | повинні оцінюватися згідно з кожною відповідною| | | позицією 2.B.1.a, 2.B.1.b або 2.B.1.c. | | |--------------------------------------------------| | | a) токарні верстати, у яких: |з 8458, | | | 1) точність позиціювання вздовж |з 8464 90, | | | будь-якої лінійної осі з |8465 99 10 00 | | | "усіма доступними | | | | компенсаціями" дорівнює або | | | | менше (краще) ніж 4,5 мкм | | | | відповідно до ISO230/2 (1997) | | | | або його національного | | | | еквівалента; та | | | | 2) дві або більше осі, які можуть| | | | бути одночасно скоординовані | | | | для "контурного керування"; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не підлягають | | |токарні верстати, що спеціально призначені для | | |виробництва контактних лінз і мають такі | | |характеристики: | | |1) пристрій керування верстатом обмежений | | | використанням офтальмологічного програмного | | | забезпечення з метою введення даних для програм| | | оброблення деталей; та | | |2) відсутня можливість вакуумного присмоктування. | |-------------+--------------------------------------------------| | | b) фрезерні верстати, що мають |8459 31 00 00,| | | будь-яку із зазначених нижче |8459 39 00 00,| | | характеристик: |8459 51 00 00,| | | 1) мають усі зазначені нижче |8459 61, | | | характеристики: |8459 69, | | | a) точність позиціювання вздовж |8464, | | | будь-якої лінійної осі з |8465 92 00 00 | | | "усіма доступними | | | | компенсаціями" дорівнює | | | | або менше (краще) ніж 4,5 мкм| | | | відповідно до ISO 230/2 | | | | (1997) або його національного| | | | еквівалента; та | | | | b) три лінійні осі плюс одна | | | | вісь обертання, які можуть | | | | бути одночасно | | | | скоординовані для "контурного| | | | керування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) п'ять або більше осей, які | | | | можуть бути одночасно | | | | скоординовані для | | | | "контурного керування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) точність позиціювання для | | | | копіювально-розточувальних | | | | верстатів уздовж будь-якої | | | | лінійної осі з "усіма | | | | доступними компенсаціями" | | | | менше (краще) ніж 3 мкм | | | | відповідно до ISO 230/2 | | | | (1997) або його | | | | національного еквівалента; | | | | або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 4) верстати для різання | | | | матеріалу, що безперервно | | | | переміщується, у яких: | | | | а) "радіальне биття" і | | | | "кулачковий ефект" шпинделя | | | | менше (краще) ніж 0,0004 мм | | | | TIR; та | | | | b) кутове відхилення руху | | | | ковзання (рискання, перекіс | | | | у повздовжньому напрямку і | | | | гойдання) менше (краще) | | | | ніж 2 секунди дуги, TIR, | | | | уздовж шляху переміщення | | | | завдовжки 300 мм; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) шліфувальні верстати, що мають |8460 11 00 00,| | | будь-яку із зазначених нижче |8460 19 00 00,| | | характеристик: |8460 21, | | | 1) мають усі зазначені нижче |8460 29, | | | характеристики: |8464 20 05 00,| | | a) точність позиціювання вздовж |8464 20 20 00,| | | будь-якої лінійної осі з |8464 20 95 00,| | | "усіма доступними |8465 93 00 00 | | | компенсаціями" дорівнює | | | | або менше (краще) ніж 3 мкм | | | | відповідно до | | | | ISO 230/2 (1997) або | | | | його національного | | | | еквівалента; та | | | | b) три або більше осі, які | | | | можуть бути одночасно | | | | скоординовані для | | | | "контурного керування"; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) п'ять або більше осей, які | | | | можуть бути одночасно | | | | скоординовані для | | | | "контурного керування"; | | |-------------+--------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не підлягають: | | |1) шліфувальні верстати для оброблення зовнішніх | | | циліндричних, внутрішніх поверхонь, а також | | | комбіновані верстати (для шліфування внутрішніх| | | та зовнішніх поверхонь), які: | | | a) обмежені циліндричним шліфуванням; та | | | b) обмежені максимальним зовнішнім діаметром або | | | довжиною заготовки 150 мм; | | |2) верстати, спеціально спроектовані для | | | шліфування за шаблоном, які не мають z-осі або | | | w-осі, точність позиціонування яких з "усіма | | | доступними компенсаціями" менше (краще) ніж | | | 3 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його | | | національного еквівалента; | | |3) плоскошліфувальні верстати. | |-------------+--------------------------------------------------| | | d) верстати для електроіскрового |з 845630 | | | оброблення (EDM) без подачі | | | | дроту, що мають дві або більше | | | | осей обертання, які можуть | | | | одночасно бути скоординовані | | | | для "контурного керування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | e) верстати для видалення металів,|з 8424 30, | | | кераміки або "композиційних |з 8456 10, | | | матеріалів", які мають такі |8456 91 00 00,| | | характеристики: |з 8456 99 | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) видалення матеріалу | | | | здійснюються за допомогою: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) водяних або інших рідинних | | | | струменів, включаючи | | | | струмені з абразивними | | | | добавками; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) електронного променя; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) лазерного променя; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) мають дві або більше осей | | | | обертання, які: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) можуть бути одночасно | | | | скоординовані для "контурного| | | | керування"; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) мають точність позиціювання | | | | менше (краще) ніж | | | | 0,003 град; | | | |-----------------------------------+--------------| | | f) верстати для свердління |з 8458, | | | глибоких отворів і токарні |8459 21 00 00 | | | верстати, які модифіковані | | | | для свердління глибоких | | | | отворів та забезпечують | | | | максимальну глибину їх | | | | свердління понад 5000 мм, | | | | а також "спеціально призначені | | | | компоненти" для них. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.B.2. |Верстати з числовим програмним | | | |керуванням для чистового оброблення| | | |оптичних поверхонь, обладнані для | | | |вибіркового видалення матеріалу з | | | |метою створення несферичних | | | |оптичних поверхонь, що мають такі | | | |характеристики: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) здатні забезпечувати кінцеве | | | | оброблення форми до менше | | | | (краще) 1 мкм; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) здатні забезпечувати кінцеве | | | | оброблення до шорсткості менше | | | | (краще) 100 нм | | | | (середньоквадратичне | | | | значення); | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) чотири або більше осей, які | | | | можуть бути одночасно | | | | скоординовані для "контурного | | | | керування"; та | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) використовують такі технології: | | | | 1) магнітореологічне кінцеве | | | | оброблення (MRF-процес); | | | | 2) електрореологічне кінцеве | | | | оброблення (ERF-процес); або | | | | 3) кінцеве оброблення променем | | | | часток високої енергії; | | | | 4) кінцеве оброблення з допомогою | | | | інструмента у вигляді надувної | | | | мембрани; або | | | | 5) рідинно-струменеве кінцеве | | | | оброблення. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Для цілей позиції 2.B.2: | |примітка. |1) MRF-процес - це технологія видалення матеріалу | | | за допомогою абразивної магнітної рідини, | | | в'язкість якої контролюється магнітним полем; | | |2) ERF-процес - це технологія видалення матеріалу | | | з використанням абразивної рідини, в'язкість | | | якої контролюється електричним полем; | | |3) під час кінцевого оброблення променем часток | | | високої енергії застосовуються реактивні атомні| | | плазми або пучки іонів для вибіркового | | | видалення матеріалу; | | |4) кінцеве оброблення за допомогою інструмента у | | | вигляді надувної мембрани - технологічний | | | процес, в якому використовується мембрана під | | | тиском, яка деформує виріб під час контакту з | | | ним на невеликій площі; | | |5) у рідинно-струменевому завершальному обробленні| | | використовується потік рідини для видалення | | | матеріалу. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.B.3. |Верстати з "числовим керуванням" |8461 40 71 00,| |[2B003] |або з ручним керуванням і |8461 40 79 00 | | |спеціально розроблені для них | | | |"компоненти", обладнання для | | | |контролю та оснащення, спеціально | | | |розроблені для шевінгування, | | | |кінцевого оброблення, шліфування | | | |або хонінгування загартованих | | | |(Rc = 40 або більше) прямозубих | | | |циліндричних, одно- або | | | |двозаходових черв'ячних (гвинтових)| | | |шестерень з діаметром понад 1250 мм| | | |та шириною поверхні зуба, що | | | |дорівнює 15% діаметра або більше, з| | | |якістю кінцевого оброблення AGMA 14| | | |або краще (відповідно до | | | |міжнародного стандарту ISO 1328 за | | | |класом 3). | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.B.4. |"Ізостатичні преси" для гарячого |з 8462 99 | |[2B004] |пресування, що мають все з | | | |наведенного нижче, та "спеціально | | | |призначені компоненти" для них і | | | |допоміжні пристрої: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) камери з контрольованими | | | | тепловими умовами всередині | | | | замкненої порожнини з внутрішнім| | | | діаметром 406 мм або більше; та | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) мають будь-що з наведенного | | | | нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) максимальний робочий тиск понад| | | | 207 МПа; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) контрольовані температурні | | | | умови понад 1773 K | | | | (1500 град.C); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 3) обладнання для насичення | | | | вуглеводнем і виведення | | | | газоподібних продуктів | | | | розкладу. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Внутрішній розмір камери - це робочий розмір | |примітка. |камери, яка забезпечує робочий тиск і температуру;| | |до розміру камери не включається розмір затискних | | |пристроїв. Зазначений розмір визначається меншим з| | |двох розмірів: внутрішнього діаметра камери | | |високого тиску або внутрішнього діаметра | | |ізольованої камери печі залежно від того, яка з | | |цих камер розташована в іншій. | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо спеціально розроблених штампів, форм та | |примітка. |інструментів див. позиції 1.B.3, 9.B.9 і ML18 | | |Списку товарів військового призначення, міжнародні| | |передачі яких підлягають державному контролю, | | |затвердженого постановою Кабінету Міністрів | | |України від 20 листопада 2003 р. N 1807. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.B.5. |Обладнання, спеціально призначене | | |[2B005] |для осадження, оброблення та | | | |контролю у процесі нанесення | | | |неорганічних захисних шарів, | | | |покриттів і поверхневих | | | |модифікацій, наведених нижче, для | | | |неелектронних підкладок за | | | |допомогою процесів, зазначених у | | | |таблиці та примітках до позиції | | | |2.E.3.f, а також "компоненти", | | | |спеціально призначені для | | | |автоматизованого регулювання, | | | |позиціювання, маніпулювання | | | |та управління: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) виробниче обладнання для |8424 20 00 90,| | | хімічного осадження з парової |8456 91 00 00,| | | фази (CVD), що має усі зазначені|8456 99 | | | нижче характеристики: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) процес, модифікований для | | | | будь-якого зазначеного | | | | нижче методу: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) пульсуючого хімічного | | | | осадження з парової | | | | фази (CVD); | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) термічного осадження з | | | | керованим зародкоутворенням | | | | (CNTD); або | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) стимульовання плазмою або за | | | | допомогою плазми CVD; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) використовує будь-що з | | | | наведеного нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) високий вакуум (дорівнює або | | | | менше ніж 0,01 Па) для | | | | ущільнення при обертанні; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) засоби контролю товщини шару | | | | покриття безпосередньо у | | | | процесі осадження; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) виробниче обладнання для іонної |8456 10 10 00,| | | імплантації із силою іонного |8456 10 90 00 | | | струму 5 мА або більше; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) виробниче обладнання для |8456 10 10 00,| | | електронно-променевого |8456 10 90 00 | | | вакуумного нанесення покриттів | | | | методом фізичного осадження з | | | | парової фази електронним | | | | променем (EB-PVD), яке має | | | | систему електроживлення з | | | | розрахунковою потужністю понад | | | | 80 кВт, та мають будь-що з | | | | наведеного нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) "лазерна" система керування за | | | | рівнем випаровувальної ванни, | | | | яка точно регулює швидкість | | | | подавання матеріалів (злитків) | | | | у зону випаровування; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) керований комп'ютером покажчик | | | | швидкості випаровування | | | | (монітор), який працює за | | | | принципом фотолюмінесценції | | | | іонізованих атомів у потоці | | | | пари, необхідний для контролю | | | | швидкості осадження складових | | | | покриття, що містить два | | | | або більше елементів; | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) виробниче обладнання для |8456 91 00 00,| | | нанесення покриття методом |8456 99 | | | плазмового напилення, яке має | | | | будь-яку зазначену нижче | | | | характеристику: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) працює за умови зниженого тиску| | | | контрольованої атмосфери | | | | (дорівнює або менше ніж 10 кПа,| | | | вимірюваного вище або всередині| | | | 300 мм вихідного пеерізу сопла | | | | плазмового пальника) у | | | | вакуумній камері, що здатна | | | | забезпечити зниження тиску до | | | | 0,01 Па перед початком процесу | | | | нанесення; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) містить у своєму складі засоби | | | | контролю товщини шару покриття | | | | у процесі нанесення; | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) виробниче обладнання для |8456 91 00 00,| | | металізації розпиленням, що |8456 99 | | | здатне забезпечити густину | | | | струму 0,1 мА/кв.мм або більше | | | | з продуктивністю напилення | | | | 15 мкм/год. або більше; | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) виробниче обладнання для |8515 80 91 00,| | | катодно-дугового напилення |8515 80 99 00 | | | із системою електромагнітів | | | | для керування активною плямою | | | | дуги на катоді; | | | |-----------------------------------+--------------| | |g) виробниче обладнання для іонного|8456 10 10 00,| | | нанесення покриття, здатне в |8456 10 90 00 | | | процесі нанесення вимірювати | | | | будь-що з наведеного нижче: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) товщину покриття на підкладці | | | | та величину продуктивності; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) оптичні характеристики. | | |-------------+--------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позиціями 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e, | | |2.B.5.f та 2.B.5.g контролю не підлягає | | |обладнання для нанесення покриття методом | | |хімічного осадження з парової фази, | | |катодно-дугового напилення та нанесення | | |методом розпилення, іонного нанесення або | | |іонної імплантації, спеціально призначене | | |для різальних та обробних інструментів. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.B.6. |Системи або обладнання та | | |[2B006] |"електронні збірки", наведені | | | |нижче, для вимірювання або | | | |контролю за розмірами: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) контрольно-вимірювальне |9031 80 31 10,| | | обладнання, кероване комп'ютером|9031 80 31 90 | | | або з "числовим керуванням", яке| | | | має тривимірну (об'ємну) систему| | | | з "похибкою вимірювання", що | | | | дорівнює або менше (краще) ніж | | | | (1,7 + L/1000) мкм (де L - | | | | довжина, яка вимірюється в | | | | міліметрах), та тестується | | | | відповідно до міжнародного | | | | стандарту ISO 10360-2 (2001); | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) вимірювальні пристрої для | | | | лінійних або кутових переміщень:| | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) вимірювальні пристрої для |9031 41 00 00,| | | лінійних переміщень, які мають |9031 49 10 00,| | | будь-яку зазначену нижче |9031 49 90 00 | | | складову: | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Для цілей позиції 2.B.6.b.1 "лінійне переміщення" | |примітка. |означає відстань між контактною вимірювальною | | |головкою та об'єктом вимірювання. | |-------------+--------------------------------------------------| | | a) вимірювальні системи | | | | безконтактного типу з | | | | "роздільною здатністю", що | | | | дорівнює або менше (краще) | | | | ніж 0,2 мкм, при діапазоні | | | | вимірювань до 0,2 мм; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) системи з лінійним | | | | регульованим диференційним | | | | перетворювачем напруги, | | | | які мають: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) "лінійність", що дорівнює або| | | | менше (краще) ніж 0,1 | | | | відсотка, в діапазоні | | | | вимірювань до 5 мм; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) відхилення, що дорівнює | | | | або менше (краще) ніж 0,1 | | | | відсотка на день, за | | | | стандартних умов з коливанням| | | | навколишньої температури | | | | +- 1 K; або | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) вимірювальні системи, які: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) містять "лазер"; та | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) зберігають протягом принаймні| | | | 12 годин при температурі | | | | 20 +- 1 град.C: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) "роздільну здатність" на | | | | повній шкалі 0,1 мкм або | | | | менше (краще); та | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) здатність досягати "похибки | | | | вимірювання" під час | | | | компенсації показника | | | | переломлення повітря, що | | | | дорівнює або менше (краще) | | | | ніж (0,2 + L/2000) мкм | | | | (L - довжина, що | | | | вимірюється в міліметрах); | | | | або | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) "електронні збірки", | | | | спеціально призначені для | | | | забезпечення функції | | | | зворотного зв'язку в системах,| | | | що підлягають контролю згідно | | | | з позицією 2.B.6.b.1.c; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.1 контролю не підлягають| | |вимірювальні інтерферометричні системи, обладнані | | |системою автоматичного керування, у якій не | | |передбачено використання техніки зворотного | | |зв'язку, що містять "лазер" для вимірювання | | |помилок переміщення рухомих частин верстатів, | | |засобів контролю за розмірами або подібного | | |обладнання. | |-------------+--------------------------------------------------| | | 2) кутові вимірювальні прилади з |9031 41 00 00,| | | "кутовою девіацією", що |9031 49 10 00,| | | дорівнює або менше (краще) |9031 49 90 00,| | | ніж 0,00025 град.C; |з 9031 80 31, | | | |9031 80 91 00 | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.2 контролю не підлягають| | |оптичні прилади, такі як автоколіматори, що | | |використовують колімоване світло (наприклад, | | |лазерний промінь) для фіксації кутового відхилення| | |дзеркала. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) обладнання для вимірювання |9031 41 00 00,| | | нерівностей поверхні з |9031 49 10 00,| | | використанням оптичного |9031 49 90 00 | | | розсіювання як функції кута з | | | | чутливістю 0,5 нм або менше | | | | (краще). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Верстати, що можуть бути використані як | | |вимірювальні машини, підлягають контролю, якщо їх | | |параметри відповідають або перевищують критерії, | | |встановлені для функцій верстатів або | | |вимірювальних машин. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.B.7. |"Роботи", що мають будь-яку із |8479 50 00 00,| |[2B007] |зазначених нижче характеристик, і |8537 10 10 00,| | |спеціально спроектовані контролери |8537 10 91 00,| | |та "виконавчі механізми" до них: |8537 10 99 00 | | |-----------------------------------+--------------| | |a) здатні в реальному масштабі часу| | | | повністю обробляти трьохвимірне | | | | зображення або трьохвимірний | | | | об'єкт для генерації чи | | | | модифікації "програм", або для | | | | генерації чи модифікації | | | | цифрових даних програми; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Обмеження аналізу об'єкта не включають | |примітка. |апроксимацію третього виміру шляхом розгляду | | |під заданим кутом або інтерпретації сірої | | |шкали для сприйняття глибини або текстури під | | |час виконання санкціонованих завдань (2 1/2 D). | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) спеціально розроблені, щоб | | | | відповідати національним | | | | стандартам безпеки, які | | | | застосовуються до потенційно | | | | вибухонебезпечного середовища, | | | | що містить боєприпаси; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 2.B.7.b контролю не підлягають | | |"роботи", спеціально призначені для використання в| | |камерах для фарбування розпиленням. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) спеціально призначені або | | | | нормовані як радіаційностійкі, | | | | що витримують більше ніж | | | | 3 | | | | 5 х 10 рад (Si) без | | | | погіршення робочих | | | | характеристик; або | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) спеціально призначені для | | | | операцій, що проводяться на | | | | висоті понад 30000 м. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.B.8. |Вузли або блоки, спеціально | | |[2B008] |призначені для верстатів або систем| | | |і обладнання для перевірки розмірів| | | |або вимірювання: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) блоки оцінки лінійного положення|з 8466 | | | із зворотним зв'язком | | | | (наприклад, прилади індуктивного| | | | типу, калібровані шкали, | | | | інфрачервоні системи або | | | | "лазерні" системи), які | | | | мають повну "точність" менше | | | | (краще) ніж [800 + | | | | -3 | | | | (600 х L х 10 )] нм (L - | | | | ефективна довжина, яка | | | | вимірюється в міліметрах); | | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо "лазерних" систем див. 2.B.6.b.1.c та 2.B.6. | |примітка. |b.1.d. | |-------------+--------------------------------------------------| | |b) блоки оцінки положення обертання|з 8466 | | | із зворотним зв'язком | | | | (наприклад, прилади індуктивного| | | | типу, калібровані шкали, | | | | інфрачервоні системи або | | | | "лазерні" системи), які мають | | | | "точність" менше (краще) ніж | | | | 0,00025 град; | | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Щодо "лазерних" систем застосовується також | |примітка. |примітка до позиції 2.B.6.b. | |-------------+--------------------------------------------------| | |c) "комбіновані обертові столи" та |з 8466 | | | "інструментальні шпинделі, що | | | | нахиляються", використання яких | | | | за специфікацією виробника може | | | | модифікувати верстати до рівня, | | | | зазначеного у позиції 2.B. | | |-------------+-----------------------------------+--------------|

|2.B.9. |Обкатні вальцювальні та згинальні |8462 29 10 00,| |[2B009] |верстати, які відповідно до |8463 90 00 00 | | |технічної специфікації виробника | | | |можуть бути обладнані блоками | | | |"числового керування" або | | | |комп'ютерного керування: | | | |-----------------------------------+--------------| | |a) з двома або більше осями | | | | керування, дві з яких здатні | | | | одночасно координуватися для | | | | "контурного керування"; та | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) із зусиллям на обкатному | | | | інструменті понад 60 кН. | | |-------------+--------------------------------------------------| |Технічна |Верстати, у яких поєднані функції обкатних | |примітка. |вальцювальних та згинальних верстатів, | | |розглядаються для цілей позиції 2.B.9 як такі, що | | |належать до обкатних вальцювальних верстатів. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.C. |МАТЕРІАЛИ | | | |Відсутні. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.D.1. |"Програмне забезпечення", інше, ніж|з 8524 | |[2D001] |те, що підлягає контролю згідно з | | | |позицією 2.D.2, спеціально | | | |призначене або модифіковане для | | | |"розроблення", "виробництва" або | | | |"використання" обладнання, | | | |зазначеного в позиціях 2.A або 2.B.| | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.D.2. |"Програмне забезпечення" для |з 8524 | |[2D002] |електронних пристроїв, навіть якщо | | | |воно вмонтоване в електронний | | | |пристрій або систему, яке дає змогу| | | |таким пристроям або системам | | | |функціонувати як блок "числового | | | |керування", здатний одночасно | | | |координувати більш як чотири осі | | | |для "контурного керування". | | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 1. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає | | |"програмне забезпечення", спеціально розроблене | | |або модифіковане для верстатів, які не підлягають | | |контролю згідно з позиціями розділу 2. | |-------------+--------------------------------------------------| |Примітка 2. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає | | |"програмне забезпечення" для виробів, що | | |контролюються згідно з позицією 2.B.2. Щодо | | |контролю за "програмним забезпеченням" для | | |виробів, які контролюються згідно з позицією | | |2.B.2, див. позицію 2.D.1. | |-------------+--------------------------------------------------| |2.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.E.1. |"Технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, | |[2E001] |особливих приміток для |3706, 8524, | | |"розроблення" обладнання або |4901 99 00 00,| | |"програмного забезпечення", які |4906 00 00 00 | | |підлягають контролю згідно з | | | |позиціями 2.A, 2.B або 2.D. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 3|з 3705, | |[2E002] |загальних приміток для |3706,8524, | | |"виробництва" обладнання, яке |4901 99 00 00,| | |підлягає контролю згідно з |4906 00 00 00 | | |позиціями 2.A або 2.B. | | |-------------+-----------------------------------+--------------| |2.E.3. |Інші "технології": |з 3705, | |[2E003] | |3706, 8524, | | |-----------------------------------+--------------| | |a) "технологія" для "розроблення" |4901 99 00 00,| | | інтерактивної графіки як |4906 00 00 00 | | | вбудованої частини блоків | | | | "числового керування" для | | | | підготовки або модифікації | | | | елементів "програм"; | | | |-----------------------------------+--------------| | |b) "технологія" для виробничих | | | | процесів металооброблення: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) "технологія" проектування | | | | верстатів (інструментів), | | | | прес-форм або затискних | | | | пристроїв, спеціально | | | | призначених для будь-якого | | | | з наведених нижче процесів: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) "надпластичного формування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) "дифузійного зварювання"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) "безпосереднього гідравлічного| | | | пресування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | | 2) технічні дані, що включають | | | | методи або параметри реалізації| | | | процесу, які використовуються | | | | для керування: | | | |-----------------------------------+--------------| | | a) "надпластичним формуванням" | | | | алюмінієвих, титанових | | | | сплавів або "суперсплавів", | | | | включаючи: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) підготовку поверхні; | | | | 2) швидкість відносної | | | | деформації; | | | | 3) температуру; | | | | 4) тиск; | | | |-----------------------------------+--------------| | | b) "дифузійним зварюванням" | | | | "суперсплавів" або титанових | | | | сплавів, включаючи: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) підготовку поверхні; | | | | 2) температуру; | | | | 3) тиск; | | | |-----------------------------------+--------------| | | c) "безпосереднім гідравлічним | | | | пресуванням" алюмінієвих або | | | | титанових сплавів, включаючи: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) тиск; | | | | 2) час циклу; | | | |-----------------------------------+--------------| | | d) "гарячим ізостатичним | | | | модифікуванням" алюмінієвих | | | | і титанових сплавів або | | | | "суперсплавів", включаючи: | | | |-----------------------------------+--------------| | | 1) температуру; | | | | 2) тиск; | | | | 3) час циклу; | | | |-----------------------------------+--------------| | |c) "технологія" для "розроблення" | | | | або "виробництва" гідравлічних | | | | витяжних формувальних машин і | | | | відповідних форм для | | | | виготовлення корпусних | | | | конструкцій літака; | | | |-----------------------------------+--------------| | |d) "технологія" для "розроблення" | | | | генераторів машинних команд | | | | (наприклад, "програм" оброблення| | | | деталей) з проектних даних, які | | | | розміщуються всередині блоків | | | | "числового керування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | |e) "технологія" для "розроблення" | | | | загального "програмного | | | | забезпечення" для об'єднаних | | | | експертних систем, які | | | | збільшують у заводських умовах | | | | операційні можливості блоків | | | | "числового керування"; | | | |-----------------------------------+--------------| | |f) "технологія" використання | | | | неорганічного покриття або | | | | неорганічного покриття з | | | | модифікацією поверхні | | | | (зазначених у третій графі | | | | "Результуюче покриття" | | | | таблиці до цієї позиції) на | | | | неелектронних підкладках | | | | (зазначених у другій графі | | | | "Підкладки" таблиці до цієї | | | | позиції) та процесів | | | | (зазначених у першій графі | | | | "Найменування процесу нанесення | | | | покриття" таблиці до цієї | | | | позиції та визначених у | | | | технічній примітці до таблиці). | | |-------------+--------------------------------------------------| |Особлива |Таблицю до позиції 2.E.3.f слід використовувати | |примітка. |для контролю технології конкретного процесу | | |нанесення покриття тільки у разі, коли | | |"результуюче покриття" у третій графі зазначено | | |прямо напроти відповідної "підкладки" у другій | | |графі. Наприклад, технічні дані процесу | | |осадження для хімічного осадження з парової фази | | |(CVD) контролюються під час використання | | |"силіцидів" на "підкладках", виготовлених | | |"композиційних матеріалів" з вуглець-вуглецевою, | | |керамічною або металевою "матрицею", але не | | |контролюються під час використання "силіцидів" | | |на підкладках, виготовлених з "цементованого | | |карбіду вольфраму" (16) та "карбіду кремнію". | | |У другому випадку "результуюче покриття" | | |не зазначено у цьому параграфі у третій графі | | |прямо напроти параграфа у другій графі, де | | |перелічено "цементований карбід вольфраму" (16) | | |та "карбід кремнію" (18). | |-------------+--------------------------------------------------| |2.E.4. |"Послуги та роботи" (відповідно до | | | |особливої примітки щодо послуг та | | | |робіт) стосовно товарів подвійного | | | |використання, зазначених у позиціях| | | |2.A, 2.B, 2.D або 2.E. | | ------------------------------------------------------------------

Таблиця до позиції 2.E.3.f. Технічні методи осадження покриття

------------------------------------------------------------------ | | Найменування | Підкладки | Результуюче | | | процесу нанесення | | покриття | | | покриття (1)* | | | |------+-------------------+------------------+------------------| | A. |Хімічне осадження з|суперсплави |алюмініди для | | |парової фази (CVD) | |внутрішніх | | | | |каналів | | | |------------------+------------------| | | |кераміка (19)* та |силіциди | | | |скло з малим |карбіди | | | |коефіцієнтом |шари діелектриків | | | |термічного |(15) | | | |розширення (14) |алмази | | | | |алмазоподібний | | | | |вуглець (17) | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Номер у дужках відповідає номеру примітки до таблиці| |"Технічні методи осадження покриття". | |----------------------------------------------------------------| | | |вуглець-вуглець |силіциди | | | |"Композиційні |карбіди | | | |матеріали" |тугоплавкі метали | | | |(композити) з |суміші зазначених | | | |керамічною та |матеріалів (4) | | | |металевою |шари діелектриків | | | |"матрицею" |(15) | | | | |алюмініди | | | | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | | |нітрид бору | | | |------------------+------------------| | | |цементований |карбіди | | | |карбід |вольфрам | | | |вольфраму (16) |суміші зазначених | | | |карбід кремнію |матеріалів (4) | | | |(18) |шари діелектриків | | | | |(15) | | | |------------------+------------------| | | |молібден та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | | |алмази | | | | |алмазоподібні | | | | |вуглеці (17) | | | |------------------+------------------| | | |матеріали вікон |шари діелектриків | | | |датчиків (9) |(15) | | | | |алмази | | | | |алмазоподібні | | | | |вуглеці (17) | |------+-------------------+------------------+------------------| | B. |Фізичне осадження з| | | | |парової фази | | | | |термовипаро- | | | | |вуванням | | | | |(TE-PVD) | | | |------+-------------------+------------------+------------------| |B.1. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди | | |парової фази (PVD) | |леговані алюмініди| | |з випаровуванням | |(2) | | |електронним | |MCrAlX (5) | | |променем | |модифіковані види | | |(EB-PVD) | |діоксиду цирконію | | | | |(12) | | | | |силіциди | | | | |алюмініди | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | |------------------+------------------| | | |кераміка (19) та |шари діелектриків | | | |скло з малим |(15) | | | |коефіцієнтом | | | | |термічного | | | | |розширення (14) | | | | |------------------+------------------| | | |корозійностійка |MCrAlX (5) | | | |сталь (криця) (7) |модифіковані види | | | | |діоксиду цирконію | | | | |(12) | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | |------------------+------------------| | | |вуглець-вуглець |силіциди | | | |"Композиційні" |карбіди | | | |матеріали з |тугоплавкі метали | | | |керамічною та |суміші зазначених | | | |металевою |матеріалів (4) | | | |"матрицею" |шари діелектриків | | | | |(15) | | | | |нітрид бору | | | |------------------+------------------| | | |цементований |карбіди | | | |карбід вольфраму |вольфрам | | | |(16) |суміші зазначених | | | |карбід кремнію |матеріалів (4) | | | |(18) |шари діелектриків | | | | |(15) | | | |------------------+------------------| | | |молібден та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | | |бориди | | | | |берилій | | | |------------------+------------------| | | |матеріали вікон |шари діелектриків | | | |датчиків (9) |(15) | | | |------------------+------------------| | | |титанові сплави |бориди | | | |(13) |нітриди | |------+-------------------+------------------+------------------| |B.2. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |шари діелектриків | | |парової фази шляхом|скло з малим |(15) | | |резистивного |коефіцієнтом |алмазоподібні | | |нагрівання |термічного |вуглеці (17) | | |(іонне |розширення (14) | | | |осадження) |------------------+------------------| | | |вуглець-вуглець |шари діелектриків | | | |"Композиційні" |(15) | | | |матеріали з | | | | |керамічною та | | | | |металевою | | | | |"матрицею" | | | | |------------------+------------------| | | |цементований |шари діелектриків | | | |карбід вольфраму |(15) | | | |(16) | | | | |карбід кремнію | | | | |------------------+------------------| | | |молібден та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |матеріали вікон |шари діелектриків | | | |датчиків (9) |(15) | | | | |алмазоподібні | | | | |вуглеці (17) | |------+-------------------+------------------+------------------| |B.3. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |силіциди | | |парової фази (PVD):|скло з малим |шари діелектриків | | |"лазерним" |коефіцієнтом |(15) | | |випаровування |термічного |алмазоподібні | | | |розширення (14) |вуглеці (17) | | | |------------------+------------------| | | |вуглець-вуглець |шари діелектриків | | | |"Композиційні |(15) | | | |матеріали" з | | | | |керамічною та | | | | |металевою | | | | |"матрицею" | | | | |------------------+------------------| | | |цементований |шари діелектриків | | | |карбід вольфраму |(15) | | | |(16) | | | | |карбід кремнію | | | | |------------------+------------------| | | |молібден та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |матеріали вікон |шари діелектриків | | | |датчиків (9) |(15) | | | | |алмазоподібний | | | | |вуглець (17) | |------+-------------------+------------------+------------------| |B.4. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди | | |парової фази (PVD):| |леговані алюмініди| | |катодний дуговий | |(2), MCrAlX (5) | | |розряд |------------------+------------------| | | |полімери (11) та |бориди | | | |"Композиційні" |карбіди | | | |матеріали з |нітриди | | | |органічною |алмазоподібні | | | |"матрицею" |вуглеці (17) | |------+-------------------+------------------+------------------| | C. |Пакова цементація |вуглець-вуглець |силіциди | | |(10) (твердофазне |"Композиційні |карбіди | | |насичення) |матеріали" з |суміші зазначених | | |(див. "A") |керамічною та |матеріалів (4) | | | |металевою | | | | |"матрицею" | | | | |------------------+------------------| | | |сплави титану |силіциди | | | |(13) |алюмініди | | | | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | |------------------+------------------| | | |тугоплавкі метали |силіциди | | | |та сплави (8) |оксиди | |------+-------------------+------------------+------------------|

| D. |Плазмове напилення |суперсплави |MCrAlX (5) | | | | |модифікований | | | | |діоксид цирконію | | | | |(12) | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | | |ерозійностійкий | | | | |нікель-графіт | | | | |ерозійностійкий | | | | |нікель-хром- | | | | |алюміній-бентоніт | | | | |ерозійностійкий | | | | |алюміній-кремній- | | | | |поліестр | | | | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | |------------------+------------------| | | |сплави алюмінію |MCrAlX (5) | | | |(6) |модифікований | | | | |діоксид цирконію | | | | |(12) | | | | |силіциди | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | |------------------+------------------| | | |тугоплавкі метали |алюмініди | | | |та сплави (8) |силіциди | | | | |карбіди | | | |------------------+------------------| | | |корозійностійкі |MCrAlX (5) | | | |сталі (7) |модифікований | | | | |діоксид цирконію | | | | |(12) | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | |------------------+------------------| | | |титанові сплави |карбіди | | | |(13) |алюмініди | | | | |силіциди | | | | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | | |ерозійностійкий | | | | |нікель-графіт | | | | |ерозійностійкий | | | | |нікель-хром- | | | | |алюміній-бентоніт | | | | |діоксиду цирконію | | | | |ерозійностійкий | | | | |алюміній-кремній- | | | | |поліестр | |------+-------------------+------------------+------------------| | E. |Шлікерні |тугоплавкі метали |плавлені силіциди | | |суспензійні |та сплави (8) |плавлені алюмініди| | |покриття | |(крім матеріалів | | |(осадження) | |для нагрівних | | | | |елементів) | | | |------------------+------------------| | | |вуглець-вуглець |силіциди | | | |"Композиційні" |карбіди | | | |матеріали з |суміші зазначених | | | |керамічною та |матеріалів (4) | | | |металевою | | | | |"матрицею" | | |------+-------------------+------------------+------------------| | F. |Нанесення покриттів|суперсплави |леговані силіциди | | |розпиленням | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | | |алюмініди | | | | |модифіковані | | | | |благородними | | | | |металами (3) | | | | |MCrAlX (5) | | | | |види | | | | |модифікованого | | | | |діоксиду цирконію | | | | |(12) | | | | |платина | | | | |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | |------------------+------------------| | | |кераміка та скло з|силіциди | | | |малим коефіцієнтом|платина | | | |розширення (14) |суміші зазначених | | | | |матеріалів (4) | | | | |шари діелектриків | | | | |(15) | | | | |алмазоподібний | | | | |вуглець (17) | | | |------------------+------------------| | | |титанові сплави |бориди | | | |(13) |нітриди | | | | |оксиди | | | | |силіциди | | | | |алюмініди | | | | |леговані алюмініди| | | | |(2) | | | | |карбіди | | | |------------------+------------------| | | |вуглець-вуглець |силіциди | | | |"Композиційні" |карбіди | | | |матеріали з |тугоплавкі метали | | | |керамічною та |суміші зазначених | | | |металевою |матеріалів (4) | | | |"матрицею" |шари діелектриків | | | | |(15) | | | | |нітрид бору | | | |------------------+------------------| | | |цементований |карбіди | | | |карбід |вольфрам | | | |вольфраму (16) |суміші зазначених | | | |карбід кремнію |матеріалів (4) | | | |(18) |шари діелектриків | | | | |(15) | | | | |нітрид бору | | | |------------------+------------------| | | |молібден та його |шари діелектриків | | | |сплави |(15) | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |бориди | | | |сплави |шари діелектриків | | | | |(15) | | | | |берилій | | | |------------------+------------------| | | |матеріали вікон |шари діелектриків | | | |датчиків (9) |(15) | | | | |алмазоподібний | | | | |вуглець (17) | | | |------------------+------------------| | | |тугоплавкі метали |алюмініди | | | |та сплави (8) |силіциди | | | | |оксиди | | | | |карбіди | |------+-------------------+------------------+------------------| | G. |Іонна імплантація |термостійкі |поверхневе | | | |шарикопідшипникові|легування | | | |сталі |хромом, | | | | |танталом або | | | | |ніобієм | | | | |(коламбієм) | | | |------------------+------------------| | | |титанові сплави |бориди | | | |(13) |нітриди | | | |------------------+------------------| | | |берилій та його |бориди | | | |сплави | | | | |------------------+------------------| | | |цементований |карбіди | | | |карбід |нітриди | | | |вольфраму (16) | | ------------------------------------------------------------------ ------------------------------------------------------------------ | Примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" | |----------------------------------------------------------------| |1. |Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так і| | |ремонт та поновлення існуючого. | |----+-----------------------------------------------------------| |2. |Процес покриття легованими алюмінідами включає | | |одностадійний або багатостадійний процес нанесення | | |покриття, під час якого елемент або елементи осаджуються до| | |або під час отримання алюмінідного покриття, навіть якщо ці| | |елементи додаються за допомогою іншого процесу. Проте | | |зазначений процес не включає багаторазове використання | | |одноступеневих процесів пакової цементації для отримання | | |покриття на основі легованих алюмінідів. | |----+-----------------------------------------------------------| |3. |Процес покриття алюмінідами, модифікованими благородними | | |металами, включає багатоступеневий процес нанесення | | |покриття, під час якого благородний метал або благородні | | |метали були нанесені раніше будь-яким іншим способом до | | |отримання покриття легованими алюмінідами. | |----+-----------------------------------------------------------| |4. |Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні | | |композиції, присадки та багатошарові матеріали, які | | |використовуються під час одного або кількох процесів | | |отримання покриття, зазначеного у таблиці. | |----+-----------------------------------------------------------| |5. |"MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "M" | | |означає кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" | | |означає гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій | | |кількості, або інші спеціальні домішки у кількості понад | | |0,01 вагового % у різноманітних пропорціях та комбінаціях, | | |крім: | | |a) CoCrAlY - покриття, яке має менш як 22 вагових % хрому, | | |менш як 7 вагових % алюмінію та менш як 2 вагових % ітрію; | | |b) CoCrAlY - покриття, яке має 22 - 24 вагових % хрому, | | |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,5 - 0,7 вагового % ітрію; | | |c) NiCrAlY - покриття, яке має 21 - 23 вагових % хрому, | | |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,9 - 1,1 вагового % ітрію. | |----+-----------------------------------------------------------| |6. |Сплави алюмінію - сплави з граничним показником міцності на| | |розрив 190 МПа або більше, які визначено при температурі | | |293 K (20 град.C). | |----+-----------------------------------------------------------| |7. |Корозійностійка сталь - сталь, яка відповідає вимогам | | |стандарту серії 300 (AISI) Американського інституту заліза | | |та сталі або вимогам відповідних національних стандартів. | |----+-----------------------------------------------------------| |8. |До тугоплавких металів та сплавів належать такі метали та | | |їх сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і | | |тантал. | |----+-----------------------------------------------------------| |9. |Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній, | | |германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, | | |алмаз, фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів: | | |фторид цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків | | |діаметром понад 40 мм. | |----+-----------------------------------------------------------| |10. |На "технологію" для одноступеневих процесів пакової | | |цементації суцільних лопаток турбін не поширюються | | |обмеження згідно з розділом 2. | |----+-----------------------------------------------------------| |11. |Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід, | | |полікарбонати та поліуретани. | |----+-----------------------------------------------------------| |12. |Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з | | |додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію, | | |магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для | | |стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз | | |зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію, | | |модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом | | |змішування або розплаву, контролю не підлягає. | |----+-----------------------------------------------------------|

|13. |Титанові сплави - лише аерокосмічні сплави з граничним | | |показником міцності на розрив 900 МПа або більше, | | |визначеним при температурі 293 K (20 град.C). | |----+-----------------------------------------------------------| |14. |Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення - скло, що | | | -7 -1 | | |має коефіцієнт температурного розширення 1 х 10 K або | | |менше, визначений при температурі 293 K (20 град.C). | |----+-----------------------------------------------------------| |15. |Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових | | |ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних | | |властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами | | |рефракції використовується для відбиття, передачі або | | |поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних| | |шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох | | |або більше шарів діелектрика або шарових "композицій" | | |діелектрик/метал. | |----+-----------------------------------------------------------| |16. |Цементований карбід вольфраму не містить інструментальних | | |матеріалів, які застосовуються для різання та механічної | | |обробки і складаються з карбіду вольфраму/(кобальт-нікелю),| | |карбіду титану/(кобальт-нікелю), карбіду хрому/нікель- | | |хрому і карбіду хрому/нікелю. | |----+-----------------------------------------------------------| |17. |"Технологія", спеціально розроблена для осадження | | |алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не | | |підлягає контролю, а саме: | | |накопичувачі на магнітних дисках і магнітні головки, | | |обладнання для виробництва разової тари, клапани для | | |кранів, акустичні діафрагми для гучномовців, деталі | | |двигунів для автомобілів, різальний інструмент, матриці для| | |пресування та вирубні штампи, офісне автоматизоване | | |обладнання, мікрофони, медичні пристрої або пресформи для | | |литва або формування пластмаси, виготовлені із сплавів з | | |вмістом берилію менш як 5%. | |----+-----------------------------------------------------------| |18. |Карбід кремнію не містить матеріали для виготовлення | | |різального або формувального інструменту. | |----+-----------------------------------------------------------| |19. |Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні | | |матеріали, що містять 5 вагових % або більше глини чи | | |цементу, незалежно від того, чи є вони окремим складовим | | |"компонентом", чи входять у керамічні матеріали, в їх | | |комбінації. | ------------------------------------------------------------------

------------------------------------------------------------------ | Технічні примітки до таблиці | | "Технічні методи осадження покриття" | |----------------------------------------------------------------| |Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення | |покриття", визначаються таким способом: | |----------------------------------------------------------------| |a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення | |зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що | |покривається, в якому метал, сплав, "композиційний" матеріал, | |діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку | |(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на | |поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні | |елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду| |або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки| |плазмовим розрядом або променем "лазера". | |----------------------------------------------------------------| |Особливі |1. Хімічне осадження з парової фази (CVD) | |примітки. |включає такі процеси: безпакетне нанесення | | |покриття прямим газовим струменем, | | |газоциркуляційне хімічне осадження, | | |кероване зародження центрів конденсації при | | |термічному осадженні (CNTD) або хімічне | | |осадження з парової фази (CVD) з | | |використанням плазми. | | |2. Пакет - підкладка (основа), занурена в | | |порошкову суміш. | | |3. Газоподібні реагенти, що використовуються| | |у безпакетному процесі, можна отримати за | | |допомогою базових реакцій та параметрів, які| | |використовуються при і цементації, за | | |винятком, коли підкладка, на яку наноситься | | |покриття, не має контакту із сумішшю | | |порошків. | |----------------------------------------------------------------| |b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням | |(TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під | |тиском менш як 0,1 Па, коли джерело теплової енергії | |використовується для перетворення на пару матеріалу, що | |наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що випаровується, | |конденсуються або осаджуються на підкладку. | |----------------------------------------------------------------| |Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для | |створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу. | |----------------------------------------------------------------| |Використання іонних або електронних променів або плазми для | |активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною | |модифікацією цього процесу. Використання моніторів для | |забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини | |покриття під час процесу може бути характерною особливістю таких| |процесів. | |----------------------------------------------------------------| |Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання | |полягає у тому, що: | |----------------------------------------------------------------| |1) при ЕВ-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який | |формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний| |промінь; | |----------------------------------------------------------------| |2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити | |контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу | |покриття, використовується електричний опір; | |----------------------------------------------------------------| |3) під час випаровування "лазером" для випаровування матеріалу, | |що формує покриття, використовується імпульсний або | |безперервний "лазерний" промінь; | |----------------------------------------------------------------| |4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги | |використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує | |покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після | |миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером). | |Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та | |виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та | |розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама | |камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що| |розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; | |----------------------------------------------------------------| |Особлива примітка. |Зазначений у підпункті 4 процес не | | |стосується нанесення покриття довільною | | |катодною дугою без зміщення напруги. | |----------------------------------------------------------------| |5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD | |процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується для| |іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне | |зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню| |складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних | |реагентів, випаровування твердих матеріалів у камері, а також | |використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі | |нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття, | |є звичайними модифікаціями процесу. | |----------------------------------------------------------------| |c. Порошкове цементування - модифікація методу нанесення | |покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього | |покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), що | |складається з: | |1) металевих порошків, які входять до складу покриття (зазвичай | |алюміній, хром, кремній або їх комбінація); | |2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та | |3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). | |Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка | |нагрівається від 1030 K (+757 град.C) до 1375 K (+1102 град.C) | |на час, який достатній для нанесення покриття. | |----------------------------------------------------------------| |d. Плазмове напилення - процес нанесення зовнішнього покриття, | |коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій утворюється і | |керується плазма, використовує порошок або дріт з матеріалу | |покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, в яких | |формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення | |може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або | |високошвидкісною плазмою. | |----------------------------------------------------------------| |Особливі |1. Низький тиск - це тиск, нижчий за | |примітки. |атмосферний. | | |2. Високошвидкісна плазма визначається | | |швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с,| | |розрахованої при температурі 293 K | | |(20 град.C) та тиску 0,1 МПа. | |----------------------------------------------------------------| |e. Осадження із суспензії - процес нанесення покриття з | |модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або | |керамічний порошок з органічною сполучною речовиною | |суспензований в рідині та наноситься на підкладку за допомогою | |напилення, занурення або фарбування з наступним повітряним або | |пічним сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних | |властивостей покриття. | |----------------------------------------------------------------| |f. Осадження розпиленням - процес нанесення зовнішнього | |покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху, | |коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в | |напрямку до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається).| |Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів | |на поверхні мішені та їх осадження на підкладку. | |----------------------------------------------------------------| |Особливі |1. У таблиці наведені відомості тільки щодо | |примітки. |тріодного, магнетронного або реактивного | | |осадження розпиленням, які застосовуються | | |для збільшення адгезії матеріалу покриття та| | |швидкості його нанесення, а також щодо | | |радіочастотного підсилення напилення, яке | | |використовується під час нанесення | | |пароутворювальних неметалевих матеріалів для| | |покриття. | | |2. Низькоенергетичні іонні промені (менше | | |ніж 5 КеВ) можуть бути використані для | | |прискорення (активації) процесу нанесення | | |покриття. | |----------------------------------------------------------------| |g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з | |модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент | |іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та | |імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною | |імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація | |здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження | |або осадження розпилюванням. | ------------------------------------------------------------------

------------------------------------------------------------------ | Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних | | методів осадження покриття | |----------------------------------------------------------------| | Технічна інформація про таблицю технічних засобів осадження | | покриття використовується у разі потреби. | |----------------------------------------------------------------| |1. |Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях" | | |для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:| | |a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні: | | | 1) склад розчину у ванні: | | | a) для усунення старого та пошкодженого покриття, | | | продуктів корозії або сторонніх відкладень; | | | b) для приготування чистих підкладок; | | | 2) час оброблення у ванні; | | | 3) температура ванни; | | | 4) кількість та послідовність циклів миття; | | |b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення | | | ступеня очищення або повноти очисної дози; | | |c) параметри циклів термічного оброблення: | | | 1) атмосферні параметри: | | | a) склад атмосфери; | | | b) атмосферний тиск; | | | 2) температура термічної обробки; | | | 3) тривалість термічної обробки; | | |d) параметри підготовки підкладок: | | | 1) параметри піскоструминного очищення: | | | a) склад часток; | | | b) розмір та форма часток; | | | c) швидкість подачі часток; | | | 2) час та послідовність циклів очищення після | | | піскоструминного очищення; | | | 3) параметри кінцевого оброблення поверхні; | | | 4) використання зв'язувальних для посилення адгезії; | | |e) технічні параметри маскування: | | | 1) матеріал маски; | | | 2) розміщення маски. | |---+------------------------------------------------------------| |2. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", | | |які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у | | |таблиці: | | |a) атмосферні параметри: | | | 1) склад атмосфери; | | | 2) атмосферний тиск; | | |b) часові параметри; | | |c) температурні параметри; | | |d) параметри товщини; | | |e) коефіцієнт параметрів заломлення; | | |f) контроль складу покриття. | |---+------------------------------------------------------------| |3. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", | | |які використовуються після нанесення покриття на підкладку, | | |зазначену в таблиці: | | |a) параметри дробоструминної обробки: | | | 1) склад дробу; | | | 2) розмір дробу; | | | 3) швидкість подавання дробу; | | |b) параметри очищення після обробки дробом; | | |c) параметри циклу термічної обробки: | | | 1) атмосферні параметри: | | | a) склад атмосфери; | | | b) атмосферний тиск; | | | 2) температурно-часові цикли; | | |d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання | | | покритих підкладок. | |---+------------------------------------------------------------| |4. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" | | |для визначення технічних прийомів, які гарантують якість | | |покриття підкладок, зазначених у таблиці: | | |a) критерії статистичного відбіркового контролю; | | |b) мікроскопічні критерії для: | | | 1) збільшення покриття; | | | 2) рівномірності товщини покриття; | | | 3) цілісності покриття; | | | 4) складу покриття; | | | 5) зчеплення покриття та підкладки; | | | 6) мікроструктурної однорідності; | | |c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей | | | (вимірювані як функція довжини хвилі): | | | 1) відбивна властивість; | | | 2) прозорість; | | | 3) поглинання; | | | 4) розсіювання. | |---+------------------------------------------------------------| |5. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" | | |та параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з | | |процесами видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці: | | |a) для хімічного осадження з парової фази (CVD): | | | 1) склад та формування джерела покриття; | | | 2) склад несучого газу; | | | 3) температура підкладки; | | | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | | 5) контроль газу та маніпулювання деталями; | | |b) для термічного випарювання - фізичного осадження з | | | парової фази (PVD): | | | 1) склад зливка або джерела матеріалу покриття; | | | 2) температура підкладки; | | | 3) склад активного газу; | | | 4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування | | | матеріалу; | | | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | | 6) маніпуляція променем та деталлю; | | | 7) параметри "лазера": | | | a) довжина хвилі; | | | b) щільність потужності; | | | c) тривалість імпульсу; | | | d) періодичність імпульсів; | | | e) джерело; | | |c) для твердофазного осадження: | | | 1) склад обмазки та формування; | | | 2) склад несучого газу; | | | 3) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | |d) для плазмового напилення: | | | 1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів; | | | 2) склад та параметри газу, що подається; | | | 3) температура підкладки; | | | 4) параметри потужності плазмової гармати; | | | 5) дистанція напилення; | | | 6) кут напилення; | | | 7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку; | | | 8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями; | | |e) для осадження розпиленням: | | | 1) склад та спосіб виробництва мішені; | | | 2) геометричне регулювання положення деталей та мішені; | | | 3) склад хімічно активного газу; | | | 4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення); | | | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | | 6) потужність тріода; | | | 7) маніпулювання деталлю; | | |f) для іонної імплантації: | | | 1) контроль променя та маніпулювання деталлю; | | | 2) елементи конструкції джерела іонів; | | | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами | | | швидкості осадження; | | | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | |g) для іонного покриття: | | | 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; | | | 2) елементи конструкції джерела іонів; | | | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами | | | швидкості осадження; | | | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; | | | 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість | | | випаровування; | | | 6) температура підкладки; | | | 7) параметри електричного зміщення підкладки. | ------------------------------------------------------------------

Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |------------+------------------------------------+--------------| |3. |ЕЛЕКТРОНІКА | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та "компонентів", | | | зазначених у позиції 3.A, інших, ніж описані у | | | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, | | | які спеціально призначені або мають такі | | | функціональні характеристики, як і інше | | | обладнання, визначається контрольним статусом | | | іншого обладнання. | | |2. Контрольний статус інтегральних схем, зазначених| | | у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12,| | | програми яких не можуть бути змінені або які | | | призначені для виконання конкретних функцій для | | | іншого обладнання, визначається контрольним | | | статусом іншого обладнання. | | |3. Контрольний статус обладнання та "компонентів", | | | зазначених у розділі 3, які спеціально | | | розроблені або безпосередньо можуть бути | | | використані для виконання функцій "захисту | | | інформації", визначається з урахуванням | | | критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 | | | (Захист інформації). | |------------+---------------------------------------------------| |Особлива |Якщо виробник або заявник не може визначити статус | |примітка. |контролю за іншим обладнанням, то цей статус | | |визначається статусом контролю за інтегральними | | |схемами, зазначеними в позиціях 3.A.1.a.3 - | | |3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. | |------------+---------------------------------------------------| |3.A.1. |Електронні "компоненти" та | | |[3A001] |спеціально призначені "компоненти" | | | |для них: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) інтегральні мікросхеми загального| | | | призначення: | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або | | |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна | | |функція, визначається параметрами, зазначеними у | | |позиції 3.A.1.a. | | |2. Інтегральні схеми включають такі типи: | | |"монолітні інтегральні схеми"; | | |"гібридні інтегральні схеми"; | | |"багатокристалічні інтегральні схеми"; | | |"плівкові інтегральні схеми", включаючи інтегральні| | |схеми типу кремній на сапфірі; | | |"оптичні інтегральні схеми". | |------------+---------------------------------------------------| | |1) інтегральні схеми, спроектовані |з 8542 | | | або класифіковані виробником як | | | | радіаційно стійкі для того, щоб | | | | витримати будь-що з наведеного | | | | нижче: | | | |------------------------------------+--------------| | | 3 | | | | a) загальну дозу 5 х 10 рад | | | | (кремній) або вище; | | | |------------------------------------+--------------| | | 6 | | | | b) межу потужності дози 5 х 10 | | | | рад (кремній)/секунда або | | | | вище; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) флюенс (інтегральна густота | | | | потоку) нейтронів (еквівалент | | | | 13 | | | | 1 Ме-В) 5 х 10 нейтронів/кв.см | | | | або вище на кремнії, або його | | | | еквівалент для інших матеріалів; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до структур | | |метал-діелектрик-напівпровідник (MIS). | |------------+---------------------------------------------------| | |2) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 | | | "мікросхеми мікрокомп'ютера", | | | | мікросхеми мікроконтролера, | | | | інтегральні схеми пам'яті, | | | | виготовлені із складного | | | | напівпровідника, перетворювачі з | | | | аналогової форми у цифрову, | | | | перетворювачі з цифрової форми в | | | | аналогову, електрооптичні або | | | | "оптичні інтегральні схеми", | | | | призначені для "оброблення | | | | сигналів", логічні пристрої з | | | | експлуатаційним програмуванням, | | | | інтегральні схеми нейронної | | | | мережі, інтегральні схеми на | | | | замовлення, для яких не відома | | | | або функція, або стан контролю | | | | обладнання, у якому буде | | | | використана інтегральна схема, | | | | процесори швидкого перетворення | | | | Фур'є (FFT), програмована | | | | постійна пам'ять із стиранням | | | | електричним струмом (EEPROMs), | | | | імпульсна пам'ять або статична | | | | пам'ять з довільною вибіркою | | | | (SRAMs), які мають будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) працездатні при температурі | | | | навколишнього середовища понад | | | | 398 K (+125 град.C); | | | |------------------------------------+--------------| | | b) працездатні при температурі | | | | навколишнього середовища нижче | | | | 218 K (-55 град.C); | | | |------------------------------------+--------------| | | c) працездатні за межами діапазону | | | | температур навколишнього | | | | середовища від 218 K | | | | (-55 град.C) до 398 K | | | | (+125 град.C); | | | |------------------------------------+--------------| | |3) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 | | | "мікросхеми мікрокомп'ютера" і | | | | мікросхеми мікроконтролерів, які | | | | виготовлені з напівпровідникових | | | | з'єднань та працюють з тактовою | | | | частотою понад 40 МГц; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори цифрових | | |сигналів, цифрові матричні процесори і цифрові | | |співпроцесори. | |------------+---------------------------------------------------| | |4) інтегральні схеми пам'яті, |з 8542 | | | виготовлені на основі | | | | напівпровідникових з'єднань; | | | |------------------------------------+--------------| | |5) інтегральні схеми аналого- |з 8542 | | | цифрових та цифро-аналогових | | | | перетворювачів: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) аналого-цифрові перетворювачі, | | | | які мають будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) роздільну здатність 8 біт або | | | | більше, але меншу ніж 10 біт | | | | при швидкості виведення даних | | | | більш як 500 млн. слів | | | | за секунду; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) роздільну здатність 10 біт або | | | | більше, але меншу ніж 12 біт | | | | при швидкості виведення даних | | | | більш як 200 млн. слів за | | | | чсекунду; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) роздільну здатність 12 біт при | | | | швидкості виведення даних | | | | більше ніж 105 млн. слів | | | | за секунду; | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) роздільну здатність більшу | | | | ніж 12 біт, але дорівнює або | | | | менше ніж 14 біт, при швидкості| | | | виведення даних більш як | | | | 10 млн. слів за секунду; або | | | |------------------------------------+--------------| | | 5) роздільну здатність більше | | | | ніж 14 біт при швидкості | | | | виведення даних більш як | | | | 2,5 млн. слів за секунду; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) цифро-аналогові перетворювачі з | | | | роздільною здатністю 12 біт або | | | | більше та "часом установлення" | | | | менш як 10 нс; | | |------------+---------------------------------------------------|

|Технічні |1. Роздільна здатність n біт відповідає 2n рівням | |примітки. |квантування. | | |2. Кількість біт у виведеному слові дорівнює | | |роздільній здатності аналого-цифрового | | |перетворювача. | | |3. Швидкість виведення даних є максимальною | | |швидкістю виведення даних перетворювача незалежно | | |від архітектури або надлишкової дискретизації | | |(вибірки). Постачальники можуть також посилатись на| | |швидкість виведення даних як на частоту | | |дискретизації, швидкість перетворення або пропускну| | |здатність. Вона зазвичай визначається у мегагерцах | | |(МГц) або мегавибірках за секунду (MSPS). | | |4. Для цілей вимірювання швидкості виведення даних | | |одне виведене слово за секунду є еквівалентом | | |одного Герца або однієї вибірки за секунду. | |------------+---------------------------------------------------| | |6) електронно-оптичні або "оптичні | | | | інтегральні схеми" для | | | | "оброблення сигналів", які мають:| | | |------------------------------------+--------------| | | a) один внутрішній "лазерний" діод |з 85421 | | | або більше; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) один внутрішній світлочутливий | | | | елемент або більше; та | | | |------------------------------------+--------------| | | c) оптичні хвилеводи; | | | |------------------------------------+--------------| | |7) пристрої, що програмуються |з 8542 | | | користувачем, які мають одну з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) максимальну кількість цифрових | | | | входів/виходів більшу як 200; | | | | або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) кількість вентилів системи понад| | | | 230000; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Позиція 3.A.1.a.7 включає: | | |прості програмовані логічні пристрої (SPLD); | | |складні програмовані логічні пристрої (CPLD); | | |вентильні матриці з можливістю програмування | | |користувачем (FPGA); | | |логічні матриці з можливістю програмування | | |користувачем (FPLA); | | |схеми з'єднань з можливістю програмування | | |користувачем (FPIC). | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |1. Логічні пристрої з можливістю програмування | |примітка. |користувачем, відомі також як вентильні або логічні| | |матриці з можливістю програмування користувачем. | | |2. Максимальною кількістю входів/виходів, | | |зазначених у позиції 3.A.1.a.7.a, називають також | | |максимальну кількість входів/виходів користувача | | |або максимально доступну кількість входів/виходів | | |як для корпусних, так і для безкорпусних | | |інтегральних схем. | |------------+---------------------------------------------------| | |8) не використовується з 1999 року; | | | |------------------------------------+--------------| | |9) інтегральні схеми для нейронних |з 8542 | | | мереж; | | | |------------------------------------+--------------| | |10) інтегральні схеми на замовлення,|з 8542 30 | | | функція яких не відома, або | | | | контрольний статус обладнання, у| | | | якому використовуватимуться | | | | зазначені інтегральні схеми, не | | | | відомі виробнику, що мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) більш ніж 1500 терміналів; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) типовий "час затримки поширення | | | | базового логічного елемента" | | | | менш як 0,02 нс; або | | | |------------------------------------+--------------| | | c) робочу частоту понад 3 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | |11) цифрові інтегральні схеми, що |8542 13 99 00,| | | відрізняються від зазначених у |8542 14 99 00,| | | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 |8542 19 98 00,| | | та 3.A.1.a.12, які створені на |8542 12 00 00 | | | основі будь-якого складного | | | | напівпровідника і мають будь-яку| | | | з наведених нижче характеристик:| | | |------------------------------------+--------------| | | a) еквівалентну кількість вентилів | | | | понад 3000 (у перерахунку на | | | | двовходові); або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) частоту перемикання понад | | | | 1,2 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | |12) процесори швидкісного |з 8542, 8543 | | | перетворення Фур'є (FFT), які | | | | мають номінальний час виконання | | | | для N-позначкового комплексного | | | | швидкісного перетворення Фур'є | | | | менш як (N log )/20480 мкс, | | | | 2 | | | | де N - кількість позначок; | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у позиції | |примітка. |3.A.1.a.12 визначає час виконання 500 мкс. | |------------+---------------------------------------------------| | |b) прилади мікрохвильового та | | | | міліметрового діапазону: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) електронні вакуумні лампи та | | | | катоди: | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають | | |лампи, призначені або нормовані для роботи у будь- | | |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним | | |нижче характеристикам: | | |a) максимальна робоча частота якого не перевищує | | |31,8 ГГц; та | | |b) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" | | |(ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для | | |радіовизначення. | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 2. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають | | |"не придатні для використання в космосі" лампи, які| | |відповідають наведеним нижче характеристикам: | | |a) середня вихідна потужність дорівнює або менше | | |ніж 50 Вт; та | | |b) призначені або класифіковані для роботи в будь- | | |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним | | |нижче характеристикам: | | | 1) вище 31,8 ГГц, але не перевищує 43,5 ГГц; та | | | 2) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку"| | |(ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для | | |радіовизначення. | |------------+---------------------------------------------------| | |a) лампи біжучої хвилі імпульсної |8540 79 00 00 | | | або безперервної дії: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) з робочою частотою понад | | | | 31,8 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) які мають елемент підігрівання | | | | катода з часом від моменту | | | | включення до виходу лампи на | | | | номінальну радіочастотну | | | | потужність менше ніж 3 с; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) лампи із сполученими | | | | резонаторами або їх | | | | модифікації з "відносною | | | | шириною смуги частот" понад 7% | | | | або з піковою потужністю понад | | | | 2,5 кВт; | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) спіральні лампи або їх | | | | модифікації, які мають одну з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) "миттєва ширина смуги частот" | | | | становить понад 1 октаву і | | | | добуток номінальної середньої | | | | вихідної потужності (у кВт) на | | | | максимальну робочу частоту | | | | (у ГГц) становить понад 0,5; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) "миттєва ширина смуги частот" | | | | становить 1 октаві або менше і | | | | добуток номінальної середньої | | | | вихідної потужності (у кВт) на | | | | максимальну робочу частоту | | | | (у ГГц) становить понад 1; або | | | |------------------------------------+--------------| | | c) "придатні для використання в | | | | космосі"; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) лампи - підсилювачі магнетронного|8540 71 00 00 | | | типу з коефіцієнтом підсилення | | | | понад 17 дБ; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) імпрегновані катоди для |8540 79 00 00 | | | електронних ламп, які виробляють | | | | густину струму при безперервній | | | | емісії за штатних умов | | | | експлуатації понад 5 А/кв.см; | | | |------------------------------------+--------------| | |2) підсилювачі потужності на |8542 | | | монолітних інтегральних схемах | | | | мікрохвильового діапазону (MMIC),| | | | що мають будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) працюють на частотах понад | | | | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 4 Вт (36 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги | | | | частот" більше ніж 15%; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| | | | до 16 ГГц включно з середньою | | | | вихідною потужністю більше ніж | | | | 1 Вт (30 дБм) і "відносною | | | | шириною смуги частот" більше | | | | ніж 10%; | | | |------------------------------------+--------------| | | c) працюють на частотах понад | | | | 16 ГГц до 31,8 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги | | | | частот" більше ніж 10%; | | | |------------------------------------+--------------| | | d) працюють на частотах понад | | | | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | | | |------------------------------------+--------------| | | e) працюють для роботи на частотах | | | | понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц | | | | включно з середньою вихідною | | | | потужністю більше ніж 0,25 Вт | | | | (24 дБм) і "відносною шириною | | | | смуги частот" більше ніж | | | | 10%; або | | | |------------------------------------+--------------| | | f) працюють на частотах понад | | | | 43,5 ГГц; | | |------------+---------------------------------------------------|

|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягає| | |обладнання радіомовних супутників, призначене або | | |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до| | |42,5 ГГц. | | |2. Контрольний статус ММІС, номінальна робоча | | |частота якого включає частоти, перелічені в більш | | |ніж одному діапазоні частот, визначених у позиціях | | |3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f, визначається нижчим | | |середнім значенням вихідної потужності. | | |3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3 означають,| | |що згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не | | |підлягають MMIC, якщо вони спеціально призначені | | |для інших застосувань, наприклад, у | | |телекомунікаційному зв'язку, РЛС, автомобілях. | |------------+---------------------------------------------------| | |3) дискретні мікрохвильові |8541 | | | транзистори, які мають будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) працюють на частотах понад | | | | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно і | | | | мають середню вихідну потужність| | | | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм); | | | |------------------------------------+--------------| | | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| | | | до 31,8 ГГц включно і мають | | | | середню вихідну потужність | | | | більше ніж 20 Вт (43 дБм); | | | |------------------------------------+--------------| | | c) працюють на частотах понад | | | | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно і | | | | мають середню вихідну потужність| | | | більше ніж 0,5 Вт (27 дБм); | | | |------------------------------------+--------------| | | d) працюють на частотах понад | | | | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно і | | | | мають середню вихідну потужність| | | | більше ніж 1 Вт (30 дБм); або | | | |------------------------------------+--------------| | | e) працюють на частотах понад | | | | 43,5 ГГц; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Контрольний статус транзистора, номінальна робоча | | |частота якого включає частоти, перелічені в більш | | |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях | | |3.A.1.b.3.a - 3.A.1.b.3.e, визначається нижчим | | |середнім показником вихідної потужності. | |------------+---------------------------------------------------| | |4) мікрохвильові твердотільні |8543 | | | підсилювачі та мікрохвильові | | | | збірки/модулі, які містять | | | | мікрохвильові підсилювачі, що | | | | мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) працюють на частотах понад | | | | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги частот"| | | | більше ніж 15%; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| | | | до 31,8 ГГц включно з середньою | | | | вихідною потужністю більше ніж | | | | 15 Вт (42 дБм) і "відносною | | | | шириною смуги частот" більше | | | | ніж 10%; | | | |------------------------------------+--------------| | | c) працюють на частотах понад | | | | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | | | |------------------------------------+--------------| | | d) працюють на частотах понад | | | | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно | | | | з середньою вихідною | | | | потужністю більше ніж 1 Вт | | | | (30 дБм) і "відносною шириною | | | | смуги частот" більше ніж 10%; | | | |------------------------------------+--------------| | | e) працюють на частотах понад | | | | 43,5 ГГц; або | | | |------------------------------------+--------------| | | f) працюють на частотах понад | | | | 3,2 ГГц і мають такі | | | | характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) середню вихідну потужність (у | | | | ватах) більше ніж 150, | | | | поділених на максимальну робочу| | | | частоту (у Гігагерцах) у | | | | квадраті [P > 150 Вт х | | | | 2 2 | | | | ГГц /f ]; | | | | ГГц | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) відносну ширину смуги частот 5%| | | | або більше; та | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) будь-які дві сторони, | | | | перпендикулярні одна одній, | | | | мають довжину d (в | | | | сантиметрах), що дорівнює | | | | або менше ніж 15 см поділених | | | | на найменшу робочу частоту | | | | у Гігагерцах [d <= 15 см х | | | | ГГц/f ]; | | | | ГГц | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу робочу | |примітка. |частоту (f ) у формулі, наведеній у позиції 3. | | | ГГц | | |A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з розрахованим | | |робочим діапазоном, що розширюється до 3,2 ГГц і | | |нижче [d <= 15 см * ГГц/3,2 ГГц]. | |------------+---------------------------------------------------| |Особлива |Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC | |примітка. |слід оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції| | |3.A.1.b.2. | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає| | |обладнання радіомовних супутників, призначене або | | |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до| | |42,5 ГГц. | | |2. Контрольний статус виробу, номінальна робоча | | |частота якого включає частоти, перелічені в більш | | |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях | | |3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e, визначається нижчим | | |середнім значенням вихідної потужності. | |------------+---------------------------------------------------| | |5) смугові або загороджувальні |8529 | | | фільтри з електронним або | | | | магнітним налагодженням, які | | | | мають понад 5 налагоджувальних | | | | резонаторів, що забезпечують | | | | налагодження в смузі частот, | | | | з відношенням максимальної | | | | та мінімальної частот 1,5:1 | | | | менше ніж за 10 мкс і мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) смугу частот пропускання, що | | | | становить понад 0,5% | | | | резонансної частоти; або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) смугу загородження, що становить| | | | менш як 0,5% резонансної | | | | частоти; | | | |------------------------------------+--------------| | |6) не використовується з 2003 року; |8529 | | |------------------------------------+--------------| | |7) перетворювачі та змішувачі на | | | | гармоніках, призначені для | | | | розширення частотного діапазону | | | | обладнання, зазначеного в | | | | позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.d, | | | | 3.A.2.e або 3.A.2.f, за межі | | | | порогових значень, зазначених | | | | у цих позиціях; | | | |------------------------------------+--------------| | |8) мікрохвильові підсилювачі |з 8540 71 | | | потужності, які містять | | | | електронно-вакуумні прилади, | | | | що підлягають контролю згідно | | | | з позицією 3.A.1.b.1, і мають: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) робочу частоту понад 3 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) відношення середньої густини | | | | вихідної потужності до маси | | | | понад 80 Вт/кг; та | | | |------------------------------------+--------------| | | c) об'єм, менший ніж 400 куб.см; | | |------------+---------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає | | |обладнання, призначене або нормоване для роботи у | | |будь-якій смузі, що є "виділеною Міжнародним союзом| | |електрозв'язку (ITU)" для надання послуг | | |радіозв'язку, але не для радіовизначення. | |------------+---------------------------------------------------| | |9) мікрохвильові силові модулі | | | | (МСМ), що складаються, принаймні,| | | | з лампи біжучої хвилі, | | | | мікрохвильової монолітної | | | | інтегральної схеми та вбудованого| | | | електронного стабілізатора | | | | потужності та мають такі | | | | характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) час вмикання від вимкненого до | | | | повністю робочого стану - менше | | | | ніж 10 секунд; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) об'єм менший ніж максимальна | | | | номінальна потужність (Вт), | | | | помножена на 10 куб.см/Вт; та | | | |------------------------------------+--------------| | | c) "миттєва ширина смуги частот" | | | | більше ніж 1 октава | | | | (f > 2f ,) | | | | max min | | | | та будь-що з наведеного нижче: | | | | 1) для частот 18 ГГц і менше - | | | | вихідна потужність ВЧ-сигналу | | | | понад 100 Вт; або | | | | 2) частота понад 18 ГГц. | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічні |1. Нижче наведено приклад для обчислення об'єму у | |примітки. |позиції 3.A.1.b.9.b. У разі максимальної | | |номінальної потужності 20 Вт об'єм дорівнюватиме | | |20 Вт х 10 куб.см/Вт = 200 куб.см. | | |2. Час вмикання у позиції 3.A.1.b.9.a. означає час | | |від вимкненого до повністю робочого стану, тобто | | |включає час входження МСМ у режим. | |------------+---------------------------------------------------| | |10) осцилятори або зборки | | | | осциляторів, призначені для | | | | роботи з усіма наведеними нижче | | | | характеристиками: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) фазовий шум однієї бокової смуги| | | | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | | | | ніж - (126 + 20log F - | | | | 10 | | | | 20log f) для | | | | 10 | | | | 10 Гц < F < 10 кГц; та | | | |------------------------------------+--------------| | | b) фазовий шум однієї бокової смуги| | | | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | | | | ніж - (114 + 20log F - | | | | 10 | | | | 20log f) для | | | | 10 | | | | 10 кГц < F < 500 кГц. | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |У позиції 3.A.1.b.10. F - зміщення від робочої | |примітка. |частоти у Гц, а f - робоча частота у МГц. | |------------+---------------------------------------------------| | |c) прилади на акустичних хвилях та | | | | "спеціально призначені | | | | компоненти" для них: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) прилади на поверхневих |8541 60 00 00 | | | акустичних хвилях і акустичних | | | | хвилях у тонкій підкладці, які | | | | мають одну з таких | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) несуча частота понад 6 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) несуча частота понад 1 ГГц, але| | | | не більше 6 ГГц, і мають | | | | будь-яку з характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) "частотне заглушення бокових | | | | пелюстків діаграми | | | | направленості" понад 65 дБ; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) добуток максимального часу | | | | затримки (у мкс) і "миттєвої | | | | ширини смуги частот" (у МГц) | | | | понад 100; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) "миттєва ширина смуги частот" | | | | понад 250 МГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) затримка розсіювання понад | | | | 10 мкс; | | | |------------------------------------+--------------| | | c) несуча частота, яка дорівнює | | | | 1 ГГц або менше і має одну з | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) добуток максимального часу | | | | затримки (у мкс) і "миттєвої | | | | ширини смуги частот" (у МГц) | | | | понад 100; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) затримка розсіювання понад | | | | 10 мкс; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) "частотне заглушення бокових | | | | пелюстків діаграми | | | | направленості" понад 65 дБ та | | | | ширина смуги частот | | | | понад 100 МГц; | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |"Частотне заглушення бокових пелюстків діаграми | |примітка. |направленості" - максимальне значення затухання, | | |визначене у довіднику. | |------------+---------------------------------------------------| | | 2) прилади на об'ємних акустичних |8541 60 00 00 | | | хвилях, що забезпечують | | | | безпосереднє "оброблення | | | | сигналів" на частотах | | | | понад 6 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) акустооптичні прилади |8541 60 00 00 | | | "оброблення сигналів", які | | | | використовують взаємодію між | | | | акустичними хвилями (об'ємними | | | | чи поверхневими) і світловими | | | | хвилями, що забезпечує | | | | безпосереднє "оброблення | | | | сигналів" або зображення, | | | | включаючи аналіз спектра, | | | | кореляцію або згортку; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.c. контролю не підлягають | | |прилади на акустичних хвилях, використання яких | | |обмежене фільтруванням простої смуги, | | |низькочастотним фільтруванням, високочастотним | | |фільтруванням, вузькосмуговим режекторним | | |фільтруванням або резонансною функцією. | |------------+---------------------------------------------------| | |d) електронні прилади або схеми, які|8542 50 00 00 | | | містять елементи, виготовлені з | | | | "надпровідних" матеріалів, | | | | спеціально спроектовані для | | | | роботи при температурах, нижчих | | | | від "критичної температури" хоча | | | | б для однієї з "надпровідних" | | | | складових, і мають одну з таких | | | | ознак: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) наявність струмових перемикачів | | | | для цифрових схем, які | | | | використовують "надпровідні" | | | | вентилі, в яких добуток часу | | | | затримки на вентиль (у секундах)| | | | і розсіювання потужності на | | | | вентиль (у ватах) нижче ніж | | | | -14 | | | | 10 Дж; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) забезпечення селекції частоти на| | | | всіх діапазонах частот з | | | | використанням резонансних | | | | контурів з добротністю більш як | | | | 10000; | | | |------------------------------------+--------------| | |e) прилади високої енергії: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) елементи: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) первинні елементи з густиною |з 8506 60, | | | енергії понад 550 Вт год/кг при|8506 80, | | | 20 град.C; |8540 10 10 00 | | |------------------------------------+--------------| | | b) вторинні елементи з густиною |з 8506 60, | | | енергії понад 250 Вт год/кг при|8506 80, | | | 20 град.C; |8540 10 10 00 | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |1. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 густина енергії (Вт | |примітка. |год/кг) обчислюється шляхом множення номінальної | | |напруги на номінальну ємність в ампер-годинах і | | |ділення добутку на масу у кілограмах. Якщо | | |номінальну ємність не зазначено, густина енергії | | |обчислюється шляхом множення квадрату номінальної | | |напруги на тривалість розряду в годинах і ділення | | |добутку на навантаження розряду в омах та на масу у| | |кілограмах. | | |2. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 елемент визначається| | |як електрохімічний пристрій, що має позитивний та | | |негативний електроди і електроліт, та є джерелом | | |електричної енергії. Елемент є основним | | |функціональним блоком батареї. | | |3. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 первинний елемент є | | |елементом, який не призначений для зарядження будь-| | |яким іншим джерелом. | | |4. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 вторинний елемент є | | |елементом, який призначений для зарядження | | |зовнішнім електричним джерелом. | |------------+---------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e. контролю не підлягають | | |батареї, зокрема одноелементні. | |------------+---------------------------------------------------| | | 2) накопичувачі великої енергії: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, | | | повторення менше ніж 10 Гц |8506 80, | | | (одноразові накопичувачі), що |8540 10 10 00 | | | мають такі характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) номінальну напругу не менше | | | | ніж 5 кВ; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) густину енергії не менше | | | | ніж 250 Дж/кг; та | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) загальну енергію не менше | | | | ніж 25 кДж; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, | | | повторення 10 Гц і більше |8506 80, | | | (багаторазові накопичувачі), |8540 10 10 00 | | | які мають: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) номінальну напругу не менше |з 8507 80 | | | ніж 5 кВ; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) густину енергії не менше | | | | ніж 50 Дж/кг; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) загальну енергію не менше | | | | ніж 100 Дж; та | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) кількість циклів заряду- | | | | розряду не менше ніж 10000; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) "надпровідні" електромагніти та |8505 19 90 00 | | | соленоїди, спеціально | | | | спроектовані на повне заряджання| | | | або розряджання менше ніж за | | | | 1 секунду, які мають: | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають | | |"надпровідні" електромагніти або соленоїди, | | |спеціально призначені для медичної апаратури | | |магніторезонансної томографії (MRI). | |------------+---------------------------------------------------| | | a) максимальну енергію під час | | | | розряду понад 10 кДж за першу | | | | секунду; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) внутрішній діаметр | | | | струмопровідних обмоток понад | | | | 250 мм; та | | | |------------------------------------+--------------| | | c) номінальну магнітну індукцію | | | | понад 8 Т або "сумарну густину | | | | струму" в обмотці понад | | | | 300 А/кв.мм; | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) сонячні елементи, збірки | | | | корпусів міжз'єднань елементів | | | | (КМЕ), панелі сонячних батарей | | | | та сонячні батареї, "придатні | | | | для використання в космосі" та | | | | мають мінімальний середній | | | | коефіцієнт корисної дії | | | | понад 20% при робочій | | | | температурі 301 K (28 град.C) | | | | в умовах імітованого освітлення | | | | AM0 з опроміненням 1367 Вт/кв.м.| | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |AM0, або нульова повітряна маса, означає | |примітка. |спектральну щільність потоку сонячного | | |випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де | | |відстань між Землею та Сонцем становить одну | | |астрономічну одиницю (АО). | |------------+---------------------------------------------------| | |f) обертові перетворювачі |9031 80 31 10,| | | абсолютного кутового положення |9031 80 31 90,| | | вала в кут, які мають точність, |8502 40 | | | рівну або меншу (кращу) ніж +- 1 | | | | кутова секунда; | | | |------------------------------------+--------------| | |g) твердотільні імпульсні силові | | | | тиристорні перемикачі та | | | | тиристорні модулі, в яких | | | | застосовуються методи | | | | перемикання з електричним, | | | | оптичним або електронно- | | | | емісійним керуванням, що мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) максимальну швидкість наростання| | | | відмикаючого струму (di/dt) | | | | понад 30000 А/мкс, а напругу у | | | | замкненому стані понад 1100 В; | | | | або | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) максимальну швидкість наростання| | | | відмикаючого струму (di/dt) | | | | понад 2000 А/мкс та всі наведені| | | | нижче характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) пікова напруга у замкненому | | | | стані дорівнює або більше | | | | 3000 В; та | | | | b) піковий (ударний) струм | | | | дорівнює або більше 3000 А; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 1. |Позиція 3.A.1.g включає: | | |кремнієві керовані діоди (ККД); | | |електричні пускові тиристори (ЕПТ); | | |пускові фототиристори (ОПТ); | | |інтегральні вентильні комутовані тиристори (ІВКТ); | | |тиристори з вентилями, що запираються (ТВЗ); | | |МОП-керовані тиристори; | | |солідтрони. | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Для цілей позиції 3.A.1.g тиристорний модуль | |примітка. |містить один тиристорний пристрій або більше. | |------------+---------------------------------------------------| | |h) твердотільні напівпровідникові | | | | перемикачі потужності, діоди або | | | | модулі, які мають такі | | | | характеристки: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) максимальну номінальну робочу | | | | температуру переходу більше ніж | | | | 478 K (215 град.C); | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) максимальну періодичну напругу в| | | | закритому стані (блокуючу | | | | напругу) понад 300 В; та | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) тривало допустимий струм більше | | | | ніж 1 А. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 1. |Максимальна періодична напруга в закритому стані, | | |зазначена в позиції 3.A.1.h, включає напругу стік- | | |виток, напругу коллектор-емитер, максимальну | | |періодичну зворотну напругу та максимальну | | |періодичну напругу в закритому стані. | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 2. |Пункт 3.A.1.h включає: | | |польові транзистори з управляючим p-n-переходом | | |(JFET); | | |польові транзистори з вертикальним управляючим | | |p-n-переходом (VJFET); | | |польові транзистори із структурою метал-оксид- | | |напівпровідник (MOSFET); | | |польові транзистори із структурою метал-оксид- | | |напівпровідник, виготовлені методом подвійної | | |дифузії (DMOSFET); | | |біполярні транзистори з ізольованим затвором | | |(IGBT); | | |транзистори з високою рухомістю електронів (HMET); | | |біполярні площинні транзистори (BJT); | | |тиристори та кремнієві керовані діоди (SCR); | | |тиристори з комутованим затвором (GTO); | | |тиристори з вимкненням емітера (ETO); | | |регульовані резистивні діоди; | | |діоди Шотткі. | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка 3. |Згідно з позицією 3A001.h. контролю не підлягають | | |перемикачі, діоди або модулі, що входять до складу | | |в обладнання, призначеного для застосування у | | |цивільних автомобілях, на цивільній залізниці або у| | |"цивільних літальних апаратах". | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Відповідно до позиції 3.A.1.h модуль містить один | |примітка. |або більше твердотільних силових напівпровідникових| | |вимикачів або діодів. | |------------+---------------------------------------------------| |3.A.2. |Електронна апаратура загального | | |[3A002] |призначення: | | | |------------------------------------+--------------| | |а) записувальна апаратура і |8520 32 99 00 | | | спеціально призначена для неї | | | | вимірювальна стрічка: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) накопичувачі на магнітній плівці| | | | для аналогової апаратури, | | | | включаючи накопичувачі з | | | | можливістю запису цифрових | | | | сигналів (тобто, що | | | | використовують модуль цифрового | | | | запису високої щільності (HDDR),| | | | які мають одну з наведених нижче| | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) смугу частот понад 4 МГц на | | | | електронний канал або доріжку; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) смугу частот понад 2 МГц на | | | | електронний канал або доріжку | | | | при кількості доріжок понад 42;| | | | або | | | |------------------------------------+--------------| | | c) помилку непогодження змінної | | | | шкали, виміряну із | | | | застосуванням документів | | | | Асоціації електронної | | | | промисловості (EIA) або IRIG, | | | | менше ніж +- 0,1 мкс; | | |------------+---------------------------------------------------|

|Примітка. |Аналогові магнітофони, спеціально створені для | | |цілей цивільного відео, не вважаються | | |накопичувачами на плівці. | |------------+---------------------------------------------------| | | 2) цифрові відеомагнітофони, які |з 8521 10, | | | мають максимальну роздільну |8521 90 00 00 | | | здатність цифрового інтерфейсу | | | | понад 360 Мбіт/с; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають | | |цифрові стрічкові відеомагнітофони, спеціально | | |спроектовані для телевізійного запису з | | |використанням форми сигналу, що може включати форму| | |стисненого сигналу за стандартами або | | |рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку | | |(ITU), Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), | | |Спілки кіно- та телевізійних інженерів (SMPTE), | | |Європейського союзу радіомовлення (EBU), | | |Європейського інституту стандартів зв'язку (ETSI) | | |або Інституту інженерів - спеціалістів у галузі | | |електротехніки та електроніки (ІЕЕЕ), для | | |цивільного телебачення. | |------------+---------------------------------------------------| | | 3) накопичувачі на магнітній плівці|з 8521 10 | | | для цифрової апаратури, що | | | | використовує методи спірального | | | | сканування або фіксованих | | | | магнітних головок, які мають | | | | одну з таких характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | а) максимальна пропускна здатність| | | | цифрового інтерфейсу понад | | | | 175 Мбіт/с; або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) за технічними умовами "придатні| | | | для використання в космосі"; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають | | |аналогові накопичувачі на магнітній плівці, | | |оснащені електронікою для перетворення в цифровий | | |запис високої щільності (HDDR) та призначені для | | |запису лише цифрових даних. | |------------+---------------------------------------------------| | | 4) апаратура з максимальною |8521 90 00 00 | | | пропускною здатністю цифрового | | | | інтерфейсу понад 175 Мбіт/с, | | | | призначена для перетворення | | | | цифрових відеомагнітофонів у | | | | пристрої запису даних цифрової | | | | апаратури; | | | |------------------------------------+--------------| | | 5) цифрові перетворювачі форми |з 8543 | | | хвилі та перехідні реєстратори, | | | | які мають: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) швидкість цифрового | | | | перетворення, що дорівнює або | | | | більше ніж 200 млн. операцій | | | | за секунду з роздільною | | | | здатністю 10 біт або більше; та| | | |------------------------------------+--------------| | | b) безперервну пропускну | | | | здатність 2 Гбіт/с і більше; | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |1. Для зазначених приладів з паралельною шиною | |примітка. |швидкість безперервної пропускної здатності є | | |добутком найбільшого обсягу слів на кількість біт у| | |слові. | | |2. Безперервна пропускна здатність - це найвища | | |швидкість, з якою прилад може виводити дані в | | |накопичувач без втрати інформації та водночас | | |підтримувати швидкість вимірювання та функцію | | |аналого-цифрового перетворення. | |------------+---------------------------------------------------| | | 6) накопичувачі для цифрової | | | | апаратури, що використовують | | | | методи накопичення на магнітних | | | | дисках, які мають: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) швидкість цифрового | | | | перетворення, що дорівнює | | | | або більше ніж 100 млн. | | | | операцій за секунду та | | | | роздільну здатність 8 біт | | | | або більше; та | | | |------------------------------------+--------------| | | b) безперервну пропускну | | | | здатність 1 Гбіт/с або більше; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) "електронні збірки" "синтезаторів|з 8543, | | | частоти", які мають "час |8570 10 90 00 | | | перемикання частоти" з однієї на | | | | іншу менше ніж 1 мс; | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Статус контролю за аналізаторами сигналів, | | |генераторами сигналів, мережевими аналізаторами і | | |приймачів-тестерів мікрохвильового діапазону як | | |автономних приладів визначається відповідно | | |позиціями 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. та 3.A.2.f. | |------------+---------------------------------------------------| | |c) "Аналізатори сигналів" |з 8543, | | | радіочастоти, наведені нижче: |8570 10 90 00 | | |------------------------------------+--------------| | | 1) "аналізатори сигналів", які | | | | здатні аналізувати частоти понад| | | | 31,8 ГГц, але не більше ніж | | | | 37,5 ГГц, та мають ширину смуги | | | | частот з роздільною здатністю | | | | 3 дБ (RBW), що перевищує 10 МГц;| | | |------------------------------------+--------------| | | 2) "аналізатори сигналів", здатні | | | | аналізувати частоти понад | | | | 43,5 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) "динамічні аналізатори сигналів"| | | | із "шириною смуги частот у | | | | реальному масштабі часу" понад | | | | 500 кГц. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають | | |"динамічні аналізатори сигналів", які | | |використовують тільки фільтри із смугою пропускання| | |фіксованих частот (відомі також під назвою октавних| | |або фракційних октавних фільтрів); | |------------+---------------------------------------------------| | |d) генератори сигналів синтезаторів |8543 20 00 00 | | | частот, які формують вихідні | | | | частоти з керуванням за | | | | параметрами точності, | | | | короткочасної та довгочасної | | | | стабільності, на основі або | | | | за допомогою внутрішнього | | | | задавального генератора еталонної| | | | частоти і мають одну з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) максимальна синтезована частота | | | | понад 31,8 ГГц, але не вище | | | | 43,5 ГГц, та нормована для | | | | генерації імпульсів тривалістю | | | | менше ніж 100 нс; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) максимальна синтезована частота | | | | понад 43,5 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) "час перемикання частоти" з | | | | однієї заданої частоти на іншу | | | | відповідно до одного з наведених| | | | нижче варіантів: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) менше ніж 312 пікосекунд; | | | | b) менше ніж 100 мкс для | | | | будь-якого частотного вікна | | | | більше 1,6 ГГц в діапазоні | | | | синтезованих частот вище | | | | 3,2 ГГц, але не вище 10,6 ГГц; | | | | c) менше ніж 250 мкс для | | | | будь-якого частотного вікна | | | | більше 550 МГц в діапазоні | | | | синтезованих частот вище | | | | 10,6 ГГц, але не вище 31,8 ГГц;| | | | d) менше ніж 500 мкс для | | | | будь-якого частотного вікна | | | | більше 550 МГц в діапазоні | | | | синтезованих частот вище | | | | 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц;| | | | або | | | | e) менше 1 мс в діапазоні | | | | синтезованих частот вище | | | | 43,5 ГГц, або | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) максимальна синтезована частота | | | | понад 3,2 ГГц і мають все із | | | | зазначеного; | | | |------------------------------------+--------------| | | a) фазовий шум однієї бокової | | | | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | | | | краще ніж - (126 + | | | | 20log F - 20log f) для | | | | 10 10 | | | | 10 Гц < F < 10 кГц; та | | | |------------------------------------+--------------| | | b) фазовий шум однієї бокової | | | | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | | | | краще ніж - | | | | (114 + 20log F - 20log f) для| | | | 10 10 | | | | 10 кГц < F < 500 кГц. | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |В позиції 3.A.2.d.4 F є компенсацією робочої | |примітка. |частоти у Гц і f є робоча частота у МГц. | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Для цілей позиції 3.A.2.d термін "генератори | | |сигналів синтезаторів" означає генератори довільної| | |форми сигналу та функції. | | |2. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає | | |обладнання, у якому вихідна частота створюється | | |шляхом додавання або віднімання частот з двох або | | |більше кварцових генераторів чи шляхом додавання | | |або віднімання з наступним множенням результуючої | | |частоти. | |------------+---------------------------------------------------|

|Технічні |1. Генератори довільної форми сигналу та функції | |примітки. |зазвичай характеризуються частотою вибірки | | |(наприклад, гігавиборок за секунду), яка | | |перетворюється у радіочастотну область за допомогою| | |коефіцієнта Найквіста, що дорівнює 2. Тобто | | |довільна форма сигналу з частотою 1 гігавибірка за | | |секунду має здатність безпосередньо забезпечити | | |вихідну частоту 500 МГц. Або, якщо застосовується | | |передискредитація, максимальна вихідна частота буде| | |пропорційно нижче. | | |2. "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 | | |визначається як проміжок часу між переднім фронтом | | |імпульсу, який досягає 90% максимуму, і заднім | | |фронтом імпульсу, який досягає 10% максимуму; | |------------+---------------------------------------------------| | |e) мережеві аналізатори з |з 8543, | | | максимальною робочою частотою |8470 10 90 00 | | | понад 43,5 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | |f) приймачі-тестери мікрохвильового |8527 90 98 00 | | | діапазону, які мають усі наведені| | | | нижче характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) максимальну робочу частоту понад| | | | 40 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) здатні одночасно вимірювати | | | | амплітуду та фазу; | | | |------------------------------------+--------------| | |g) атомні еталони частоти: |8543 20 00 00 | | |------------------------------------+--------------| | | 1) "придатні для використання в | | | | космосі"; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) що не є рубідієвими та мають | | | | довготривалу стабільність | | | | (старіння) менше (краще) | | | | -11 | | | | 1 х 10 /місяць; або | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) не "придатні для використання в | | | | космосі" та мають усі наведені | | | | нижче характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) є рубідієвими еталонами; | | | |------------------------------------+--------------| | | b) довготривала стабільність | | | | (старіння) менше (краще) | | | | -11 | | | | 1 х 10 /місяць; та | | | |------------------------------------+--------------| | | c) сумарна потужність, що | | | | споживається, менше 1 Вт. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають | | |рубідієві еталони, не "придатні для використання в | | |космосі". | |------------+---------------------------------------------------| |3.A.3 |Системи терморегулювання з |з 8424 | | |охолодженням шляхом розбризкування, | | | |що використовують обладнання із | | | |замкнутим контуром для маніпулювання| | | |рідиною та її регенерації в | | | |герметичній оболонці, в якій | | | |діелектрична рідина розбризкується | | | |на електронні "компоненти" з | | | |використанням спеціально призначених| | | |розпилювачів, спроектовані таким | | | |чином, щоб підтримувати температуру | | | |електронних "компонентів" у межах їх| | | |робочого температурного діапазону, а| | | |також "спеціально призначені | | | |компоненти" для них. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.B |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | | | |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.B.1 |Обладнання для виробництва | | |[3B001] |напівпровідникових приладів або | | | |матеріалів, наведене нижче, і | | | |спеціально створені "компоненти" та | | | |оснащення для них: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) обладнання для епітаксійного | | | | вирощування: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання, здатне виробляти шар|з 8419 89 | | | будь-якого матеріалу, крім | | | | кремнію, з відхиленням товщини | | | | не більше ніж +- 2,5% на довжині| | | | 75 мм або більше. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для | | |епітаксії атомних шарів (ALE); | |------------+---------------------------------------------------| | | 2) обладнання хімічного осадження з|з 8419 89 | | | металоорганічної парової фази | | | | (MOCVD), спеціально розроблене | | | | для вирощування кристалів | | | | складних напівпровідників за | | | | допомогою хімічних реакцій між | | | | матеріалами, зазначене у | | | | позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) молекулярно-променеве обладнання|з 8419 89 | | | епітаксійного вирощування, у | | | | якому застосовані газові або | | | | твердотільні джерела; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) обладнання для іонної |8456 10 10 00,| | | імплантації, яке має одну з |8456 10 90 00 | | | наведених нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) енергія пучка (прискорювальна | | | | напруга) понад 1 МеВ; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) спеціально спроектоване та | | | | оптимізоване для функціонування | | | | при енергії пучка | | | | (прискорювальній напрузі) менше | | | | ніж 2 кеВ; | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) здатне до безпосереднього | | | | запису; або | | | |------------------------------------+--------------| | | 4) призначене для | | | | високоенергетичної | | | | імплантації кисню в нагріту | | | | "підкладку" напівпровідникового | | | | матеріалу з енергією пучка | | | | 65 кеВ або більше і струмом | | | | пучка 45 мА або більше; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) обладнання для сухого травлення |з 8456 99, | | | анізотропною плазмою: |8456 91 00 00 | | |------------------------------------+--------------| | | 1) з покасетним обробленням пластин| | | | та подачею їх через | | | | завантажувальні шлюзи, яке має | | | | одну з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) призначене або оптимізоване для| | | | створення критичних розмірів | | | | 180 нм або менше з точністю | | | | +- 5% (3 сигма); або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) призначене для генерації менше | | | | ніж 0,04 частки/кв.см з | | | | вимірюваним розміром частки | | | | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) обладнання, спеціально | | | | спроектоване для обладнання, | | | | яке підлягає контролю за | | | | позицією 3.B.1. e та має одну | | | | з наведених нижче характеристик:| | | |------------------------------------+--------------| | | a) призначене або оптимізоване для| | | | створення критичних розмірів | | | | 180 нм або менше з точністю | | | | +- 5% (3 сигма); | | | |------------------------------------+--------------| | | b) призначене для генерації менше | | | | ніж 0,04 частки/кв.см з | | | | вимірюваним розміром частки | | | | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | | | |------------------------------------+--------------| | |d) обладнання для хімічного |з 8456 99, | | | осадження з парової фази (CVD) та|8456 91 00 00 | | | плазмової стимуляції: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання з покасетним | | | | обробленням пластин і подачею | | | | їх через завантажувальні шлюзи, | | | | спроектоване відповідно до | | | | технічних умов виробника або | | | | оптимізоване для використання у | | | | виробництві напівпровідникових | | | | приладів з критичними розмірами | | | | 180 нм або менше; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) обладнання, спеціально | | | | спроектоване для апаратури, яка | | | | підлягає контролю згідно з | | | | позицією 3.B.1.e, і спроектоване| | | | відповідно то технічних умов | | | | виробника або оптимізоване для | | | | використання у виробництві | | | | напівпровідникових приладів з | | | | критичними розмірами 180 нм | | | | або менше; | | | |------------------------------------+--------------| | |e) багатокамерні системи з |8456 10 10 00,| | | центральним автоматичним |8456 10 90 00,| | | завантаженням напівпровідникових |з 8456 99, | | | пластин, що мають усі наведені |8456 91 00 00 | | | нижче характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) інтерфейси для завантаження та | | | | вивантаження пластин, до яких | | | | повинні приєднуватися більше ніж| | | | дві одиниці обладнання для | | | | оброблення напівпровідників; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) призначені для комплексної | | | | системи послідовного | | | | багатопозиційного оброблення | | | | пластин у вакуумі; | | |------------+---------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають | | |автоматичні робототехнічні системи завантаження | | |пластин, не призначених для роботи у вакуумі; | |------------+---------------------------------------------------| | |f) обладнання літографії: |9009 22 90 00 | | |------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання багаторазового | | | | суміщення та експонування | | | | (безпосередньо на "підкладці") | | | | або обладнання крокового | | | | сканування для оброблення | | | | пластин методами фотооптичної | | | | або рентгенівської літографії, | | | | яке має будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) наявність джерела освітлення з | | | | довжиною хвилі коротшою ніж | | | | 245 нм; або | | | |------------------------------------+--------------| | | b) спроможність виробляти зразки | | | | з мінімальним визначеним | | | | типовим розміром 180 нм або | | | | менше; | | |------------+------------------------------------+--------------| |Технічна |Мінімальний визначений типовий | | |примітка. |розмір можна розрахувати за | | | |формулою: | | | | | (довжина хвилі випромінювання світла в нм) х (К фактор) | | MRF= --------------------------------------------------------, | | цифрова апертура | | | | |де K фактор = 0,45, а MRF - | | | |мінімальний визначений типовий | | | |розмір. | | |------------+------------------------------------+--------------| | | 2) обладнання друкованої | | | | літографії, здатне виробляти | | | | малюнок з типовим розміром | | | | 180 нм або менше. | | |------------+------------------------------------+--------------| |Примітка. |Позиція 3.B.1.f.2 включає: | | | |мікроконтактні друкарські верстати; | | | |верстати гарячого тиснення; | | | |верстати друкованої літографії з | | | |нанометровою роздільною здатністю; | | | |верстати друкованої літографії з | | | |мультиплікацією (S-FIL). | | |------------+------------------------------------+--------------| | | 3) обладнання, спеціально |8456 10 10 00,| | | призначене для виробництва |8456 10 90 00 | | | шаблонів або виготовлення | | | | напівпровідникових приладів з | | | | використанням методів | | | | безпосереднього формування | | | | малюнка, що має всі наведені | | | | нижче характеристики: | | | |------------------------------------+--------------| | | a) використовує такий, що | | | | відхиляється, сфокусований | | | | електронний, іонний або | | | | "лазерний" пучок; та | | | |------------------------------------+--------------| | | b) має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | | 1) розмір плями менше ніж | | | | 0,2 мкм; | | | |------------------------------------+--------------| | | 2) здатність виробляти малюнок з | | | | мінімальним розміром | | | | розділення менше ніж 1 мкм; | | | | або | | | |------------------------------------+--------------| | | 3) точність суміщення шарів краще| | | | +- 0,2 мкм (3 сигма); | | | |------------------------------------+--------------| | |g) шаблони (маски) або фотошаблони |9010 90 10 00,| | | для інтегральних схем, що |9010 90 90 00 | | | підлягають контролю згідно з | | | | позицією 3.A.1; | | | |------------------------------------+--------------| | |h) багатошарові шаблони (маски) з |9010 90 10 00,| | | фазозсувним шаром; |9010 90 90 00 | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають | | |багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені | | |для виробництва запам'ятовувальних пристроїв, які | | |не контролюються згідно з позицією 3.A.1. | |------------+---------------------------------------------------| | |i) шаблони для друкованої | | | | літографії, призначені для | | | | інтегральних схем, які | | | | контролюються згідно з | | | | позицією 3.A.1. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.B.2. |Обладнання для випробувань, |9031 80 39 10,| |[3B002] |спеціально призначене для |9031 80 39 90 | | |випробувань готових або | | | |напівфабрикатних напівпровідникових | | | |приладів і спеціально створені | | | |"компоненти" та аксесуари до нього: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) для вимірювання S-параметрів | | | | транзисторних приладів на | | | | частотах понад 31,8 ГГц; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) не використовується з 2004 року; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) для випробувань мікрохвильових | | | | інтегральних схем, що | | | | контролюються згідно з | | | | позицією 3.A.1.b.2. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.C. |МАТЕРІАЛИ | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.C.1. |Гетероепітаксійні матеріали, що |3818 00 90 00 | |[3C001] |складаються з підкладки та кількох | | | |послідовно нанесених епітаксійних | | | |шарів, які мають будь-яку з | | | |наведених нижче складових: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) кремній; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) германій; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) карбід кремнію; або | | | |------------------------------------+--------------| | |d) сполуки III/V галію або індію. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.C.2. |Матеріали резистів і підкладки, | | |[3C002] |наведені нижче, покриті резистами, | | | |що підлягають контролю: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) позитивні резисти, призначені для|8541 40 99 00 | | | напівпровідникової літографії, | | | | спеціально пристосовані для | | | | використання довжиною хвилі менше| | | | ніж 245 нм; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 | | | використання під час експонування| | | | електронними та іонними пучками, | | | | з чутливістю 0,01 мкКл/кв.мм | | | | або краще; | | | |------------------------------------+--------------| | |c) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 | | | використання рентгенівського | | | | випромінювання, з чутливістю | | | | 2,5 мДж/кв.мм або краще; | | | |------------------------------------+--------------| | |d) усі резисти, оптимізовані для |8541 40 99 00 | | | технології формування малюнка, | | | | включаючи силіційовані резисти; | | | |------------------------------------+--------------| | |e) усі резисти, призначені або | | | | оптимізовані для використання з | | | | обладнанням для літографічного | | | | друку, зазначеним у позиції | | | | 3.B.1.f.2, що використовує | | | | термічний технологічний процес | | | | або процес твердіння під дією | | | | світла. | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Методи силіціювання - це процеси, які включають | |примітка. |оксидування поверхні резисту для підвищення якості | | |мокрого та сухого проявлення. | |------------+---------------------------------------------------| |3.C.3. |Органо-неорганічні сполуки: | | |[3C003] |------------------------------------+--------------| | |a) металоорганічні сполуки на основі|з 2931 00 95, | | | алюмінію, галію або індію, які |2931 00 95 00 | | | мають чистоту металевої основи | | | | понад 99,999%; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) органо-арсенові, органо- |з 2931 00 95 | | | сурм'янисті та органо-фосфорні | | | | сполуки, які мають чистоту основи| | | | неорганічного елемента понад | | | | 99,999%. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті | | |сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві| | |елементи яких безпосередньо пов'язані з вуглецем | | |органічної частки молекули. | |------------+---------------------------------------------------| |3.C.4. |Гідриди фосфору, арсену або сурми, |2848 00 00 00,| |[3C004] |які мають чистоту понад 99,999% |2850 00 10 00 | | |навіть після розведення інертними | | | |газами або воднем. | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають | | |гідриди, що містять 20% або більше молей інертних | | |газів чи водню. | |------------+---------------------------------------------------| |3.C.5. |"Підкладки" з карбіду кремнію (SiC),| | | |нітриду галію (GaN), нітриду галію- | | | |алюмінію (AlGaN) або злитки, булі, | | | |або інші преформи цих матеріалів, | | | |що мають питомий опір понад 10000 | | | |Ом-см при 20 град.C. | | |------------+------------------------------------+--------------|

|3.C.6. |"Підкладки", зазначені в позиції | | | |3.C.5, які мають щонайменше один | | | |епітаксиальний шар з карбіду | | | |кремнію, нітриду галію, нітриду | | | |алюмінію або нітриду галію-алюмінію.| | |------------+------------------------------------+--------------| |3.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.D.1. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 | |[3D001] |створене для "розроблення" або | | | |"виробництва" обладнання, що | | | |підлягає контролю згідно з позиціями| | | |3.A.1.b - 3.A.2.g або 3.B. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.D.2. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 | |[3D002] |призначене для "використання" | | | |обладнання, що підлягає контролю | | | |згідно з позицями 3.B.1.a - 3.B.2. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.D.3. |"Програмне забезпечення" для |з 8524 | |[3D003] |заснованого на фізичних процесах | | | |моделювання, спеціально призначене | | | |для "розроблення" процесів | | | |літографії, травлення або осадження | | | |з метою втілення маскувальних | | | |шаблонів у конкретні топологічні | | | |малюнки провідників, діелектриків | | | |або напівпровідникових матеріалів. | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Термін "заснований на фізичних процесах" у позиції | |примітка. |3.D.3 означає використання розрахунків з метою | | |визначення послідовності причин та наслідків | | |фізичного характеру, які визначаються фізичними | | |властивостями (наприклад, температурою, тиском, | | |коефіцієнтами дифузії і властивостями | | |напівпровідникових матеріалів). | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для | | |проектування напівпровідникових приладів чи | | |інтегральних схем розглядаються як "технологія". | |------------+---------------------------------------------------| |3.D.4. |Програмне забезпечення, спеціально |з 8524 | |[3D004] |призначене для "розроблення" |з 8471 70 | | |обладнання, що підлягає контролю | | | |згідно з позицією 3.A.3. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.E.1. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, | |[3E001] |особливих приміток для "розроблення"|3706, 8524, | | |або "виробництва" обладнання чи |4901 99 00 00,| | |матеріалів, що підлягають контролю |4906 00 00 00 | | |згідно з позиціями 3.A, 3.B або 3.C.| | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає | | |"технологія" для "виробництва" обладнання або | | |"компонентів", які контролюються згідно з позицією | | |3.A.3. | | |2. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає | | |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" | | |інтегральних схем, що контролюються згідно з | | |позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі | | |наведені нижче характеристики: | | |a) використовують "технології" 0,5 мкм або вище; та| | |b) не містять багатошарові структури. | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |Термін багатошарові структури не включає прилади, | |примітка. |які містять максимум три шари металу та три шари | | |полікремнію. | |------------+---------------------------------------------------| |3.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, | |[3E002] |особливих приміток інша, ніж та, що |3706, 8524, | | |контролюється згідно з позицією |з 8471 70 | | |3.E.1 для "розроблення" або |4901 99 00 00,| | |"виробництва" "мікросхем |4906 00 00 00 | | |мікропроцесорів", "мікросхем | | | |мікрокомп'ютерів" та ядер мікросхем | | | |мікроконтролерів, що мають | | | |арифметично-логічний пристрій з | | | |шириною доступу 32 біта або більше | | | |та будь-яку з наведених нижче ознак | | | |або характеристик: | | | |------------------------------------+--------------| | |a) блок векторного процесора, | | | | призначений виконувати два або | | | | більше обчислень з векторами з | | | | плаваючою крапкою (одномірна | | | | матриця 32 біт або більшим | | | | числом біт) одночасно; | | |------------+---------------------------------------------------| |Технічна |"Блок векторного процесора" - це елемент процесора | |примітка. |з вбудованими командами, який одночасно виконує | | |множину обчислень з векторами з плаваючою крапкою | | |(одномірні матриці з 32 біт або більшим числом | | |біт), який має щонайменше один векторний | | |арифметично-логічний пристрій; | |------------+---------------------------------------------------| | |b) здатний давати більше двох 64 біт| | | | або з більшим числом біт | | | | результатів операцій з плаваючою | | | | крапкою за цикл; або | | | |------------------------------------+--------------| | |c) здатний давати більше чотирьох 16| | | | біт результатів множення з | | | | накопиченням з фіксованою крапкою| | | | (наприклад, цифрові маніпуляції з| | | | аналоговою інформацією, яку було | | | | попередньо перетворено у цифрову | | | | форму - процес, відомий також як | | | | цифрове оброблення сигналів). | | |------------+---------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягають| | |технології для розширення мультимедійних засобів. | | |2. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягає | | |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" | | |ядер мікропроцесорів, які мають усі наведені нижче | | |характеристики: | | | 1) використовують "технології" на рівні 0,13 мкм | | | або вище; та | | | 2) містять багатошарові структури з п'ятьма або | | | більше шарами металу. | | |3. Згідно з позицією 3.E.2 контролю також | | |підлягають "технології" для процесорів цифрових | | |сигналів та матричних процесорів. | |------------+---------------------------------------------------| |3.E.3. |Інші "технології" для "розроблення" |з 3705, | |[3E003] |або "виробництва": |3706,8524, | | | |4901 99 00 00,| | | |4906 00 00 00 | | |------------------------------------+--------------| | |a) вакуумних мікроелектронних | | | | приладів; | | | |------------------------------------+--------------| | |b) напівпровідникових приладів на | | | | гетероструктурах таких, як | | | | транзистори з високою рухливістю | | | | електронів (HEMT), біполярні | | | | транзистори на гетероструктурі | | | | (HBT), приладів з квантовими | | | | ямами та приладів на надрешітках.| | |------------+---------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає | | |технологія для транзисторів з високою рухливістю | | |електронів (HEMT), які працюють на частотах нижчих | | |ніж 31,8 ГГц, та біполярних транзисторів на | | |гетероструктурі (HBT), які працюють на частотах | | |нижчих ніж 31,8 ГГц. | |------------+---------------------------------------------------| | |c) "надпровідних" електронних | | | | приладів; | | | |------------------------------------+--------------| | |d) підкладок з плівок алмазу для | | | | електронних "компонентів"; | | | |------------------------------------+--------------| | |e) підкладок, що мають структуру | | | | типу "кремній-на-діелектрику" | | | | (SOI) для інтегральних схем, у | | | | яких ізолятором є двоокис кремію;| | | |------------------------------------+--------------| | |f) кремній-вуглецевих підкладок для | | | | "компонентів" електронних схем; | | | |------------------------------------+--------------| | |g) електронних вакуумних ламп, які | | | | працюють на частоті 31,8 ГГц або | | | | вище. | | |------------+------------------------------------+--------------| |3.E.4. |"Послуги та роботи" (відповідно до | | | |особливої примітки щодо послуг та | | | |робіт) стосовно товарів подвійного | | | |використання, зазначених у позиціях | | | |3.A, 3.B, 3.C, 3.D або 3.E. | | ------------------------------------------------------------------

Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |----------+-----------------------------------------------------| |4. |КОМП'ЮТЕРИ | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне | | |забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку | | |або в "локальних мережах", підлягають контролю з | | |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 | | |розділу 5 (Зв'язок). | | |2. Блоки управління, які безпосередньо з'єднують між | | |собою шини або канали центральних процесорів, | | |"оперативну пам'ять" або контролери накопичувачів на | | |дисках, не розглядаються як телекомунікаційне | | |обладнання, описане в частині 1 розділу 5 (Зв'язок). | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Щодо контрольного статусу "програмного забезпечення",| |примітка. |спеціально призначеного для комутації пакетів, див. | | |позицію 5.D.1 частини 1 розділу 5 (Зв'язок). | | |3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне | | |забезпечення", що виконують функції криптографії, | | |криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або | | |"багаторівневого захисту", що підлягає сертифікації | | |або ізолювання користувача, або такі, що обмежують | | |електромагнітну сумісність (EMC), підлягають контролю| | |з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 | | |розділу 5 (Захист інформації). | |----------+-----------------------------------------------------| |4.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.A.1. |Електронні комп'ютери і "супутнє |з 8471 | |[4A001] |обладнання", наведені нижче, та | | | |"електронні збірки" і спеціально | | | |призначені компоненти": | | | |--------------------------------------+--------------| | |a) спеціально призначені і мають будь-| | | | яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) розраховані для функціонування | | | | при температурі навколишнього | | | | середовища нижче 228 K | | | | (-45 град.C) або понад 358 K | | | | (+85 град.C). | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають | | |комп'ютери, спеціально призначені для використання в | | |цивільних автомобілях або залізничних поїздах. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 2) стійкі до радіації з параметрами | | | | вищими, ніж будь-який з наведених | | | | нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3 | | | | a) загальна доза 5 х 10 рад (Si); | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) доза випромінювання, що викликає | | | | 6 | | | | збій 5 х 10 рад (Si)/с; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | -7 | | | | c) одиничний збій 1 х 10 | | | | похибка/біт/ день; | | | |--------------------------------------+--------------| | |b)** мають характеристики або | | | | виконують функції, які перевищують | | | | межі, зазначені у частині 2 | | | | розділу 5 (Захист інформації). | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого| |експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається| |погодження Адміністрації Держспецзв'язку. | |----------------------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 4.A.1.b контролю не підлягають | | |електронні комп'ютери та пов'язане з ними обладнання,| | |якщо вони перевозяться у супроводі їх користувача | | |для використання ним особисто. | |----------+-----------------------------------------------------| |4.A.2. |Виключено | | |[4A002] | | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.A.3. |"Цифрові комп'ютери", "електронні |8471 10 10 00 | |[4A003] |збірки" і "супутнє обладнання" до них,| | | |наведені нижче, та "спеціально | | | |призначені компоненти" для них: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Позиція 4.A.3 включає таке: | | | a) векторні процесори; | | | b) матричні процесори; | | | c) процесори цифрових сигналів; | | | d) логічні процесори; | | | e) обладнання для "поліпшення якості зображення"; | | | f) обладнання для "оброблення сигналу". | | |2. Контрольний статус "цифрових комп'ютерів" та | | |супутнього обладнання до них, описаних у позиції 4. | | |A.3, визначається контрольним статусом інших систем | | |або обладнання, якщо: | | |a) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до | | | них мають істотне значення для роботи іншого | | | обладнання або систем; | | |b) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до | | | них, яке не є "основним елементом" інших систем чи| | | обладнання; та | |----------+-----------------------------------------------------| |Особливі |1. Статус контролю за обладнанням, спеціально | |примітки. |призначеним для "оброблення сигналу" або "поліпшення | | |якості зображення", або для іншого обладнання з | | |функціями, обмеженими функціональним призначенням | | |іншого обладнання, визначається статусом контролю | | |іншого обладнання, навіть якщо воно перевищує | | |критерій "основного елемента"; | | |2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або | | |супутнього обладнання для телекомунікаційних систем | | |визначається з урахуванням критеріїв, зазначених у | | |частині 1 розділу 5 (Зв'язок); | | |c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та | | | супутнього обладнання, що належить до них, | | | регулюється позицією 4.E. | |----------+-----------------------------------------------------| | |a) призначені або модифіковані для |з 8471 30, | | | забезпечення "відмовостійкості". |8471 41 10 00 | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |"Цифрові комп'ютери" та "супутнє обладнання" до них, | | |наведені у позиції 4.A.3.a, не вважаються | | |призначеними або модифікованими для забезпечення | | |"відмовостійкості", якщо в них використовується будь-| | |що з наведеного нижче: | | |1) алгоритми виявлення або виправлення помилок, які | | |зберігаються в "оперативній пам'яті"; | | |2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів" такий, | | |що у разі відмови активного центрального процесора | | |очікувальний процесор (який одночасно стежить за | | |діями центрального процесора) може забезпечити | | |продовження функціонування системи; | | |3) взаємозв'язок двох центральних процесорів через | | |канали передачі даних або з використанням пам'яті | | |загального призначення такий, що забезпечує | | |можливість одному центральному процесору виконувати | | |іншу роботу, поки другий центральний процесор не | | |відмовить, тоді перший центральний процесор бере його| | |роботу на себе, щоб продовжити функціонування | | |системи; або | | |4) синхронізація двох центральних процесорів, | | |виконана через "програмне забезпечення" таким чином, | | |що перший центральний процесор розпізнає, коли | | |відмовляє другий центральний процесор, і бере на себе| | |виконання його завдання; | |----------+-----------------------------------------------------| | |b) "налаштовану максимальну |з 8471 30, | | | продуктивність" ("Adjusted Peak |8471 41 10 00 | | | Performance" ("APP") понад 0,75 | | | | зваженого терафлопсу (WT); | | | |--------------------------------------+--------------| | |c) "електронні збірки", спеціально |з 8471 30 | | | призначені або модифіковані для | | | | підвищення продуктивності шляхом | | | | агрегування процесорів, у | | | | результаті якого "налаштована | | | | максимальна продуктивність" | | | | перевищує межу, зазначену в | | | | позиції 4.A.3.b. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю підлягають | | |лише "електронні збірки" та програмовані | | |взаємозв'язки, які не перевищують межу, зазначену у | | |позиції 4.A.3.b, у разі постачання їх у вигляді | | |необ'єднаних "електронних збірок". Контролю не | | |підлягають "електронні збірки", які за своєю | | |конструкцією придатні тільки для використання як | | |"супутнє обладнання", яке підлягає контролю згідно з | | |позицією 4.A.3.e. | | |2. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю не | | |підлягають "електронні збірки", спеціально призначені| | |для виробу або цілого ряду виробів, які у своїй | | |максимальній конфігурації не перевищують межу, | | |зазначену в позиції 4.A.3.b. | |----------+-----------------------------------------------------| | |d) виключено; | | | |--------------------------------------+--------------| | |e) обладнання, що здійснює аналого- |з 8542 | | | цифрові перетворення, які | | | | перевищують межі, зазначені в | | | | позиції 3.A.1.a.5; | | | |--------------------------------------+--------------| | |f) виключено; | | | |--------------------------------------+--------------| | |g) обладнання, спеціально призначене |8525 20 91 00,| | | для забезпечення зовнішнього |8525 20 99 00,| | | міжсистемного зв'язку "цифрових |8543 85 95 00 | | | комп'ютерів" або супутнього | | | | обладнання, що дає змогу здійснити | | | | зв'язок із швидкістю передачі даних| | | | понад 1,25 Гбайт/с. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не підлягає | | |обладнання внутрішнього з'єднання (наприклад, плати, | | |шини тощо), обладнання пасивного з'єднання, | | |"контролери доступу до мережі" або "контролери | | |каналів зв'язку". | |----------+-----------------------------------------------------| |4.A.4. |Комп'ютери і спеціально призначене |з 8471 | |[4A004] |"супутнє обладнання" до них, | | | |"електронні збірки" та "компоненти" | | | |для них: | | | |--------------------------------------+--------------| | |a) "комп'ютери із систолічною | | | | матрицею"; | | | |--------------------------------------+--------------| | |b) "нейронні комп'ютери"; | | | |--------------------------------------+--------------| | |c) "оптичні комп'ютери". | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ | | | |І ВИРОБНИЦТВА | | | |Відсутнє | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.C. |МАТЕРІАЛИ | | | |Відсутні | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Примітка. |Статус контролю "програмного забезпечення" для | | |"розроблення", "виробництва" або "використання" | | |обладнання, описаного в інших розділах, визначається | | |відповідним розділом. Статус контролю "програмного | | |забезпечення" для обладнання, описаного в цьому | | |розділі, пов'язаний з наведеним нижче. | |----------+-----------------------------------------------------| |4.D.1. |"Програмне забезпечення": | | |[4D001] |--------------------------------------+--------------| | |a) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для "розроблення", | | | | "виробництва" чи "використання" | | | | обладнання або "програмного | | | | забезпечення", зазначеного в | | | | позиціях 4.A чи 4.D; | | | |--------------------------------------+--------------| | |b) "програмне забезпечення", інше, ніж|з 8524 | | | те, що підлягає контролю згідно з |з 8471 70 | | | позицією 4.D.1.a, спеціально | | | | призначене або модифіковане для | | | | "розроблення" або "виробництва": | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "цифрових комп'ютерів", які мають | | | | "налаштовану максимальну | | | | продуктивність" ("НМП") понад 0,1 | | | | зважених терафлопсів (WT); | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "електронних збірок", спеціально | | | | призначених або модифікованих для | | | | підвищення продуктивності шляхом | | | | агрегування процесорів, у | | | | результаті якого "НМП" агрегації | | | | перевищує межу, зазначену в | | | | позиції 4.D.1.b.1. | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.D.2. |"Програмне забезпечення", спеціально |з 8524 | |[4D002] |призначене або модифіковане для | | | |підтримки "технології", зазначеної в | | | |позиції 4.E. | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.D.3. |"Програмне забезпечення", яке має |з 8524 | |[4D003] |характеристики або виконує функції, | | | |які перевищують межі, установлені в | | | |частині 2 розділу 5 (Захист | | | |інформації). | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 4.D.3 контролю не підлягає | | |"програмне забезпечення", якщо воно перевозиться у | | |супроводі його користувача для використання ним | | |особисто. | |----------+-----------------------------------------------------| |4.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.E.1. |"Технологія": | | |[4E001] |--------------------------------------+--------------| | |a) "технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, 3706, | | | особливих приміток для |з 8524, | | | "розроблення", "виробництва" або |4901 99 00 00,| | | "використання" обладнання чи |4906 00 00 00 | | | "програмного забезпечення", що | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позиціями 4.A або 4.D. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Код технології згідно з УКТЗЕД ( 2371а-14, 2371б-14, | | | 2371в-14, 2371г-14 ) визначається кодом носія, на | | |якому вона передається. | |----------+-----------------------------------------------------| | |b) "технологія", інша, ніж та, що | | | | підлягає контролю згідно з позицією| | | | 4.E.1.a, спеціально призначена або | | | | модифікована для "розроблення" або | | | | "виробництва": | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "цифрових комп'ютерів", які мають | | | | "НМП" понад 0,1 зваженого | | | | терафлопсу (WT); або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "електронних збірок", спеціально | | | | призначених або модифікованих для | | | | підвищення продуктивності шляхом | | | | агрегування процесорів, у | | | | результаті якого "НМП" агрегації | | | | перевищує межу, зазначену в | | | | позиції 4.E.1.b.1. | | |----------+--------------------------------------+--------------| |4.E.2. |"Послуги та роботи" (відповідно до | | | |особливої примітки щодо послуг та | | | |робіт) стосовно товарів подвійного | | | |використання, зазначених у позиціях | | | |4.A, 4.D або 4.E. | | ------------------------------------------------------------------

Технічна примітка щодо обчислення "налаштованої максимальної продуктивності"

"APP" - налаштована максимальна швидкість, з якою "цифрові комп'ютери" здійснюють 64-розрядні або більшої розрядності операції підсумовування та множення з плаваючою точкою. Скорочення, що використовуються у цій Технічній примітці: n - кількість процесорів у "цифровому комп'ютері"; i - процесор номер (i,...n); ti - час циклу процесора (ti = 1/Fі); Fi - частота процесора; Ri - максимальна швидкість обчислень з плаваючою точкою; Wi - коефіцієнт налаштування архітектури (archіtecture adjustment factor). "APP" виражається у зважених терафлопсах (WT), тобто одиницях, що дорівнюють 1012 налаштованим операціям з плаваючою точкою за секунду. СТИСЛИЙ ЗМІСТ МЕТОДУ ОБЧИСЛЕННЯ "APP" 1. Для кожного процесора "i" визначається максимальна кількість здійснюваних зазначеним процесором, що входить до складу "цифрового комп'ютера", 64-розрядних або більшої розрядності операцій з плаваючою точкою за цикл.

------------------------------------------------------------------ |Примітка. |Під час визначення кількості операцій з плаваючою | | |точкою (FPO) враховуються тільки 64-розрядні або | | |більшої розрядності операції підсумовування та/або | | |множення. Усі операції з плаваючою точкою треба | | |виражати величиною кількості операцій за цикл | | |процесора; операції, що потребують багато циклів, | | |можна виражати у часткових результатах за цикл. Для | | |процесорів, не здатних здійснювати обчислення з | | |плаваючою точкою над 64-розрядними або більш довгими | | |операндами, ефективна швидкість обчислення R дорівнює| | |нулю. | ------------------------------------------------------------------

2. Розраховується швидкість операцій з плаваючою точкою R для кожного процесора R = FPO /t . i i i 3. Розраховується "APP" за формулою: "APP" = W х R + W х R + ... + W х R . 1 1 2 2 n n 4. Для "векторних процесорів" W = 0.9. Для невекторних i процесорів W = 0.3. i

Технічна примітка щодо обчислення "налаштованої максимальної продуктивності"

------------------------------------------------------------------ |Примітки. |1. Для процесорів, які здійснюють у циклі складні | | |операції, наприклад, підсумовування та множення, | | |враховується кожна операція. | | |2. Для процесора з конвеєрною обробкою даних | | |ефективна швидкість обчислення R вище конвеєрної | | |швидкості, якщо конвеєр завантажено повністю, або | | |швидкості у разі не конвеєрної обробки. | | |3. Швидкість обчислення R кожного з процесорів, що | | |входять до кластера (агрегації), повинна | | |обчислюватися за її максимального значення, що є | | |теоретично можливим до досягнення "APP" комбінації. | | |Допускається існування одночасних операцій, якщо у | | |посібнику або проспекті виробника зазначені | | |concurrent, паралельні або одночасні операції. | | |4. Під час обчислення "APP" не враховуються | | |процесори, функції яких обмежені вводом/виводом та | | |периферійними функціями (наприклад, накопичувача на | | |дисках, зв'язку та монітору). | | |5. Величини "APP" не треба обчислювати для комбінацій| | |процесорів, з'єднаних між собою "Локальними | | |мережами", глобальними мережами, пристроями | | |вводу/виводу спільного користування, контролерами | | |вводу/виводу та будь-якими внутрішніми з'єднаннями | | |зв'язку, які реалізуються за допомогою "програмного | | |забезпечення". | | |6. Величини "APP" треба обчислювати для: | | | 1) комбінацій процесорів, до складу яких входять | | | процесори, спеціально призначені для підвищення | | | продуктивності шляхом агрегування, одночасного | | | функціонування та спільного використання пам'яті; | | | або | | | 2) комбінацій багатьох пристроїв пам'яті/процесорів,| | | які функціонують одночасно з використанням | | | спеціально призначеного апаратного забезпечення. | | |7. "Векторний процесор" - це процесор з вбудованими | | |командами, який одночасно здійснює багато | | |обчислювальних операцій над векторами з плаваючою | | |точкою (одновимірні матриці 64-розрядних або більш | | |довгих чисел), маючи при цьому щонайменше два | | |векторних функціональних блоки або щонайменше вісім | | |векторних реєстраторів, кожний з яких має мінімум 64 | | |елементи. | ------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 1. ЗВ'ЯЗОК

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5. |Частина 1. ЗВ'ЯЗОК | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітки. |1. У цьому розділі визначається контрольний статус | | |"компонентів", "лазерів", випробувального та | | |"виробничого" обладнання, "програмного | | |забезпечення", спеціально призначених для | | |використання в системах та обладнанні зв'язку. | | |2. "Цифрові комп'ютери", "супутнє обладнання" до | | |нього або "програмне забезпечення", яке є суттєвим | | |для використання і підтримки засобів зв'язку, | | |зазначених у цьому розділі, розглядаються як | | |"спеціально призначені компоненти" за умови, що вони| | |є стандартними моделями, які зазвичай постачаються | | |виробником. Це включає розроблення, адміністрування,| | |технічне обслуговування, проектування або рекламу | | |комп'ютерних засобів або систем. | |-----------+----------------------------------------------------| |5.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | |Частина 1. | | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.A.1. |Системи зв'язку, обладнання, | | |[5A001] |компоненти та аксесуари: | | | |-------------------------------------+--------------| | |a) обладнання зв'язку будь-якого |з 8517, | | | типу, що має будь-яку з наведених |з 8525, | | | нижче характеристик, властивостей |з 8527, | | | або функцій: |з 8543, | | | 1) спеціально призначене для захисту| | | | від тимчасового електронного | | | | ефекту або електромагнітного | | | | імпульсу, що виникають під час | | | | ядерного вибуху; | | | | 2) спеціально розроблене з | | | | підвищеною стійкістю до гамма-, | | | | нейтронного або іонного | | | | випромінювання; або | | | | 3) спеціально призначені для | | | | функціонування за межами | | | | інтервалу температур від 218 K | | | | (-55 град.C) до 397 K | | | | (+124 град.C); | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає контролю | | |лише електронне обладнання. | | |2. Згідно з позиціями 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3 | | |контролю не підлягає обладнання, призначене або | | |модифіковане для використання на супутниках зв'язку.| |-----------+----------------------------------------------------| | |b) системи та обладнання зв'язку і |з 8517, | | | спеціально призначені для них |з 8525, | | | "компоненти" та аксесуари, що |з 8527, | | | мають будь-яку з наведених нижче |з 8543, | | | характеристик, функцій або | | | | особливостей: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) системи підводного зв'язку, які |8518 50 90 00 | | | мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | | a) акустична несуча частота | | | | перебуває за межами діапазону | | | | від 20 кГц до 60 кГц; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) з використанням електромагнітної|8525 20 91 00,| | | несучої частоти менше ніж |8525 20 99 00 | | | 30 кГц; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) з використанням пристроїв |8525 20 91 00,| | | керування електронним |8525 20 99 00 | | | випромінюванням; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) з використанням у "локальній | | | | мережі" "лазерів" або | | | | світловипромінюючих діодів | | | | (СВД), що мають вихідну довжину | | | | хвилі більше 400 нм і менше | | | | 700 нм; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) радіоапаратура, яка функціонує в |8525 20 91 00,| | | діапазоні частот від 1,5 МГц до |8525 20 99 00,| | | 87,5 МГц і має всі наведені нижче|з 8543 89, | | | характеристики: |8470 10 90 00 | | | a) автоматичне прогнозування та | | | | вибір значення частоти, а також | | | | "загальної швидкості цифрової | | | | передачі" на канал для її | | | | оптимізації; та | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) наявність лінійного підсилювача |8525 10 90 00,| | | потужності, здатного одночасно |8525 20 91 00,| | | підтримувати множину сигналів з |8525 20 99 00 | | | вихідною потужністю 1 кВт або | | | | більше в частотному діапазоні | | | | від 1,5 МГц до 30 МГц, або | | | | 250 Вт, або більше в частотному | | | | діапазоні від 30 МГц до | | | | 87,5 МГц, при "миттєвій ширині | | | | смуги частот" одна октава або | | | | більше та із вмістом гармонік | | | | та спотворювань на виході краще | | | | ніж - 80 дБ; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3) радіоапаратура, яка використовує | | | | методи "розширення спектра" або | | | | методи "стрибкоподібного | | | | переналагодження частоти", інша, | | | | ніж зазначена в позиції | | | | 5.A.1.b.4, і має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) наявність кодів розширення, що |8525 20 91 00,| | | мають можливість програмування |8525 20 99 00 | | | користувачем; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) загальна ширина смуги частот |8525 20 91 00,| | | передачі, яка в 100 і більше |8525 20 99 00 | | | разів перевищує смугу частот | | | | одного інформаційного каналу | | | | і становить понад 50 кГц. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не | | |підлягає радіообладнання, спеціально призначене для | | |цивільних стільникових систем радіозв'язку. | | |2. Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не підлягає | | |обладнання, призначене для експлуатації при вихідній| | |потужності 1 Вт або менше; | |-----------+----------------------------------------------------| | | 4) радіообладнання, в якому |з 8525, | | | використовується метод |з 8527 | | | надширокосмугової модуляції з | | | | кодами ущільнення каналів, | | | | скремблірування або кодами | | | | ідентифікації мереж з | | | | можливістю програмування | | | | користувачем, яке має будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) ширину смуги частот понад | | | | 500 МГц; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) "відносну ширину смуги | | | | частот" 20% або більше; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 5) радіоприймачі з цифровим |з 8527 | | | керуванням, які мають усі | | | | наведені нижче характеристики: | | | | a) кількість каналів понад 1000; | | | | b) мають "час перемикання частоти" | | | | менше ніж 1 мс; | | | | c) здійснюють автоматичний пошук | | | | або сканують частину | | | | електромагнітного спектра; | | | | d) ідентифікують прийнятий сигнал | | | | або тип передавача; або | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.b.5 контролю не підлягає | | |радіообладнання, спеціально призначене для | | |використання разом із цивільними стільниковими | | |системами радіозв'язку. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 6) виконують функції цифрового |8525 20 91 00,| | | "оброблення сигналів", які |8525 20 99 00,| | | забезпечують цифрове кодування |з 8543 89 | | | мови із швидкістю менше ніж | | | | 2400 біт/с. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічні |1. Для кодування мови із змінною швидкістю позиція | |примітки. |5.A.1.b.6 застосовується до виведення даних | | |кодування мови, що відповідають зв'язній мові. | | |2. Для цілей позиції 5.A.1.b.6. термін "кодування | | |мови" визначає методи, під час використання яких | | |відбираються зразки людської мови, які потім | | |перетворюються на цифровий сигнал з урахуванням її | | |специфічних характеристик. | |-----------+----------------------------------------------------| | |c) волоконно-оптичні кабелі зв'язку, |8544 70 00 10,| | | оптичні волокна і "спеціально |8544 70 00 90,| | | призначені компоненти" для них та |9001 10 10 00,| | | допоміжне обладнання, наведене |9001 10 90, | | | нижче: |9001 90 90 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) оптичні волокна завдовжки понад | | | | 500 м, що мають міцність на | | | | 9 | | | | розрив 2 х 10 Н/кв.м або більше,| | | | яка гарантована виробником; | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |Контрольні випробування: перевірка на стадіях | |примітка. |виготовлення або після виготовлення полягає у | | |прикладанні заданої напруги до волокна завдовжки від| | |0,5 до 3 м на швидкості ходу від 2 до 5 м/с під час | | |проходження волокон між провідними валами приблизно | | |150 мм у діаметрі. При цьому зовнішня навколишня | | |температура становить 293 К (20 град.C), відносна | | |вологість - 40%. | | |Для виконання контрольних випробувань можуть | | |застосовуватися еквівалентні національні стандарти. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 2) волоконно-оптичні кабелі та | | | | допоміжне обладнання, призначені | | | | для використання під водою. | | |-----------+----------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не підлягають | | |стандартні телекомунікаційні кабелі та аксесуари для| | |цивільного зв'язку. | |-----------+----------------------------------------------------| |Особливі |1. Для підводних складених кабелів, а також | |примітки. |з'єднувачів до них див. позицію 8.A.2.a.3. | | |2. Для волоконно-оптичних корпусних роз'ємів і | | |з'єднувачів див. позицію 8.A.2.c. | |-----------+----------------------------------------------------| | |d) "фазовані антенні ґратки з |з 8529 10 | | | електронним керуванням діаграми | | | | направленості", які працюють у | | | | діапазоні частот понад 31,8 ГГц; | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.d контролю не підлягають | | |"фазовані антенні ґратки з електронним керуванням | | |діаграми направленості" для систем посадки, | | |оснащених обладнанням та приладами, що відповідають | | |вимогам стандартів Міжнародної організації цивільної| | |авіації (ICAO) для мікрохвильових систем посадки | | |(MLS); | |-----------+----------------------------------------------------| | |e) радіопеленгаторне обладнання, яке |8527 90 98 00,| | | працює на частотах понад 30 МГц, |з 8529 90, | | | має всі з наведених нижче |8470 10 90 00,| | | характеристик і "спеціально |8543 40 00 00 | | | призначені компоненти" для нього: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) "пропускання миттєвої ширини |з 8543 89 | | | смуги частот", що дорівнює | | | | 10 МГц або більше; та | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) здатність здійснювати пеленгацію |з 8543 90 | | | лінії азимута (пеленга) (LOB) до | | | | радіопередавачів, з якими немає | | | | взаємодії, що мають тривалість | | | | сигналу менше 1 мс; | | | |-------------------------------------+--------------| | |f) обладнання для створення навмисних|з 8525 | | | перешкод, спеціально призначене | | | | або модифіковане для навмисного та| | | | вибіркового перешкоджання, | | | | недопущення використання, | | | | придушення, погіршення якості або | | | | блокування послуг мобільного | | | | зв'язку, яке має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик, та | | | | спеціально призначені для нього | | | | компоненти: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) імітація функцій обладнання для | | | | мереж радіодоступу (Radio Access | | | | Network - RAN); або | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) визначення та використання | | | | спеціальних характеристик | | | | протоколу мобільного зв'язку, | | | | що застосовується (наприклад, | | | | GSM); або | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3) використовує спеціальні | | | | характеристики протоколу | | | | мобільного зв'язку, що | | | | застосовується | | | | (наприклад, GSM). | | |-----------+----------------------------------------------------| |Особлива |Щодо обладнання для створення навмисних перешкод | |примітка. |роботі Глобальних супутникових навігаційних систем | | |(GNSS) див. Список товарів військового призначення, | | |міжнародні передачі яких підлягають державному | | |контролю, затверджений постановою Кабінету Міністрів| | |України від 20 листопада 2003 р. N 1807; | |-----------+----------------------------------------------------| | |g) системи або обладнання пасивної | | | | когерентної локації, спеціально | | | | призначені для виявлення та | | | | відстеження рухомих об'єктів за | | | | допомогою вимірювання відбиття | | | | зовнішнього радіочастотного | | | | випромінювання від | | | | нерадіолокаційних передатчиків. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |Нерадіолокаційні передатчики можуть включати базові | |примітка. |станції радіозв'язку, телевізійного та стільникового| | |зв'язку. | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.g контролю не підлягають: | | |a) радіоастрономічне обладнання; або | | |b) системи або обладнання, що потребують | | |радіопередачі від мішені; | |-----------+----------------------------------------------------| | |h) електронне обладнання призначене | | | | або модифіковане для передчасної | | | | активації або запобіганню запуску | | | | радіокерованих соморобних | | | | вибухових речовин. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Особлива |Також див. позицію ML11 Списку товарів військового | |примітка. |призначення, міжнародні передачі яких підлягають | | |державному контролю, затвердженого постановою | | |Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. | | |N 1807. | |-----------+----------------------------------------------------| |5.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ| | | |І ВИРОБНИЦТВА | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.B.1. |Обладнання для випробування, контролю| | |[5B001] |та виробництва телекомунікаційного | | | |обладнання, компоненти та аксесуари, | | | |які наведені нижче: | | | |-------------------------------------+--------------| | |a) обладнання і "спеціально |з 8543 89, | | | призначені компоненти" або |з 9026 80, | | | аксесуари для нього, спеціально |з 9030 39, | | | призначені для "розроблення", |з 9030 89, | | | "виробництва" або |з 9031 80 | | | "використання" обладнання, | | | | функцій або ознак, що підлягають | | | | контролю згідно з позицією 5.A.1. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.a контролю не підлягає | | |обладнання для визначення параметрів оптичних | | |волокон, у якому не використовуються | | |напівпровідникові "лазери". | |-----------+----------------------------------------------------| | |b) обладнання і "спеціально |з 84 | | | призначені компоненти" та | | | | аксесуари для нього, спеціально | | | | призначені для "розроблення" | | | | будь-якого з наведеного нижче | | | | обладнання телекомунікаційної | | | | передачі або комутаційного | | | | обладнання: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання, яке використовує | | | | цифрову техніку, призначене для | | | | роботи із "загальною швидкістю | | | | цифрової передачі" понад | | | | 15 Гбіт/с. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість | |примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, | | |що має найвищу швидкість передачі; | |-----------+----------------------------------------------------| | | 2) обладнання, яке використовує | | | | "лазер" і має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) довжину хвилі передачі понад | | | | 1750 нм; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) здійснює "оптичне підсилення" з | | | | використанням фторолегованих | | | | волоконно-оптичних підсилювачів | | | | (PDFFA); | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) використовує когерентну оптичну | | | | передачу або когерентну оптичну | | | | детекторну техніку (так звані | | | | оптичні гетеродини або | | | | гомодинну техніку); або | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) використовує аналогову техніку | | | | і має смугу пропускання понад | | | | 2,5 ГГц. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.b.2.d контролю не підлягає | | |обладнання, спеціально призначене для "розроблення" | | |систем комерційного телебачення. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 3) обладнання, у якому | | | | використовується "оптична | | | | комутація"; | | | | 4) радіообладнання, яке застосовує | | | | техніку квадратурно-амплітудної | | | | модуляції (QAM) з рівнем вище | | | | 256; або | | | | 5) обладнання з використанням | | | | "передачі сигналів через спільний| | | | канал", які працюють в | | | | непов'язаному режимі. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.C. |МАТЕРІАЛИ | | | |Відсутні | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.D.1. |"Програмне забезпечення": | | |[5D001] |-------------------------------------+--------------| | |a) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для "розроблення", | | | | "виробництва" чи "використання" | | | | обладнання, функцій або ознак, | | | | зазначених у позиції 5.A.1; | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально розроблене або | | | | модифіковане для підтримки | | | | "технологій", зазначених у | | | | позиції 5.E.1; | | | |-------------------------------------+--------------| | |c) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для забезпечення | | | | характеристик, функцій чи ознак | | | | обладнання, яке підлягає контролю | | | | згідно з позиціями 5.A.1 або | | | | 5.B.1; | | | |-------------------------------------+--------------| | |d) "програмне забезпечення", |з 8524, | | | спеціально призначене або |з 8471 70 | | | модифіковане для "розроблення" | | | | будь-якого з наведеного нижче | | | | обладнання телекомунікаційної | | | | передачі або комутаційного | | | | обладнання: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання, яке використовує | | | | цифрову техніку, призначене для | | | | роботи із "загальною швидкістю | | | | цифрової передачі" понад | | | | 15 Гбіт/с; | | |-----------+----------------------------------------------------|

|Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість | |примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, | | |що має найвищу швидкість передачі. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 2) обладнання, яке використовує | | | | "лазер" і має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) довжину хвилі передачі понад | | | | 1750 нм; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) використовує аналогову техніку | | | | і має смугу пропускання понад | | | | 2,5 ГГц; | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.D.1.d.2.b не контролюється | | |"програмне забезпечення", спеціально призначене або | | |модифіковане для "розроблення" систем комерційного | | |телебачення. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 3) обладнання, у якому | | | | використовується "оптична | | | | комутація"; | | | | 4) радіообладнання, яке застосовує | | | | техніку квадратурно-амплітудної | | | | модуляції (QAM) з рівнем вище | | | | 256. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E.1. |"Технологія": | | |[5E001] |-------------------------------------+--------------| | |a) "технологія" відповідно до пункту |з 3705, | | | 1 особливих приміток для |з 3706, | | | "розроблення", "виробництва" або |з 8524, | | | "використання" (за винятком |4901 99 00 00,| | | експлуатації) обладнання, функцій,|4906 00 00 00 | | | ознак, зазначених у позиції 5.A.1,| | | | або "програмного забезпечення", | | | | зазначеного у позиції 5.D.1.a; | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) спеціальні "технології" наведені |з 3705, | | | нижче: |з 3706, | | | 1) "технологія", "необхідна" для |з 8524, | | | "розроблення" або "виробництва" |4901 99 00 00 | | | обладнання зв'язку, спеціально | | | | призначеного для використання на | | | | борту супутників; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) "технологія" для "розроблення" |4906 00 00 00 | | | або "використання" комплектів | | | | апаратури "лазерного" зв'язку з | | | | можливістю автоматичного захвату | | | | і супроводження сигналу та | | | | підтримки зв'язку через екзосферу| | | | або заглиблене (водне) | | | | середовище; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3) "технологія" "розроблення" | | | | цифрових стільникових систем | | | | радіозв'язку; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 4) "технологія" для "розроблення" | | | | апаратури, яка використовує | | | | методи "розширення спектра", | | | | включаючи методи | | | | "стрибкоподібного | | | | переналагодження частоти"; | | | |-------------------------------------+--------------| | |c) "технологія" відповідно до пункту |з 3705, | | | 1 особливих приміток для |3706, 8524, | | | "розроблення" або "виробництва" |з 8471 70, | | | будь-якого з наведеного нижче |4901 99 00 00,| | | обладнання телекомунікаційної |4906 00 00 00 | | | передачі або комутаційного | | | | обладнання: | | | | 1) обладнання, яке використовує | | | | цифрову техніку, із "загальною | | | | швидкістю цифрової передачі" | | | | понад 15 Гбіт/с; | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість | |примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, | | |що має найвищу швидкість передачі. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 2) обладнання, яке використовує | | | | "лазер" і має одну з наведених | | | | нижче характеристик: | | | | a) довжину хвилі передачі понад | | | | 1750 нм; | | | | b) здійснює "оптичне підсилення" з | | | | використанням фторолегованих | | | | волоконно-оптичних підсилювачів | | | | (PDFFA); | | | | c) використовує когерентну оптичну | | | | передачу або когерентну оптичну | | | | детекторну техніку (так звані | | | | оптичні геретодини або гомодинну| | | | техніку); | | | | d) використовує техніку | | | | мультиплексного розподілу | | | | спектрального діапазону оптичних| | | | несучих не менше ніж з | | | | інтервалом 100 ГГц; або | | | | e) використовує аналогову техніку і| | | | має смугу пропускання понад | | | | 2,5 ГГц; | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.2.e не контролюється | | |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" | | |систем комерційного телебачення. | |-----------+----------------------------------------------------| |Особлива |Для "технології" "розроблення" або "виробництва" не | |примітка. |телекомунікаційного обладнання, що використовує | | |"лазер", див. позицію 6.E. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 3) обладнання, у якому | | | | використовується "оптична | | | | комутація"; | | | | 4) радіообладнання, яке має такі | | | | характеристики: | | | | a) застосовує техніку квадратурно- | | | | амплітудної модуляції (QAM) з | | | | рівнем вище 256; або | | | | b) працює з вхідними або вихідними | | | | частотами понад 31,8 ГГц; або | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.4.b не контролюється | | |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" | | |обладнання, призначеного або модифікованого для | | |роботи в будь-якому діапазоні частот, "виділеному | | |ITU" для надання послуг радіозв'язку, але не для | | |радіовизначення. | |-----------+----------------------------------------------------| | | c) працює в діапазоні частот від | | | | 1,5 МГц до 87,5 МГц та | | | | застосовує адаптивні методи | | | | придушення сигналу перешкоди | | | | до 15 дБ; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 5) обладнання з використанням | | | | "передачі сигналів через спільний| | | | канал", які працюють в | | | | непов'язаному режимі; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | 6) пересувне обладнання, яке має всі| | | | наведені характеристики: | | | | a) функціонує у діапазоні довжини | | | | хвилі більшошу ніж або дорівнює | | | | 200 нм і меншому ніж або | | | | дорівнює 400 нм; та | | | | b) функціонує як "локальна мережа";| | | |-------------------------------------+--------------| | |d) "технологія" відповідно до пункту | | | | 1 особливих приміток для | | | | "розроблення" або "виробництва" | | | | підсилювачів потужності на | | | | монолітних інтегральних схемах | | | | мікрохвильового діапазону (ММІС) | | | | "спеціально призначені" для | | | | зв'язку та мають | | | | будь-що з наведеного нижче: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) призначені для роботи на частотах| | | | від 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 4 Вт (36 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги частот" | | | | більше ніж 15%; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) призначені для роботи на частотах| | | | від 6 ГГц до 16 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 1 Вт (30 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги частот" | | | | більше ніж 10%; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3) призначені для роботи на частотах| | | | від 16 ГГц до 31,8 ГГц включно з | | | | середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги частот" | | | | більше ніж 10%; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 4) призначені для роботи на частотах| | | | від 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно;| | | |-------------------------------------+--------------| | | 5) призначені для работи на частотах| | | | від 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно | | | | з середньою вихідною потужністю | | | | більше ніж 0,25 Вт (24 дБм) і | | | | "відносною шириною смуги частот" | | | | більше ніж 10%; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | 6) працюють на частотах понад | | | | 43,5 ГГц; | | | |-------------------------------------+--------------| | |e) "технологія" відповідно до пункту | | | | 1 особливих приміток для | | | | "розроблення" або "виробництва" | | | | електронних пристроїв і схем, | | | | "спеціально призначених" для | | | | зв'язку, які містять компоненти, | | | | вироблені з "надпровідних" | | | | матеріалів, "спеціально | | | | призначених" для експлуатації при | | | | температурах нижче "критичної | | | | температури" щонайменше одного з | | | | "надпровідних" елементів та мають | | | | будь-що з наведеного нижче: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) перемикання току для цифрових | | | | схем за допомогою "надпровідні" | | | | вентелі для яких добуток часу | | | | затримки на вентиль (в секундах) | | | | та потужності розсіювання на | | | | вентиль (в Вт) менше ніж | | | | -14 | | | | 10 Дж; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) частотну селекцію на всіх | | | | частотах за допомогою | | | | резонансних контурів із | | | | величиною добротності | | | | (Q-values), що перевищує 10. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E.1. |f) "послуги та роботи" (відповідно до| | | | особливої примітки щодо послуг та | | | | робіт) стосовно товарів подвійного| | | | використання, зазначених у | | | | позиціях 5.A.1, 5.B.1, 5.D.1 або | | | | 5.E.1. | | ------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів | Код | | позиції | за відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5. |Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Статус контролю за обладнанням, "програмним | | |забезпеченням", системами, "електронними збірками" | | |спеціального призначення, модулями, інтегральними | | |схемами, складовими частинами чи функціями "захисту | | |інформації" визначається у цій частині, навіть у | | |разі, коли вони є "компонентами" або "електронними | | |збірками" іншого обладнання. | | |2. Не підлягають контролю вироби, зазначені у | | |позиціях цієї частини, у разі, коли вони | | |перевозяться у супроводі їх користувача для | | |особистого користування. | | |3. Криптографічна примітка. | | |Згідно з позиціями 5.A.2 і 5.D.2 не підлягають | | |контролю вироби, які відповідають усім таким умовам:| | |a) загальнодоступність для громадськості шляхом | | |продажу без обмежень у пунктах роздрібної торгівлі, | | |призначених для будь-чого з наведеного нижче: | | | 1) торговельних операцій у роздріб; | | | 2) торговельних операцій за поштовими замовленнями;| | | 3) електронних торговельних операцій; або | | | 4) торговельних операцій за замовленнями по | | | телефону; | | |b) користувачі самостійно не можуть змінити | | |криптографічну функціональність; | | |c) розроблені для інсталяції користувачем без | | |подальшої допомоги з боку постачальника; та | | |d) не використовується з 2000 р.; | | |e) у разі необхідності детальна інформація про | | |зазначені вироби буде доступною і за вимогою її може| | |бути надано до відповідного повноважного органу в | | |країні експортера з метою перевірки на відповідність| | |умовам, зазначеним у пунктах "a" - "c". | | |4. Рішення про відповідність виробів умовам | | |криптографічної примітки 3, приміток до позицій | | |5.A.2 і 5.D.2 приймається Держекспортконтролем на | | |підставі висновку Держспецзв'язку. | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |У цій частині під час визначення довжини | |примітка. |ключа контрольні біти не враховуються. | |-----------+----------------------------------------------------| |5.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І | | |Частина 2. |КОМПОНЕНТИ | | |** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого| |експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається| |погодження Адміністрації Держспецзв'язку. | |----------------------------------------------------------------| |5.A.2. |Системи, обладнання для "захисту | | |[5A002] |інформації" і "компоненти" для них, | | | |як наведено нижче: | | |-----------+-------------------------------------+--------------| | |a) системи, обладнання, "електронні |з 8471, | | | збірки" спеціального призначення, |з 8542, | | | модулі та інтегральні схеми для |8543 89 95 00,| | | "захисту інформації", наведені |з 8543 90 | | | нижче, та інші спеціально | | | | розроблені "компоненти" для | | | | цього: | | |-----------+----------------------------------------------------| |Особлива |Статус контролю за приймальним обладнанням | |примітка. |глобальних навігаційних супутникових систем, що | | |містять або використовують пристрої дешифрування, | | |а саме глобальною системою місцевизначення (GPS) | | |або глобальною навігаційною супутниковою системою | | |(GLONASS), визначається з урахуванням критеріїв, | | |зазначених у позиції 7.A.5. | |-----------+----------------------------------------------------| | | 1) розроблені або модифіковані | | | | для використання "криптографії" | | | | із застосуванням цифрової | | | | техніки, що виконують будь-які | | | | криптографічні функції, відмінні | | | | від автентифікації або цифрового | | | | підпису і мають одне з наведеного| | | | нижче: | | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічні |1. До функцій автентифікації та цифрового підпису | |примітки. |належить також функція управління відповідним | | |ключем. | | |2. Автентифікація включає в себе всі аспекти | | |контролю доступу, де немає шифрування файлів або | | |тексту, за винятком шифрування, що безпосередньо | | |пов'язане із захистом паролів, персональних | | |ідентифікаційних номерів (PINs) або подібних даних | | |для запобігання несанкціонованому доступу. | | |3. До "криптографії" не належить "фіксована" | | |компресія даних або методи кодування. | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Позиція 5.A.2.a.1 включає обладнання, | | |розроблене або модифіковане для використання | | |"криптографії" із застосуванням аналогових | | |принципів, реалізованих на цифровій техніці. | |-----------+----------------------------------------------------| | | a) "симетричний алгоритм" з | | | | довжиною ключа більше ніж | | | | 56 біт; або | | | | b) "асиметричний алгоритм", в | | | | якому алгоритм захисту | | | | базується на будь-чому з | | | | наведеного нижче: | | | | 1) факторизації (розкладані на | | | | множники) цілих чисел | | | | розрядністю більше ніж 512 біт | | | | (наприклад, RSA); | | | | 2) обчисленні дискретних | | | | логарифмів в мультиплікативній | | | | групі кінцевого поля | | | | розрядністю більше ніж 512 біт | | | | (наприклад, Diffіe-Hellman за | | | | Z/pZ); або | | | | 3) дискретному логарифмі, який | | | | належить до групи, не | | | | зазначеної у позиції 5.A.2. | | | | a.1.b.2, з розрядністю групи | | | | більше ніж 112 біт (наприклад, | | | | Diffіe-Hellman за еліптичною | | | | кривою); | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) розроблені або модифіковані | | | | для виконання | | | | криптоаналітичних функцій; | | | | 3) не використовується з | | | | 1998 року; | | | | 4) спеціально розроблені або | | | | модифіковані з метою зменшення | | | | небажаного витоку інформаційних | | | | сигналів, крім того, що необхідно| | | | для безпеки здоров'я, довкілля | | | | або для приведення у | | | | відповідність з вимогами | | | | стандартів на електромагнітні | | | | перешкоди; | | | | 5) розроблені або модифіковані | | | | з метою використання | | | | "криптографічних" методів | | | | генерації розширювального коду | | | | для систем "розширення | | | | спектра", що не підлягають | | | | контролю згідно з позицією 5. | | | | A.2.a.6, у тому числі | | | | псевдовипадковий код для | | | | систем "псевдовипадкової | | | | перебудови частоти"; | | | | 6) розроблені або модифіковані | | | | для використання методу | | | | криптографії, в якому | | | | здійснюється генерація кодів | | | | ущільнення каналів, | | | | скремблірування або кодів | | | | ідентифікації мереж для | | | | систем, що застосовують метод | | | | "надширокосмугової | | | | модуляції"; | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) ширину смуги частот понад | | | | 500 МГц; або | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) "відносну ширину смуги | | | | частот" 20% або більше; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 7) некриптографічні системи та |з 8544 | | | пристрої для захисту | | | | інформаційних і комунікаційних | | | | технологій (ІСТ), що мають | | | | оціночний рівень довіри, що | | | | перевищує клас EAL-6 | | | | (оціночний рівень) загальних | | | | критеріїв оцінки безпеки або | | | | їхнього еквіваленту; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 8) кабельні системи зв'язку, | | | | спроектовані або модифіковані | | | | з використанням механічних, | | | | електричних або електронних | | | | засобів для виявлення таємного | | | | проникнення; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 9) розроблені або модифіковані | | | | для використання "квантової | | | | криптографії". | | |-----------+----------------------------------------------------|

|Технічна |"Квантова криптографія" відома також як | |примітка. |"квантовий розподіл ключів" (QKD). | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.A.2 контролю не | | |підлягають: | | |a) "персоніфіковані інтелектуальні картки", | | |які мають одну з наведених нижче | | |характеристик: | | |1) в яких криптографічні можливості обмежені | | |для використання в обладнанні або системах, | | |за винятком тих, що контролюються відповідно | | |до пунктів від "b" - "g" цієї примітки; або | | |2) для загальних відкритих застосувань, де | | |криптографічні можливості не доступні | | |користувачеві і не є спеціально призначеними | | |та обмеженими забезпеченням захисту особистих | | |даних, які в них зберігаються. | |-----------+----------------------------------------------------| |Особлива |У разі коли "персоніфіковані інтелектуальні | |примітка. |картки" багатофункціональні, статус контролю | | |за кожною функцією визначається окремо; | | |b) приймальне обладнання для радіомовлення, | | |комерційного телебачення або подібних видів | | |мовлення для обмеженої аудиторії споживачів | | |без цифрового шифрування, крім випадків, коли | | |воно використовується виключно для обміну | | |інформацією з відповідними провайдерами | | |мовлення стосовно рахунків або програм; | | |c) обладнання, у якому криптографічні | | |можливості не доступні користувачеві і яке | | |було спеціально розроблене та обмежене | | |можливістю здійснювати одне з наведеного | | |нижче: | | | 1) виконувати програмне забезпечення із | | | захистом від копіювання; | | | 2) доступ до будь-чого з: | | | a) захищеного від копіювання змісту, що | | | зберігається на доступному тільки для читання | | | носії інформації; або | | | b) інформації, що зберігається в зашифрованій | | | формі на носії (наприклад, пов'язана із | | | захистом прав інтелектуальної власності), | | | коли такий носій пропонується для вільного | | | продажу покупцям в ідентичних комплектах; або | | | 3) одноразове копіювання | | | аудіо/відеоінформації, захищеної авторським | | | правом; або | | | 4) шифрування та дешифрування для захисту | | | бібліотек, атрибутів проекту або пов'язаних з | | | ними даних для проектування | | | напівпровідникових пристроїв або інтегральних | | | схем; | | |d) криптографічне обладнання, спеціально | | |розроблене та обмежене можливістю | | |використання для розрахункових банківських | | |або грошових операцій. | |-----------+----------------------------------------------------| |Технічна |До "грошових операцій", зазначених у пункті | |примітка. |"d" цієї примітки, належать збори та платежі | | |або операції з кредитними картками; | | |e) портативні або мобільні радіотелефони для | | |цивільного використання (наприклад, для | | |використання у комерційних цивільних | | |стільникових системах радіозв'язку), які не можуть | | |здійснювати ані передачу зашифрованих даних | | |безпосередньо до іншого радіотелефону або | | |обладнання (інше ніж обладнання мережевого | | |радіозв'язку з абонентами), ані передавати | | |зашифровані дані за допомогою обладнання мережевого | | |радіозв'язку з абонентами (RAN) (наприклад, | | |контролера радіомережі (RNC) або контролера базової | | |станції (BSC); | | |f) обладнання бездротового телефонного зв'язку, яке | | |не може здійснювати абонентське (наскрізне) | | |шифрування і має згідно з інструкцією виробника | | |максимальний радіус дії без додаткового посилення | | |(тобто однопролітний, без ретрансляції, сигнальний | | |імпульс, що надсилається між терміналом і домашнім | | |базовим блоком) менше ніж 400 м; | | |g) портативні або мобільні радіотелефони та подібні | | |клієнтські безпровідні пристрої для цивільного | | |використання, в яких реалізовані тільки | | |загальнодоступні або комерційні криптографічні | | |стандарти (за винятком антипіратських функцій, | | |що не є загальнодоступними), а також відповідають | | |умовам підпозицій "b" - "e" Криптографічної | | |примітки (Примітка 3 в частині 2 Розділу 5), | | |що були виготовлені відповідно до технічних | | |умов замовника для цивільного промислового | | |застосування з особливостями, які не | | |впливають на криптографічну функціональність | | |цих оригінальних невиготовлених на замовлення | | |пристроїв; | | |h) обладнання спеціально призначене для | | |обслуговування портативних або мобільних | | |радіотелефонів та подібних безпровідних | | |клієнтських пристроїв, які відповідають | | |положенням Криптографічної примітки (Примітка 3 в | | |частині 2 Розділу 5), де обладнання з | | |обслуговування відповідає всім наведеним | | |характеристикам: | | | 1) криптографічні функціональні можливості | | | обладнання для обслуговування не можуть бути | | | легко змінені користувачем обладнання; | | | 2) сервісне обладнання призначене для | | | встановлення без подальшої суттєвої підтримки | | | з боку постачальника; та | | | 3) сервісне обладнання не може змінювати | | | криптографічні функціональні можливості | | | пристрою, який обслуговується; | | |i) бездротове обладнання для "персональної | | |мережі", в якому використовується тільки | | |опубліковані або комерційні криптографічні | | |стандарти і в якому криптографічна здатність | | |обмежується номінальним робочим діапазоном, | | |що не перевищує 30 метрів згідно з | | |специфікаціями виробника. | |-----------+----------------------------------------------------| |5.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | | |Частина 2. |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | | |** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого| |експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається| |погодження Адміністрації Держспецзв'язку. | |----------------------------------------------------------------| |5.B.2. |Обладнання для випробування, | | |[5B002] |контролю і виробництва | | | |"захисту інформації: | | | |-------------------------------------+--------------| | |a) обладнання, спеціально |з 8471, | | | призначене для "розроблення" |8543 | | | або "виробництва" обладнання, | | | | зазначеного в позиції 5.A.2 | | | | або 5.B.2.b; | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) вимірювальне обладнання, |з 8471 | | | спеціально призначене для |з 8543 | | | оцінки та підтвердження | | | | функцій "захисту інформації" | | | | обладнання, що підлягає | | | | контролю згідно з позицією 5.A.2, | | | | або "програмного забезпечення", | | | | що підлягає контролю згідно з | | | | позицією 5.D.2.а або 5.D.2.c. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.C. |МАТЕРІАЛИ | | |Частина 2. |Відсутні | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |Частина 2. | | | |** | | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.D.2. |"Програмне забезпечення", як | | |[5D002] |наведено нижче: | | | |-------------------------------------+--------------| | |a) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для | | | | "розроблення", "виробництва" | | | | або "використання" обладнання, | | | | що підлягає контролю згідно з | | | | позицією 5.A.2, або | | | | "програмного забезпечення", що | | | | підлягає контролю згідно з | | | | позицією 5.D.2.c; | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) "програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для підтримки | | | | "технологій", що підлягають | | | | контролю згідно з позицією 5.E.2; | | | |-------------------------------------+--------------| | |c) спеціальне "програмне |з 8524 | | | забезпечення", наведене нижче: | | | | 1) "програмне забезпечення", | | | | яке має характеристики або | | | | може виконувати чи | | | | відтворювати функції обладнання, | | | | що підлягає контролю згідно з | | | | позицією 5.A.2; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) "програмне забезпечення" | | | | для сертифікації "програмного | | | | забезпечення", що підлягає | | | | контролю згідно з позицією | | | | 5.D.2.c.1. | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 5.D.2 контролю не підлягає: | | |a) "програмне забезпечення", що необхідне для | | |"використання" в обладнанні, яке не підлягає | | |контролю згідно з приміткою до позиції 5.A.2; | | |b) "програмне забезпечення", що виконує будь-які | | |функції обладнання, яке не підлягає контролю | | |згідно з приміткою до позиції 5.A.2. | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого| |експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається| |погодження Адміністрації Держспецзв'язку. | |----------------------------------------------------------------| |5.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |Частина 2. | | | |** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого| |експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається| |погодження Адміністрації Держспецзв'язку. | |----------------------------------------------------------------| |5.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, | | |особливих приміток для "розроблення",|3706, 8524, | | |"виробництва" або "використання" |з 8471 70, | | |обладнання, що підлягає контролю |4901 99 00 00,| | |згідно з позицією 5.A.2 або 5.B.2, |4906 00 00 00 | | |або "програмного забезпечення", | | | |яке підлягає контролю згідно | | | |з позицією 5.D.2.a або 5.D.2.c. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E.2.2. |"Послуги та роботи" (відповідно | | | |до особливої примітки щодо послуг | | | |та робіт) стосовно товарів подвійного| | | |використання, зазначених у позиціях | | | |5.A.2, 5.B.2, 5.D.2 або 5.E.2. | | ------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 3. СПЕЦІАЛЬНІ ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів | Код | | позиції | за відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5. |ЧАСТИНА 3. ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ ТА | | | |ПРИСТРОЇ ДЛЯ ЗНЯТТЯ ІНФОРМАЦІЇ З | | | |КАНАЛІВ ЗВ'ЯЗКУ ТА ІНШІ ТЕХНІЧНІ | | | |ЗАСОБИ НЕГЛАСНОГО ОДЕРЖАННЯ | | | |ІНФОРМАЦІЇ | | |-----------+----------------------------------------------------| |Примітка. |Висновок щодо належності/неналежності | | |товарів до частини 3 розділу 5 надає СБУ. | |-----------+----------------------------------------------------| |5.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | |Частина 3. | | | |*, ** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення), імпорт| |(тимчасове ввезення) якого експортерами чи імпортерами разом із| |заявою до Держекспортконтролю подається погодження СБУ та СЗРУ. | |----------------------------------------------------------------| | |a) Оптико-електронна техніка: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1. Мініатюрні фотокамери, які |з 9006 | | | відповідають одному з наведених |(крім | | | критеріїв: |9006 61 00 00,| | | |9006 62 00 00,| | | |9006 69 00 00,| | | |9006 91 10 00,| | | |9006 91 90 00 | | | |9006 99 00 | | | |00), | | | |8525 40 19 00,| | | |8525 40 99 00,| | | |8525 40 11 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) мініатюрне виконання виробу в | | | | цілому або відокремленого | | | | модуля, який містить оптичний | | | | об'єктив; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) відсутність у фотокамери візиру | | | | або наявність винесених органів | | | | управління (у тому числі | | | | наявність пульту дистанційного | | | | керування); | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) можливість програмування | | | | фотокамери на здійснення | | | | фотографування у певний час | | | | (або за певною схемою) без | | | | безпосередньої участі оператора;| | | |-------------------------------------+--------------| | | d) наявність у фотокамери датчика | | | | руху, за сигналом якого | | | | здійснюється фотографування; | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) безшумність роботи виробу. | | | | Відсутність світлової чи | | | | звукової індикації режимів | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) наявність у фотокамери | | | | об'єктива, в якому діюча | | | | (апертурна) діафрагма збігається| | | | з вхідною зіницею (об'єктив типу| | | | "Pinhole"); | | | |-------------------------------------+--------------| | | g) оснащеність оптичного приладу | | | | спостереження (за винятком | | | | стаціонарних зразків) пристроєм | | | | гіростабілізації зображення. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2. Об'єктиви, в яких діюча |9002 11 00 00,| | | (апертурна) діафрагма збігається |9002 19 00 00 | | | з вхідною зіницею об'єктива | | | | (об'єктиви типу "Pinhole"). | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3. Мініатюрні теле-, відеокамери, |з 8521, | | | які відповідають одному з |8525 30, | | | наведених критеріїв: |8525 40, | | | |8525 10, | | | |8525 20 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) мініатюрне виконання виробу в | | | | цілому або відокремленого | | | | модуля; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) наявність у теле-, відеокамер | | | | об'єктива, в якому діюча | | | | (апертурна) діафрагма збігається| | | | з вхідною зіницею (об'єктив типу| | | | "Pinhole"); | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) висока чутливість теле-, | | | | відеокамер: 0,01 лк і вище на | | | | об'єкті зйомки; 0,0001 лк і вище| | | | на приймальному елементі; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) відсутність у фотокамери | | | | візиру або наявність винесених | | | | органів управління (у тому числі| | | | наявність пульту дистанційного | | | | керування); | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) безшумність роботи виробу. | | | | Відсутність світлової чи | | | | звукової індикації режимів | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) оснащеність оптичного приладу | | | | спостереження (за винятком | | | | стаціонарних зразків) пристроєм | | | | гіростабілізації зображення. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 4. Прилади нічного бачення з |9005 10 00 00,| | | можливістю реєстрації зображення |9005 80 00 00 | | | за одним з наведених критеріїв: | | | |-------------------------------------+--------------| | | a) прилад нічного бачення з | | | | можливістю реєстрації | | | | зображення. | | | | Можливість оптичного приладу | | | | працювати у темряві (вночі) без | | | | застосування інфрачервоного | | | | освітлення (інфрачервоного | | | | підсвічування) об'єкта зйомки. | | | | Висока чутливість приладу | | | | нічного бачення: | | | | мінімальна освітленість - | | | | 0,01 лк або менше на об'єкті | | | | зйомки; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) оснащеність приладу нічного | | | | бачення засобами (пристроями) | | | | для визначення відстані, | | | | координат та балістичних | | | | обчислень; | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) виготовлення приладу нічного | | | | бачення відповідно до сімейства | | | | стандартів MIL STD 810; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) побудова приладу нічного | | | | бачення на електронно-оптичному | | | | перетворювачі (ЕОП) | | | | покоління 1+ або вище | | | | (2, 2+, 3, 4 тощо); | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) виготовлення приладу нічного | | | | бачення на базі матриці | | | | мікроболометра) без охолодженого| | | | типу розміром, що перевищує | | | | 125 х 125 пікселів; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) мінімально розділяєма різниця | | | | температур, яку здатен | | | | зареєструвати прилад нічного | | | | бачення, що використовує для | | | | роботи тепловий канал: | | | | 0,1 град.C або менше (при | | | | температурі навколишнього | | | | середовища 20 град.C). | | | |-------------------------------------+--------------| | | 5. Технічні жорсткі та гнучкі |9013 80 90 00,| | | ендоскопи з каналом освітлення і |9031 49 00 90 | | | діаметром меншим ніж 10 мм; | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) переносні (мобільні) лазерні |9013 20 00 00,| | | системи, що здатні дистанційно |9013 80 90 00 | | | вимірювати малі переміщення та | | | | вібрації твердих поверхонь у | | | | діапазоні частот, що дорівнює або | | | | перевищує діапазон частот (на | | | | рівні 6 дБ): 500 - 2500 (Гц) та | | | | з динамічним діапазоном не гірше | | | | 40 дБ; | | | |-------------------------------------+--------------| | |c) мікрофони спрямованої дії з такими|9013 80 90 00,| | | критеріями: ширина діаграми |8518 10 20 00,| | | спрямованості мікрофона становить |8518 10 80 00 | | | 35 градусів або менше та здатність| | | | мікрофона приймати акустичний | | | | сигнал на відстані 10 м і більше; | | | |-------------------------------------+--------------| | |d) малогабаритні технічні засоби | | | | або пристрої: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1. Радіомікрофони з одним із |з 8525 10, | | | зазначених критеріїв: |8525 20 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) конструктивне виконання | | | | радіомікрофона у | | | | закамуфльованому | | | | (замаскованому) вигляді або у | | | | вигляді, який передбачає його | | | | подальше камуфлювання (у тому | | | | числі для вмуровування в | | | | будівельні конструкції, для | | | | маскування під звичні побутові | | | | та інші предмети); | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) наявність винесених органів | | | | управління режимами роботи | | | | радіомікрофона; | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) можливість програмування | | | | радіомікрофона на роботу (на | | | | включення/виключення) у певний | | | | час (або за певною схемою) без | | | | участі оператора; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) наявність у радіомікрофона | | | | датчиків акустичних коливань, | | | | руху тощо, за сигналом яких | | | | здійснюється управління | | | | режимами його роботи; | | | |-------------------------------------+--------------|

| | e) наявність закриття, маскування | | | | інформації, що передається | | | | радіоелектронними засобами, в | | | | тому числі шляхом шифрування, | | | | використання складних сигналів | | | | та спеціальних видів модуляції; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) малогабаритне або мініатюрне | | | | виконання конструкції | | | | радіопередавача чи модуля, що | | | | містить мікрофон; | | | |-------------------------------------+--------------| | | g) безшумність роботи виробу. | | | | Відсутність звукової чи | | | | світлової індикації режимів | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | h) можливість дистанційного | | | | керування виробом. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2. Проводові мікрофони з |8518 10 20 00,| | | конструктивним виконанням у |8518 10 80 00 | | | закамуфльованому (замаскованому) | | | | вигляді або у вигляді, який | | | | передбачає його подальше | | | | камуфлювання (у тому числі для | | | | вмуровування в будівельні | | | | конструкції, для маскування під | | | | звичні побутові та інші | | | | предмети). | | | |-------------------------------------+--------------| | | 3. Малогабаритні диктофони |8520 32 30 00,| | | (магнітофони) з одним із таких |8520 32 50 00,| | | критеріїв: |8520 32 99 00,| | | |8520 33 30 00,| | | |8520 33 90 00,| | | |8520 39 90 00,| | | |8520 90 90 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) конструктивне виконання | | | | диктофона (магнітофона) у | | | | закамуфльованому (замаскованому)| | | | вигляді або у вигляді, який | | | | передбачає його подальше | | | | камуфлювання (у тому числі для | | | | маскування під звичні побутові | | | | та інші предмети); | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) мініатюрне виконання | | | | конструкції диктофона | | | | (магнітофона); | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) безшумність роботи виробу. | | | | Відсутність звукової чи | | | | світлової індикації режимів | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) наявність винесених органів | | | | управління режимами роботи | | | | диктофона (магнітофона); | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) можливість програмування | | | | диктофона (магнітофона) на | | | | роботу (на включення/виключення)| | | | у певний час (або за певною | | | | схемою) без участі оператора; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) наявність у диктофона | | | | (магнітофона) датчиків | | | | акустичних коливань, руху тощо, | | | | за сигналом яких здійснюється | | | | управління режимами його | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | g) можливість дистанційного | | | | керування виробом. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 4. Технічні засоби зняття |з 8518 40, | | | інформації з мереж та систем |8518 50, | | | телекомунікацій, обладнані |8520, | | | спеціальними пристроями фіксації,|8525 10, | | | збереження чи передачі отриманої |8525 20, | | | інформації, у тому числі з |8527, | | | пристроями дистанційного |8543 20 00 00,| | | керування, з одним із наступних |8543 89 10 10,| | | критеріїв: |8543 89 10 90,| | | |8543 89 20 00,| | | |8543 89 95 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) телекомунікаційне обладнання, | | | | яке має функцію негласного | | | | отримання інформації; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) технічні засоби, які здатні | | | | негласно приймати, обробляти та | | | | зберігати інформацію з | | | | телекомунікаційних мереж | | | | (радіо, проводових, оптичних чи | | | | інших мереж); | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) апаратно-програмні комплекси | | | | моніторингу телекомунікаційних | | | | мереж (стільникового, | | | | проводового радіозв'язку тощо). | | | |-------------------------------------+--------------| | | 5. Технічні засоби з функціями |з 8525 10, | | | негласного визначення |8525 20, | | | місцезнаходження транспортних |8527, | | | засобів або інших об'єктів (у |8526 10 90 00,| | | тому числі з пристроями |8526 91 90 00,| | | дистанційного керування), з |8526 92 90 00,| | | одним із наступних критеріїв: |8543 89 95 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) конструктивне виконання | | | | технічного засобу у | | | | закамуфльованому | | | | (замаскованому) вигляді або у | | | | вигляді, який передбачає його | | | | подальше камуфлювання; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) мініатюрне виконання технічного | | | | засобу, який містить підсистему | | | | визначення координат об'єкта | | | | (ГЛОНАСС, GPS тощо) та | | | | підсистему реєстрації або | | | | передавання інформації щодо | | | | контролю за місцезнаходженням | | | | (переміщенням) транспортних | | | | засобів або інших об'єктів; | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) об'єднання в технічному | | | | засобі кількох різних функцій, | | | | одна з яких забезпечує | | | | здійснення контролю за | | | | місцезнаходженням (переміщенням)| | | | транспортних засобів або | | | | інших об'єктів; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) наявність у технічних засобах | | | | мініатюрних радіопередавачів | | | | пристроїв (радіомаячків), які | | | | випромінюють радіосигнали, що | | | | використовуються | | | | радіоприймальними пристроями для| | | | визначення їх місцезнаходження; | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) радіоприймальні пристрої з | | | | функціями визначення | | | | місцезнаходження джерела | | | | радіовипромінювання. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 6. Вібродатчики з |з 9031 (крім | | | пристроями накопичування або |9031 10 00 00,| | | передачі інформації з одним із |9031 30 00 00,| | | наступним критеріїв: |9031 41 00 00,| | | |9031 49) | | |-------------------------------------+--------------| | | a) конструктивне виконання | | | | вібродатчика у | | | | закамуфльованому вигляді або у | | | | вигляді, який передбачає його | | | | подальше камуфлювання (у тому | | | | числі для вмурування у | | | | будівельні конструкції, для | | | | маскування під звичні побутові | | | | предмети тощо); | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) малогабаритне або мініатюрне | | | | виконання конструкції | | | | вібродатчика; | | | |-------------------------------------+--------------| | | c) відсутність світлової чи | | | | звукової індикації режимів | | | | роботи; | | | |-------------------------------------+--------------| | | d) можливість дистанційного | | | | керування виробом; | | | |-------------------------------------+--------------| | | e) можливість програмування | | | | вібродатчика на роботу | | | | (включення/виключення) у | | | | певний час (або за певною | | | | схемою) без участі оператора; | | | |-------------------------------------+--------------| | | f) смуга частот (на рівні 6 дБ), | | | | не гірше 500 - 2400 Гц; | | | |-------------------------------------+--------------| | | g) динамічний діапазон, | | | | не гірше 40 дБ. | | |-----------+----------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.3.d.6 контролю підлягають не | | |самі електронні компоненти, якими є вібродатчики, а | | |пристрої в цілому, до складу яких входять ці | | |вібродатчики. | |-----------+----------------------------------------------------| | |e) спеціальні засоби відмикання | | | | замикаючих пристроїв для | | | | проникнення у приміщення, | | | | сховища, транспортні засоби | | | | тощо: | | | |-------------------------------------+--------------| | | 1) механічні: |8301 70 00 00 | | |-------------------------------------+--------------| | | a) універсальні інструменти, | | | | відмички, ключі та інше для | | | | відкриття приміщень, сховищ, | | | | транспортних засобів чи для їх | | | | обстеження (під універсальністю | | | | має на увазі здатність | | | | відмикати більше одного | | | | замикаючого пристрою); | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) інструмент для здійснення | | | | аварійного відкриття або | | | | сервісного обслуговування | | | | замикаючих пристроїв. | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) електронні, у тому числі типу |з 8471 (крім | | | Linklock з одним із наступних |8471 10, | | | критеріїв: |8471 30, | | | |8471 70) | | |-------------------------------------+--------------| | | a) універсальність електронного | | | | засобу, яка полягає у його | | | | здатності відмикати (декодувати)| | | | більше одного електронного | | | | замикаючого пристрою; | | | |-------------------------------------+--------------| | | b) призначення електронного засобу | | | | здійснювати аварійне відкриття | | | | або сервісне обслуговування | | | | електронних замикаючих | | | | пристроїв (у тому числі типу | | | | Linklock). | | | |-------------------------------------+--------------| | |f) переносні рентгенівські системи, |з 9022 | | | маса яких дорівнює або менша | | | | 40 кг; | | | |-------------------------------------+--------------| | |g) оповіщувачі охоронної |з 8531 10 | | | сигналізації, оснащені вбудованою | | | | телекамерою та/або мікрофоном. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | | |Частина 3. |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | | |*, ** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здій снюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення), імпорт| |(тимчасове ввезення) якого експортерами чи імпортерами разом із| |заявою до Держекспортконтролю подається погодження СБУ та СЗРУ. | |----------------------------------------------------------------| |[5B002] |a) Обладнання, спеціально призначене |з 8471, | | | для: |8543 | |-----------+-------------------------------------+--------------| | | 1) "розроблення" обладнання або | | | | функцій, що підлягають контролю | | | | відповідно до цієї частини, | | | | включаючи вимірювальне або | | | | випробувальне обладнання; | | | |-------------------------------------+--------------| | | 2) "виробництва" обладнання або | | | | функцій, що підлягають контролю | | | | відповідно до цієї частини, | | | | включаючи вимірювальне, | | | | випробувальне, ремонтне або | | | | виробниче обладнання. | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) Вимірювальне обладнання, |з 8471, | | | спеціально призначене для оцінки |з 8543 | | | або підтвердження функцій, що | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позицією 5.A.3. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.C. |МАТЕРІАЛИ | | |Частина 3. |Відсутні | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | | |Частина 3. | | | |*, ** | | | |-----------+-------------------------------------+--------------| | |a) "Програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для "розроблення", | | | | "виробництва" або "використання" | | | | обладнання чи "програмного | | | | забезпечення", що підлягають | | | | контролю згідно з цією частиною. | | | |-------------------------------------+--------------| | |b) "Програмне забезпечення", |з 8524 | | | спеціально призначене або | | | | модифіковане для підтримки | | | | "технологій", що підлягають | | | | контролю згідно з позицією 5.E.3. | | | |-------------------------------------+--------------| | |c) Спеціальне "програмне |з 8524 | | | забезпечення", яке має | | | | характеристики або може виконувати| | | | чи відтворювати функції | | | | обладнання, що підлягає контролю | | | | відповідно до позиції 5.A.3. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | | |Частина 3. | | | |*, ** | | | |----------------------------------------------------------------| |______________ | | * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здій снюється за| |дозволом (висновком) Держекспортконтролю. | | ** Товар, для одержання дозволу (висновку)| |Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення), імпорт| |(тимчасове ввезення) якого експортерами чи імпортерами разом із| |заявою до Держекспортконтролю подається погодження СБУ та СЗРУ. | |----------------------------------------------------------------| |5.E.3. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, | | |особливих приміток для "розроблення",|з 8524, | | |"виробництва" або "використання" |4901 99 00 00,| | |обладнання чи "програмного |4906 00 00 00 | | |забезпечення", яке підлягає контролю | | | |згідно з цією частиною. | | |-----------+-------------------------------------+--------------| |5.E.3.2. |"Послуги та роботи" (відповідно до | | | |особливої примітки щодо послуг та | | | |робіт) стосовно товарів подвійного | | | |використання, зазначених у позиціях | | | |5.A.3, 5.B.3, 5.D.3 або 5.E.3. | | ------------------------------------------------------------------

Розділ 6. ДАТЧИКИ І "ЛАЗЕРИ"

------------------------------------------------------------------ | Номер | Найменування та опис товарів за | Код | | позиції | відповідними групами | товару | | | | згідно з | | | | УКТЗЕД | | | | ( 2371а-14, | | | | 2371б-14, | | | | 2371в-14, | | | | 2371г-14 ) | |----------+--------------------------------------+--------------| |6. |ДАТЧИКИ І "ЛАЗЕРИ" | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | | | |АКУСТИКА | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.1. |Акустичні системи, обладнання та | | |[6A001] |компоненти, наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | |a) морські акустичні системи, | | | | обладнання, наведені нижче, і | | | | "спеціально призначені компоненти" | | | | для них: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) активні (що передають або | | | | передають та приймають) системи, | | | | обладнання і "спеціально | | | | призначені компоненти" для них, | | | | наведені нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.1.a.1 контролю не підлягають: | | |a) гідролокатори глибини вертикальної дії без функції| | |сканування променя понад +- 20 град , які мають | | |обмежене використання для вимірювання глибини, | | |відстані до занурених або заглиблених об'єктів або | | |косяків риби; | | |b) акустичні буї, наведені нижче: | | | 1) аварійні акустичні буї; | | | 2) імпульсні акустичні буї з дистанційним | | | керуванням, спеціально призначені для переміщення | | | або повернення їх у підводне положення. | |----------+-----------------------------------------------------| | |a) широкооглядові системи вимірювання |9015 80 91 00,| | | глибини, призначені для |9015 90 00 00 | | | картографування морського дна, які | | | | мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) призначені для вимірювання при | | | | кутах відхилення променя від | | | | вертикалі понад 20 град; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) призначені для вимірювання глибин | | | | понад 600 м від поверхні води; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) призначені для забезпечення | | | | будь-якої з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) об'єднання кількох променів, | | | | вужчих ніж 1,9 град; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) точності вимірів глибини поперек | | | | смуги огляду, одержаної шляхом | | | | усереднення окремих вимірів у | | | | межах смуги огляду, кращої ніж | | | | 0,3%; | | | |--------------------------------------+--------------| | |b) системи виявлення або визначення |9015 80 91 00,| | | місцезнаходження об'єкта, які мають|9015 90 00 00 | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) частоту передачі нижче ніж 10 кГц;| | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) рівень звукового тиску понад | | | | 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для | | | | обладнання з робочою частотою у | | | | діапазоні від 10 кГц до 24 кГц | | | | включно; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) рівень звукового тиску понад | | | | 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для | | | | обладнання з робочою частотою у | | | | діапазоні між 24 кГц до 30 кГц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) формування променів, вужчих | | | | 1 град. на будь-якій осі, та | | | | робочу частоту нижчу ніж 100 кГц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) призначені для функціонування на | | | | відстані однозначного виявлення | | | | цілі понад 5120 м; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) призначені витримувати тиск під | | | | час нормального функціонування на | | | | глибинах понад 1000 м та мають | | | | датчики з будь-якою з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) динамічна компенсація тиску; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) мають інший перетворювальний | | | | елемент, відмінний від цирконату-| | | | титанату свинцю; | | | |--------------------------------------+--------------| | |c) акустичні випромінювачі, включаючи |9015 80 91 00,| | | перетворювачі, що мають |9015 90 00 00 | | | п'єзоелектричні, магнітострикційні,| | | | електрострикційні, електродинамічні| | | | або гідравлічні елементи, які | | | | функціонують окремо або в | | | | конструктивно заданій сукупності і | | | | мають одну з наведених нижче | | | | характеристик: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Контрольний статус акустичних випромінювачів, | | |включаючи перетворювачі, спеціально призначені для | | |іншого обладнання, визначається контрольним статусом | | |іншого обладнання. | | |2. Згідно з позицією 6.A.1.a.1.c контролю не | | |підлягають електронні джерела, які здійснюють тільки | | |вертикальне зондування, або механічні (наприклад, | | |пневмогармата або пароударна гармата), або хімічні | | |(наприклад, вибухові) джерела. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 1) густина миттєвої випромінюваної | | | | акустичної потужності понад 0,01 | | | | мВт/кв.мм/Гц для приладів, які | | | | працюють на частотах нижче ніж | | | | 10 кГц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) густина безперервної | | | | випромінюваної акустичної | | | | потужності понад 0,001 | | | | мВт/кв.мм/Гц для приладів, які | | | | працюють на частотах нижче ніж | | | | 10 кГц; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Густина акустичної потужності визначається діленням | |примітка. |вихідної акустичної потужності на добуток площі | | |випромінювальної поверхні та робочої частоти. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 3) здатність заглушення бокових | | | | пелюсток понад 22 дБ; | | | |--------------------------------------+--------------| | |d) акустичні системи, обладнання і |9015 80 11 00,| | | "спеціально призначені компоненти" |9015 90 00 00 | | | для визначення положення надводних | | | | суден і підводних апаратів, | | | | призначені для функціонування на | | | | дистанції понад 1000 м з точністю | | | | позиціонування менше ніж 10 м | | | | (середньоквадратичне відхилення) | | | | під час вимірювання на відстані | | | | 1000 м. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Позиція 6.A.1.a.1.d включає: | | |a) обладнання, яке використовує когерентне | | |"оброблення сигналів" між двома або більше буями і | | |гідрофонним блоком, що транспортується надводним | | |судном або підводним апаратом; | | |b) обладнання, здатне здійснювати автоматичну | | |корекцію помилок швидкості поширення звуку для | | |обчислення місцезнаходження; | |----------+-----------------------------------------------------| | |2) пасивні (приймають у штатному | | | | режимі незалежно від зв'язку з | | | | активною апаратурою) акустичні | | | | системи, апаратура і "спеціально | | | | призначені компоненти" для них, | | | | наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | |a) гідрофони, які мають будь-яку з |9015 80 93 00,| | | наведених нижче характеристик: |9015 90 00 00 | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Контрольний статус гідрофонів, спеціально призначених| | |для іншого обладнання, визначається контрольним | | |статусом зазначеного іншого обладнання. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 1) містять безперервні гнучкі | | | | датчики (чутливі елементи); | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) містять гнучкі збірки дискретних | | | | датчиків з діаметром або | | | | завдовжки менше ніж 20 мм та | | | | відстанню між елементами менше | | | | ніж 20 мм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) мають будь-який з наведених нижче | | | | чутливих елементів: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) оптоволоконні; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) п'єзоелектричні полімерні плівки | | | | інші, ніж полівініліденфторид | | | | (PVDF) та його співполімери | | | | (P(VDF-TrFE) та P(VDF-TFE)); або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) гнучкі п'єзоелектричні | | | | композиційні матеріали; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) чутливість гідрофону краще ніж - | | | | 180 дБ на будь-якій глибині без | | | | компенсації прискорення; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) призначені для роботи на глибинах | | | | понад 35 м та мають компенсацію | | | | прискорення; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) призначені для роботи на | | | | глибинах понад 1000 м. | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Технічні |1. Датчики з "п'єзоелектричної полімерної плівки" | |примітки. |складаються з поляризованої полімерної плівки, яка | | |натягнута на опорну раму або оправу та прикріплена до| | |неї. | | |2. Датчики з "гнучких п'єзоелектричних композитних | | |матеріалів" складаються з частинок або волокон | | |п'єзоелектричної кераміки, об'єднаних з | | |електроізолюючим та акустично прозорим каучуковим, | | |полімерним або епоксидним компаундом, при цьому | | |компаунд є невід'ємною частиною датчиків. | | |3. Чутливість гідрофону визначається як | | |двадцятикратний десятковий логарифм відношення | | |середньоквадратичного значення вихідної напруги до | | |середньоквадратичного опорного значення напруги 1 В, | | |коли гідрофонний датчик без попереднього підсилювача | | |розміщений в акустичному полі плоскої хвилі із | | |середньоквадратичним значенням тиску 1 мкПа. | | |Наприклад, гідрофон з - 160 дБ (опорна напруга | | | -8 | | |1 В/мкПа) дасть вихідну напругу 10 В у такому полі,| | |тоді як гідрофон з чутливістю - 180 дБ дасть вихідну | | | -9 | | |напругу тільки 10 В. Таким чином, - 160 дБ краще | | |ніж - 180 дБ. | |----------+-----------------------------------------------------| | |b) акустичні гідрофонні ґратки, які |9015 80 93 00,| | | буксируються і мають будь-яку з |9015 80 99 00,| | | наведених нижче характеристик: |9015 90 00 00 | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) відстань між гідрофонними групами | | | | менше ніж 12,5 м або здатні до | | | | модифікації для отримання такої | | | | відстані; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) призначені або здатні до |9015 80 93 00 | | | модифікації для функціонування на | | | | глибині понад 35 м. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Здатність до модифікації, зазначена в позиції | |примітка. |6.A.1.a.2.b, означає наявність можливостей для зміни | | |схеми з'єднань або взаємних з'єднань для зміни | | |відстані між гідрофонними групами або меж робочих | | |глибин. Такими можливостями є наявність резервних | | |провідників понад 10 відсотків кількості провідників,| | |блоків регулювання відстані між гідрофонними групами | | |або внутрішніх пристроїв обмеження глибини із | | |здатністю регулювання або керування більше ніж однією| | |гідрофонною групою. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 3) датчики напрямку, що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 6.A.1.a.2.d; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) вздовж зміцнені кабелі ґраток; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) зібрана ґратка діаметром менше ніж| | | | 40 мм; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) не використовуються з 2007 року; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 7) гідрофонні характеристики, | | | | визначені у позиції 6.A.1.a.2.a; | | | |--------------------------------------+--------------| | |c) обладнання оброблення даних, |9015 80 93 00,| | | спеціально призначене для |9015 80 99 00,| | | використання в акустичних |9015 90 00 00 | | | гідрофонних ґратках, що | | | | буксируються і мають | | | | "можливість програмування | | | | користувачем" та часовий або | | | | частотний метод оброблення і | | | | кореляції, включаючи | | | | спектральний аналіз, цифрову | | | | фільтрацію і формування діаграми | | | | направленості променя із | | | | застосуванням швидкого перетворення| | | | Фур'є або інших перетворень чи | | | | процесів; | | | |--------------------------------------+--------------| | |d) датчики напрямку, які мають усі |9015 80 93 00,| | | наведені нижче характеристики: |9015 90 00 00 | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) точність краще ніж +- 0,5 град.; | | | | та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) призначені для функціонування на | | | | глибині понад 35 м або мають | | | | регульований або змінний датчик | | | | глибини для функціонування на | | | | глибині понад 35 м; | | | |--------------------------------------+--------------| | |e) донні або занурені кабельні мережі,|з 8544 | | | які мають будь-яку з наведених |9015 80 93 00,| | | нижче характеристик: |9015 80 99 00,| | | |9015 90 00 00 | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) містять гідрофони, визначені у | | | | позиції 6.A.1.a.2.a; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) містять мультиплексні сигнальні | | | | модулі гідрофонних груп, які мають| | | | усі наведені нижче характеристики:| | | |--------------------------------------+--------------| | | a) призначені для роботи на глибині | | | | понад 35 м або мають регульований| | | | або змінний датчик глибини для | | | | роботи на глибині понад 35 м; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) здатні операційно замінюватися | | | | буксованими модулями акустичних | | | | гідрофонних ґраток; | | | |--------------------------------------+--------------| | |f) апаратура оброблення, спеціально |9015 80 93 00,| | | призначена для донних або занурених|9015 80 99 00,| | | кабельних систем, яка має |9015 90 00 00 | | | "можливість програмування | | | | користувачем" та часовий або | | | | частотний метод оброблення і | | | | кореляції, включаючи спектральний | | | | аналіз, цифрову фільтрацію і | | | | формування діаграми направленості | | | | променя із застосуванням швидкого | | | | перетворення Фур'є чи інших | | | | перетворень або процесів; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.1. |b) апаратура гідролокаційного |9015 80 93 00,| | | кореляційного і доплерівського |9015 80 99 00,| | | лагів, призначена для |9015 90 00 00 | | | кореляційного вимірювання | | | | горизонтальної складової швидкості | | | | носія апаратури відносно морського | | | | дна, як наведено нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) апаратура гідролокаційного | | | | кореляційного лага, що має | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) призначена для експлуатації при | | | | відстані між її носієм та дном | | | | моря понад 500 м; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) має точність визначення швидкості| | | | краще (менше) 1%; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) апаратура гідролокаційного | | | | доплерівського лага, що має | | | | точність визначення швидкості | | | | краще (менше) 1%. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 6.A.1.b контролю не підлягають | | |ехолоти, обмежені будь-якою з наведених нижче | | |функцій: | | |a) вимірюванням глибини; | | |b) вимірюванням відстані від занурених у воду або | | |затоплених об'єктів; або | | |c) пошуком риби. | | |2. Згідно з позицією 6.A.1.b контролю не підлягає | | |обладнання, спеціально призначене для установки на | | |надводні судна. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.1. |c) акустичні системи залякування нирців, спеціально | | | призначені або модифіковані, щоб перешкоджати | | | роботі нирців, і мають рівень звукового тиску, що | | | дорівнює або більше 190 дБ (що відповідає 1 мкПа | | | на 1 метр) на частотах 200 Гц і нижче. | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Згідно з позицією 6.A.1.c контролю не підлягають | | |системи залякування нирців на основі підводних | | |вибухових пристроїв, пневматичних пістолетів або | | |джерел запалювання. | | |2. Згідно з позицією 6.A.1.c контролю підлягають | | |акустичні системи залякування нирців, в яких | | |використовуються іскрові розрядники, також відомі як | | |плазмові звуковипромінювачі. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.2. |ОПТИЧНІ ДАТЧИКИ | | |[6A002] |--------------------------------------+--------------| | |a) оптичні детектори, наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) твердотільні детектори, "придатні |8541 40 99 00,| | | для використання в космосі", |8541 90 00 00 | | | наведені нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Для цілей позиції 6.A.2.a.1 твердотільні детектори | | |включають "гратки фокальної площини". | |----------+-----------------------------------------------------| | | a) твердотільні детектори, "придатні| | | | для використання в космосі", які | | | | мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) максимальний відгук на довжині | | | | хвилі понад 10 нм, але не більше| | | | ніж 300 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) відгук менше ніж 0,1% відносно | | | | максимального відгуку на довжині| | | | хвилі понад 400 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) твердотільні детектори, "придатні| | | | для використання в космосі", які | | | | мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) максимальний відгук у діапазоні | | | | довжини хвиль понад 900 нм, але | | | | не більше ніж 1200 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "сталу часу" відгуку 95 нс або | | | | менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) твердотільні детектори, "придатні| | | | для використання в космосі", які | | | | мають максимальний відгук у | | | | діапазоні довжини хвиль понад | | | | 1200 нм, але не більше ніж | | | | 30000 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | d) "ґратки фокальної площини", | | | | "придатні для використання в | | | | космосі" з більш як 2048 | | | | елементами на ґратку, які мають | | | | максимальний відгук у діапазоні | | | | хвиль понад 300 нм, але не | | | | більше ніж 900 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) електронно-оптичні підсилювачі |8541 40 99 00,| | | яскравості та "спеціально |8541 90 00 00 | | | призначені компоненти" для них, | | | | наведені нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 6.A.2.a.2 контролю не підлягають | | |фотоелектронні помножувачі без формування зображення,| | |що мають електронно-чутливий пристрій у вакуумі, | | |обмежений виключно будь-чим з наведеного нижче: | | |a) єдиним металевим анодом; або | | |b) металевими анодами з відстанню між центрами більше| | |ніж 500 мкм. | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Зарядове множення є формою електронного підсилення | |примітка. |зображення та характеризується створенням носіїв | | |зарядів в результаті процеса ударної іонізації. | | |Приймачами оптичного випромінювання із зарядовим | | |множенням можуть бути електронно-оптичні | | |перетворювачі, твердотільні приймачі оптичного | | |випромінювання або "гратки фокальної площини". | |----------+-----------------------------------------------------| | | a) електронно-оптичні підсилювачі |з 9013 80, | | | яскравості, які мають усі |9013 90 10 00,| | | наведені нижче характеристики: |9013 90 90 00 | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) максимальний відгук у діапазоні | | | | хвиль понад 400 нм, але не | | | | більше ніж 1050 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) електронне підсилення | | | | зображення, в якому | | | | використовується будь-що з | | | | наведеного нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) мікроканальна пластина з кроком| | | | отворів (відстанню між | | | | центрами) 12 мкм або менше; або| | | |--------------------------------------+--------------| | | b) електронний чутливий елемент з | | | | кроком комбінованих пікселів | | | | 500 мкм або менше, спеціально | | | | призначений або модифікований | | | | для досягнення "зарядового | | | | множення" інакше ніж у | | | | мікроканальній пластині; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) будь-який з фотокатодів, | | | | наведених нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) багатолужні фотокатоди | | | | (наприклад, S-20 та S-25) | | | | із світловою чутливістю | | | | понад 350 мкА/лм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) фотокатоди з GaAs або GaInAs; | | | | або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) інші компаундні | | | | напівпровідникові фотокатоди | | | | на сполученнях III - IV груп | | | | із максимальною інтегральною | | | | чутливістю до променевого | | | | потоку понад 10 мА/Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) електронно-оптичні підсилювачі | | | | яскравості зображення, які мають | | | | усі наведені нижче характеристики:| | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) максимальний відгук у діапазоні | | | | хвиль понад 1050 нм, але не | | | | більше ніж 1800 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) електронне підсилення зображення| | | | з використанням будь-чого з | | | | наведеного нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) мікроканальні пластини з кроком| | | | отворів (відстанню між | | | | центрами) 12 мкм або менше; або| | | |--------------------------------------+--------------| | | b) електронного чутливого | | | | елемента з кроком | | | | незавантажених пікселів 500 мкм| | | | або менше, спеціально | | | | призначеного або | | | | модифікованого для досягнення | | | | зарядового множення інакше ніж | | | | за допомогою мікроканальної | | | | пластини; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) компаундні напівпровідникові | | | | (наприклад, GaAs або GaInAs) | | | | фотокатоди на сполуках груп | | | | III - IV та фотокатоди з | | | | міждолинним переходом | | | | електронів та мають максимальну | | | | інтегральну чутливість до | | | | променевого потоку понад | | | | 15 мА/Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) спеціально призначені | | | | "компоненти", наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) мікроканальні пластини з кроком | | | | отворів (відстанню між центрами)| | | | 12 мкм або менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) електронний чутливий елемент з | | | | кроком незавантажених пікселів | | | | 500 мкм або менше, спеціально | | | | призначений або модифікований | | | | для досягнення "зарядового | | | | множення" інакше ніж за | | | | допомогою мікроканальної | | | | пластини; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) компаундні напівпровідникові | | | | (наприклад, GaAs або GaInAs) | | | | фотокатоди на сполученнях | | | | III-IV груп та фотокатоди з | | | | міждолинним переходом | | | | електронів. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.2.a.2.c.3 контролю не | | |підлягають компаундні напівпровідникові фотокатоди, | | |призначені для досягнення будь-якої з наведених | | |нижче величин максимальної чутливості до світлового | | |потоку: | | |a) 10 мА/Вт або менше при максимальному відгуку у | | |діапазоні довжини хвиль понад 400 нм, але не більше | | |1050 нм; або | | |b) 15 мА/Вт або менше при максимальному відгуку у | | |діапазоні довжини хвиль понад 1050 нм, але не більше | | |1800 нм. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 3) "ґратки фокальної площини", не |8541 40 91 00,| | | "придатні для використання в |8541 40 99 00,| | | космосі", наведені нижче: |8541 90 00 00 | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Не "придатні для використання в космосі" | |примітка. |мікроболометричні "ґратки фокальної площини" на | | |основі кремнію та інших матеріалів, описані тільки у | | |позиції 6.A.2.a.3.f. | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Лінійні або двомірні багатоелементні детекторні | |примітка. |ґратки далі називаються "ґратки фокальної площини". | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Позиція 6.A.2.a.3 включає фотопровідникові ґратки | | |та фотоелектричні ґґратки. | | |2. Згідно з позицією 6.A.2.a.3 контролю не | | |підлягають: | | |a) багатоелементні (не більше ніж 16 елементів) | | |фотопровідні елементи в оболонці із застосуванням | | |сульфіду свинцю або селеніду свинцю; | | |b) піроелектричні детектори із застосуванням | | |будь-яких з наведених нижче матеріалів: | | | 1) сульфат тригліцерину та його різновиди; | | | 2) титанат цирконію-лантану-свинцю та його | | | різновиди; | | | 3) танталат літію; | | | 4) фторид полівінілідену та його різновиди; або | | | 5) ніобат барію-стронцію та його різновиди; | | |c) "гґратки фокальної площини", спеціально призначені| | |або модифіковані для досягнення "зарядового множення"| | |та обмежені за проектом максимальною чутливістю до | | |світлового потоку 10 мА/Вт або менше для довжини | | |хвиль понад 760 нм, які мають усі наведені нижче | | |характеристики: | | | 1) містять механізм обмеження відгуку, який не може | | | бути видалений або модифікований; та | | | 2) будь-що з наведеного нижче: | | | a) механізм обмеження відгуку інтегровано або | | | об'єднано з чутливим елементом; або | | | b) "гратка фокальної площини" є придатною до | | | експлуатації тільки з встановленим механізмом | | | обмеження відгуку. | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Механізм обмеження відгуку, який є невід'ємною | |примітка. |частиною детектора, не може бути вилучений або | | |модифікований без приведення детектора у | | |непрацездатний стан. | |----------+-----------------------------------------------------| | | a) "ґратки фокальної площини", не | | | | "придатні для використання в | | | | космосі", які мають усі наведені | | | | нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) окремі елементи з максимальним | | | | відгуком у межах діапазону хвиль| | | | понад 900 нм, але не більше ніж | | | | 1050 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) будь-що з наведеного нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "сталу часу" відгуку менше ніж | | | | 0,5 нс; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) спеціально призначені або | | | | модифіковані для досягнення | | | | "зарядового множення" та мають | | | | максимальну чутливість до | | | | світлового потоку понад | | | | 10 мА/Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "ґратки фокальної площини", не | | | | "придатні для використання в | | | | космосі", які мають усі | | | | наведені нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) окремі елементи з максимальним | | | | відгуком у межах діапазону хвиль| | | | понад 1050 нм, але не більше ніж| | | | 1200 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) будь-що з наведеного нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "сталу часу" відгуку 95 нс або | | | | менше; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) спеціально призначені або | | | | модифіковані для досягнення | | | | зарядового множення та мають | | | | максимальну чутливість до | | | | світлового потоку понад | | | | 10 мА/Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) нелінійні (двовимірні) "ґратки | | | | фокальної площини", не "придатні | | | | для використання в космосі", які | | | | мають окремі елементи з | | | | максимальним відгуком у межах | | | | діапазону хвиль понад 1200 нм, | | | | але не більше ніж 30000 нм. | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Особлива |Не "придатні для використання у космосі" | |примітка. |мікроболометричні "ґратки фокальної площини" на | | |основі кремнію та інших матеріалів, описані тільки у | | |позиції 6.A.2.a.3.f. | |----------+-----------------------------------------------------| | | d) лінійні (одновимірні) "ґратки | | | | фокальної площини", не "придатні | | | | для використання в космосі", які | | | | мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) окремі елементи з максимальним | | | | відгуком у межах діапазону хвиль| | | | понад 1200 нм, але не більше ніж| | | | 3000 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | а) співвідношення розміру | | | | чутливого елемента у напрямку | | | | сканування до розміру | | | | чутливого елемента у | | | | поперечному до сканування | | | | напрямку менше ніж 3,8; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) оброблення сигналу в елементі | | | | (SPRITE). | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.2.a.3.d контролю не підлягають | | |"ґратки фокальної площини" (що мають не більше 32 | | |елементів), які мають елементи детектора, обмежені | | |виключно використанням германію. | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Для цілей позиції 6.A.2.a.3.d поперечний до | |примітка. |сканування напрямок визначається як вісь паралельна | | |до лінійної ґратки елементів детектора, а напрямок | | |сканування визначається як вісь перпендикулярна до | | |лінійної ґратки елементів детектора. | |----------+-----------------------------------------------------| | | e) лінійні (одновимірні) "ґратки | | | | фокальної площини", не "придатні | | | | для використання в космосі", які | | | | мають окремі елементи з | | | | максимальним відгуком у межах | | | | діапазону хвиль понад 3000 нм, | | | | але не більше ніж 30000 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | f) нелінійні (двовимірні) | | | | інфрачервоні "ґратки фокальної | | | | площини", не "придатні для | | | | використання в космосі", на | | | | основі мікроболометрів, які мають| | | | окремі елементи з нефільтрованим | | | | максимальним відгуком у межах | | | | діапазону хвиль 8000 нм або | | | | більше, але не більше ніж | | | | 14000 нм. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Для позиції 6.A.2.a.3.f мікроболометр визначено як | |примітка. |детектор формування теплового зображення, який | | |завдяки зміні температури у приймачі, викликаній | | |поглинанням інфрачервоного випромінювання, | | |використовується для генерування будь-яких придатних | | |для використання сигналів. | |----------+-----------------------------------------------------| | | g) "ґратки фокальної площини", не | | | | "придатні для використання в | | | | космосі", які мають усі наведені | | | | нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) індивідуальні елементи детектора| | | | з максимальним відгуком у | | | | діапазоні довжини хвиль понад | | | | 400 нм, але не більше 900 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) спеціально призначені або | | | | модифіковані для досягнення | | | | зарядового множення та мають | | | | максимальну чутливість до | | | | світлового потоку понад | | | | 10 мА/Вт для довжини хвиль понад| | | | 760 нм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) більше ніж 32 елементи; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.2. |b) "багатоспектральні датчики |8540 89 90 00,| | | формування зображення" та |8540 99 00 00 | | | "моноспектральні датчики формування| | | | зображення", призначені для | | | | дистанційного зондування, які мають| | | | одну з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) миттєве поле огляду (IFOV) менше | | | | ніж 200 мкрад (мікрорадіан); або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) спеціально призначені для роботи у| | | | діапазоні довжини хвиль понад | | | | 400 нм, але не більше | | | | ніж 30000 нм, | | | | і мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) забезпечують дані зображення на | | | | виході в цифровому форматі; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "придатні для використання в | | | | космосі"; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) призначені для повітряного | | | | базування з використанням | | | | детекторів, що відрізняються | | | | від кремнієвих, та з миттєвим | | | | полем огляду менше ніж 2,5 мрад | | | | (мілірадіан). | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.2.b.1 контролю не підлягають | | |"багатоспектральні датчики формування зображення" з | | |максимальним відгуком у діапазоні довжини хвиль понад| | |300 нм, але не більше ніж 900 нм, та взаємодіють | | |тільки з будь-якими з наведених нижче детекторами, | | |"не придатними для використання в космосі", або | | |"ґгратками фокальної площини", "непридатними для | | |використання в космосі": | | |1) прилад з зарядовим зв'язком (CCD), не призначений | | |або модифікований для досягнення збільшення заряду; | | |або | | |2) комплементарні метало-оксидні напівпровідникові | | |прилади (CMOS), не призначені або модифіковані для | | |досягнення зарядового множення. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.2. |c) апаратура формування зображення |8540 20 30 00,| | | безпосереднього спостереження у |8540 99 00 00 | | | видимому або інфрачервоному | | | | діапазоні, яка містить будь-який | | | | з наведених нижче пристроїв: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) електронно-оптичні перетворювачі | | | | для підсилення яскравості | | | | зображення, зазначені у позиціях | | | | 6.A.2.a.2.а або 6.A.2.a.2.b; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "ґратки фокальної площини", які | | | | мають характеристики, зазначені у | | | | позиціях 6.A.2.a.3 або 6.A.2.e; | | | | або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) твердотільні детектори, зазначені | | | | у позиції 6.A.2.a.1. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Безпосереднє спостереження стосується апаратури | |примітка. |формування зображення у видимій та інфрачервоній | | |частині спектра, яка дає спостерігачу видиме | | |зображення без перетворення в електронний сигнал для | | |телевізійного дисплея і не забезпечує запису або | | |зберігання зображення фотографічним, електронним або | | |будь-яким іншим способом. | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.2.c контролю не підлягає | | |наведена нижче апаратура з фотокатодами, що | | |відрізняються від фотокатодів на GaAs або GaInAs: | | |a) промислові або цивільні датчики охорони; системи | | |контролю за дорожнім рухом чи рухом на підприємствах | | |або рахункові системи; | | |b) медична апаратура; | | |c) промислова апаратура для контролю, сортування або | | |аналізу властивостей матеріалів; | | |d) детектори полум'я для промислових печей; | | |e) апаратура, спеціально призначена для лабораторного| | |застосування. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.2. |d) спеціальні допоміжні "компоненти" |з 9013 80, | | | для оптичних датчиків, наведені |9013 90 10 00,| | | нижче: |9013 90 90 00 | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) кріогенні охолоджувачі, "придатні | | | | для використання в космосі"; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) кріогенні охолоджувачі, "не |з 9013 80, | | | придатні для використання в |9013 90 10 00,| | | космосі", які мають температуру |9013 90 90 00 | | | джерела охолодження нижче | | | | ніж 218 K (-55 град.C), | | | | наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) замкненого циклу із середнім | | | | часом напрацювання до відмови | | | | (MTTF) або середнім часом | | | | напрацювання між відмовами | | | | (MTBF) понад 2500 год; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) мініохолоджувачі Джоуля-Томсона | | | | із саморегулюванням та зовнішніми| | | | діаметрами каналів менше ніж | | | | 8 мм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) оптичні чутливі волокна, |9001 90 90 00,| | | спеціально виготовлені |з 9013 80, | | | композиційно або структурно або |9013 90 10 00,| | | модифіковані за допомогою |9013 90 90 00,| | | покриття для чутливості до |9033 00 00 00 | | | акустичних, термічних, інерційних,| | | | електромагнітних або ядерних | | | | випромінювань; | | |----------+--------------------------------------+--------------|

|6.A.2. |e) виключено. | | |----------+--------------------------------------+--------------| | |КАМЕРИ | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.3. |Камери, системи або обладнання та | | |[6A003] |компоненти до них: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Камери, спеціально призначені або модифіковані для | |примітка. |підводного використання, розглянуті у позиціях | | |8.A.2.d та 8.A.2.e. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.3. |a) реєстраційні камери та "спеціально |9007 11 00 00,| | | призначені компоненти" для них, |9007 19 00 00,| | | наведені нижче: |9007 91 00 00,| | | |9007 92 00 00 | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Реєстраційні камери, що контролюються згідно з | | |позиціями 6.A.3.a.3 - 6.A.3.a.5 і мають модульну | | |конструкцію, треба оцінювати за їх максимальною | | |продуктивністю, використовуючи змінні блоки, які | | |можуть бути використані відповідно до технічних умов | | |виробника камери. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 1) високошвидкісні реєстраційні | | | | кінокамери з форматом плівки від 8| | | | до 16 мм включно, у яких плівка | | | | безперервно рухається вперед у | | | | процесі запису та в яких запис | | | | може здійснюватися із швидкістю | | | | понад 13150 кадрів/с; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.3.a.1 контролю не підлягають | | |кінокамери, призначені для цивільних цілей. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 2) механічні високошвидкісні камери, | | | | у яких плівка не рухається, здатні| | | | вести запис із швидкістю понад | | | | 1000000 кадрів/с для плівки | | | | завширшки 35 мм, із пропорційно | | | | вищими швидкостями для вужчої | | | | плівки або із пропорційно меншими | | | | швидкостями для ширшої плівки; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) механічні або електронні камери- | | | | фотохронографи із швидкістю запису| | | | понад 10 мм/мкс; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) електронні камери з кадровою | | | | синхронізацією із швидкістю запису| | | | понад 1000000 кадрів/с; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) електронні камери, які мають усі | | | | наведені нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) швидкість електронного затвора | | | | (здатність стробування) менше ніж| | | | 1 мкс на повний кадр; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) час зчитування, який забезпечує | | | | швидкість кадрування понад 125 | | | | повних кадрів/с; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) змінні блоки, які мають усі | | | | наведені нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) спеціально призначені для | | | | реєстраційних кінокамер, що мають| | | | модульну конструкцію і підлягають| | | | контролю згідно з позицією | | | | 6.A.3.a; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) забезпечують відповідність цих | | | | кінокамер характеристикам, | | | | зазначеним у позиціях 6.A.3.a.3, | | | | 6.A.3.a.4 або 6. A.3.a.5, згідно | | | | із специфікаціями виробника; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.3. |b) камери формування зображення, |8521 90 00 00,| | | наведені нижче: |8522 90 93 00,| | | |8522 90 98 00 | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.3.b контролю не підлягають | | |телевізійні та відеокамери, спеціально призначені для| | |телебачення. | |----------+-----------------------------------------------------| | |1) відеокамери, які містять | | | | твердотільні датчики, що мають | | | | максимальний відгук | | | | на довжині хвилі | | | | понад 10 нм, але не більше ніж | | | | 30000 нм, та всі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6 | | | | 1) понад 4 х 10 "активних пікселів"| | | | на твердотільній матриці для | | | | монохромних (чорно-білих) камер; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6 | | | | 2) понад 4 х 10 "активних пікселів"| | | | на твердотільній матриці для | | | | кольорових камер з трьома | | | | твердотільними матрицями; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6 | | | | 3) понад 12 х 10 "активних | | | | пікселів" на твердотільній | | | | матриці для кольорових камер з | | | | однією твердотільною матрицею; та| | | |--------------------------------------+--------------| | | b) мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) оптичні дзеркала, що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 6.A.4.a; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) обладнання оптичного контролю, що| | | | підлягає контролю згідно з | | | | позицією 6.A.4.d; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) здатність до коментування | | | | (накладення на зображення) даних | | | | стеження за положенням камери, що| | | | генеруються в камері. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічні |1. Для цілей цієї позиції цифрові відеокамери слід | |примітки. |оцінювати за максимальною кількістю "активних | | |пікселів", що використовуються для фіксації рухомих | | |зображень. | | |2. Для цілей цієї позиції під даними стеження за | | |положенням камери слід розуміти інформацію, необхідну| | |для визначення орієнтації лінії візування камери | | |відносно землі, зокрема: | | |1) горизонтальний кут лінії візування камери, | | |визначений відносно напрямку магнітного поля землі | | |та; | | |2) вертикальний кут між лінією візування камери та | | |горизонтом землі. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 2) скануючі камери та системи | | | | скануючих камер, які мають усі | | | | наведені нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) максимальний відгук на довжині | | | | хвилі понад 10 нм, але не більше | | | | ніж 30000 нм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) лінійні детекторні матриці з | | | | більш як 8192 елементами на | | | | матрицю; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) механічне сканування в одному | | | | напрямку; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) камери формування зображення, які | | | | містять підсилювачі яскравості | | | | зображення, що мають | | | | характеристики, зазначені у | | | | позиції 6.A.2.a.2.а або | | | | 6.A.2.a.2.b; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) камери формування зображень, які | | | | включають "ґратки фокальної | | | | площини" і мають будь-яку із | | | | зазначених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) містять "ґратки фокальної | | | | площини", що підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 6.A.2.a.3.a - 6.A.2.a.3.e; | | | | або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) містять "ґратки фокальної | | | | площини", що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 6.A.2.a.3.f; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) містять "ґратки фокальної | | | | площини", що підлягають | | | | контролю згідно з позицією | | | | 6.A.2.a.3.g. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Камери формування зображення, описані у позиції | | |6.A.3.b.4, містять "ґратки фокальної площини", | | |об'єднані, крім інтегрованих схем зчитування, з | | |необхідною електронікою для оброблення сигналів, щоб | | |уможливити, як мінімум, вихід аналогового або | | |цифрового сигналу після подачі живлення. | | |2. Згідно з позицією 6.A.3.b.4.a контролю не | | |підлягають камери формування зображень, що містять | | |лінійні "ґратки фокальної площини" з дванадцятьма або| | |менше елементами, що не використовують накопичення із| | |затримкою в межах елемента, призначені для будь-чого | | |з наведеного нижче: | | |a) промислові або цивільні охоронні пристрої, системи| | |керування дорожнім рухом чи рухом на підприємствах, | | |або рахункові системи; | | |b) промислове обладнання, що використовується для | | |перевірки або моніторингу теплових потоків у | | |спорудах, обладнанні чи технологічних процесах; | | |c) промислове обладнання, що використовується для | | |перевірки, сортування або аналізу властивостей | | |матеріалів; | | |d) обладнання, спеціально призначене для використання| | |в лабораторіях; | | |e) медичне обладнання. | | |3. Згідно з позицією 6.A.3.b.4.b контролю не | | |підлягають камери формування зображення, які мають | | |будь-яку з наведених нижче характеристик: | | |a) максимальна частота кадрів дорівнює або менше ніж | | |9 Гц; або | | |b) мають усе з наведеного нижче: | | | 1) мінімальне горизонтальне або вертикальне миттєве | | | поле зору (IFOV) щонайменше 10 мілірадіан на | | | піксель; | | | 2) містять об'єктив з фіксованою фокусною відстанню,| | | спроектований таким чином, що його не можна | | | вилучити; | | | 3) не містять дисплею прямого бачення; та | |----------+-----------------------------------------------------|

|Технічна |Пряме бачення стосується камер формування зображення,| |примітка. |які працюють в інфрачервоному спектрі і | | |представляють візуальне зображення людині- | | |спостерігачу, використовуючи розташований близько до | | |ока мікродисплей, який містить будь-який | | |світлозахисний механізм. | | |4) мають будь-що з наведеного нижче: | | |a) не містять засобів отримання придатного для | | |спостереження зображення виявленого поля зору; або | | |b) камера, призначена для одного виду застосування та| | |спроектована таким чином, що не може бути | | |модифікована користувачем; або | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Миттєве поле зору (IFOV, зазначене у примітці 3 b, є | |примітка. |меншим значенням з горизонтального миттєвого поля | | |зору або вертикального миттєвого поля зору). | | |Горизонтальне миттєве поле зору (IFOV) = | | |горизонтальне поле зору/кількість горизонтальних | | |чутливих елементів. | | |Вертикальне миттєве поле зору (IFOV) = вертикальне | | |поле зору/кількість вертикальних чутливих елементів. | | |c) якщо камера спеціально призначена для установки у | | |цивільних наземних пасажирських транспортних засобах | | |вагою менше трьох тонн (вага брутто транспортного | | |засобу) та має усе з наведеного нижче: | | |1) придатна для експлуатації тільки тоді, коли вона | | |установлена в будь-чому з наведеного нижче: | | |a) цивільному пасажирському транспортному засобі, для| | |якого її було призначено; або | | |b) спеціально призначеному штатному обладнанні для | | |проведення регламентних робіт; та | | |2) містить активний механізм, який робить камеру | | |непридатною до функціонування, коли вона вилучається | | |з транспортного засобу, для якого її було призначено.| |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |У разі необхідності ґрунтовні дані про зазначений | | |виріб можуть надаватися за запитом до відповідного | | |державного органу держави-експортера, щоб мати | | |упевненість стосовно дотримання умов, описаних у | | |наведених вище Примітках 3.b.4 і 3.c. | | |4. Згідно з позицією 6.A.3.b.4.c контролю не | | |підлягають камери формування зображення, які мають | | |будь-яку з наведених нижче характеристик: | | |a) мають усі наведені нижче характеристики: | | |1) якщо камера спеціально призначена для встановлення| | |як інтегральний компонент у системах чи обладнанні, | | |що експлуатується всередині приміщень і працює від | | |настінної розетки та конструктивно обмежена одним | | |видом застосування, наведеним нижче: | | | a) моніторинг виробничих процесів, контроль якості | | | або аналіз властивостей матеріалів; | | | b) лабораторне обладнання, спеціально призначене для| | | наукових досліджень; | | | c) медичне обладнання; | | | d) обладнання для виявлення фінансового шахрайства; | | | та | | |2) придатні для експлуатації тільки тоді, коли | | |встановлені в будь-чому з наведеного нижче: | | | a) система (системи) чи обладнання, для якого її | | | було призначено; або | | | b) спеціально призначене штатне обладнання для | | | проведення регламентних робіт; та | | |3) містять активний механізм, який робить камеру | | |непридатною до функціонування, коли вона вилучається | | |з системи (систем) або обладнання, для якого її було | | |призначено; | | |b) якщо камера спеціально призначена для встановлення| | |у цивільному наземному пасажирському транспортному | | |засобі вагою менше трьох тонн (вага брутто | | |транспортного засобу) або у пасажирських та | | |автомобільних поромах габаритною довжиною (ГД) 65 м | | |або більше та має усі наведені нижче характеристики: | | | 1) придатна для експлуатації тільки тоді, коли вона | | | встановлена в будь-чому з наведеного нижче: | | | a) цивільний наземний пасажирський транспортний | | | засіб або пасажирський та автомобільний пором, для | | | якого її було призначено; або | | | b) спеціально призначене штатне обладнання для | | | проведення регламентних робіт; та | | | 2) містять активний механізм, який робить камеру | | | непридатною до функціонування, коли вона вилучається| | | з транспортного засобу, для якого її було | | | призначено; | | |c) конструктивно обмежені максимальною інтегральною | | |чутливістю до світлового потоку 10 мА/Вт або менше у | | |діапазоні хвиль понад 760 нм, що мають будь-що з | | |наведеного нижче: | | | 1) механізм обмеження відгуку, спроектований так, | | | щоб його не можна було вилучити або модифікувати; та| | | 2) активний механізм, який робить камеру не | | | придатною до функціонування, коли механізм обмеження| | | відгуку вилучається; або | | |d) мають усі наведені нижче характеристики: | | | 1) не мають дисплея прямого бачення або дисплея | | | електронного зображення; | | | 2) не містять засобів отримання придатного для | | | спостереження зображення виявленого поля огляду; | | | 3) "гратка фокальної площини" працездана тільки | | | тоді, коли вона встановлена у камері, для якої її | | | було призначено; та | | | 4) "гратка фокальної площини" містить активний | | | механізм, який робить її перманентно непрацездатною,| | | якщо її вилучено з камери, для якої її було | | | призначено. | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |У разі необхідності деталі з цієї позиції будуть | | |передані після звернення до відповідного органу влади| | |країни-експортера з метою з'ясувати відповідність | | |технічних характеристик продукції вимогам, зазначеним| | |у пункті 4 Примітки. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 5) камери, які формують зображення з | | | | інкорпорованими твердотілими | | | | детекторами, контролюються згідно | | | | з позицією 6.A.2.a.1. | | |----------+--------------------------------------+--------------| | |ОПТИКА | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.4. |Оптичне обладнання та компоненти: | | |[6A004] |--------------------------------------+--------------| | |a) оптичні дзеркала (рефлектори), |з 9002 90 | | | наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "дзеркала, що деформуються", які | | | | мають як суцільні так і | | | | багатоелементні поверхні, та | | | | спеціально призначені "компоненти"| | | | для них, здатні динамічно | | | | змінювати розміщення елементів | | | | поверхні дзеркала з частотою | | | | понад 100 Гц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) легкі монолітні дзеркала, які | | | | мають середню "еквівалентну | | | | густину" менше ніж 30 кг/кв.м та | | | | загальну масу понад 10 кг; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) дзеркала або дзеркальні структури,| | | | виготовлені з легких | | | | "композиційних" чи піноподібних | | | | матеріалів, які мають середню | | | | "еквівалентну густину" менше ніж | | | | 30 кг/кв.м та загальну масу понад | | | | 2 кг; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) дзеркала для керування променем з | | | | діаметром або довжиною більшої осі| | | | понад 100 мм, які мають не | | | | площинність, що дорівнює 1/2 | | | | довжини хвилі або краще (довжина | | | | хвилі становить 633 нм), ширину | | | | смуги керування понад 100 Гц. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Для оптичних дзеркал, спеціально призначених для | |примітка. |літографічного обладнання, див. позицію 3.B.1. | |----------+-----------------------------------------------------| | |b) оптичні "компоненти", виготовлені |9001 90 90 00 | | | із селеніду цинку (ZnSe) або | | | | сульфіду цинку (ZnS), із спектром | | | | пропускання від 3000 до 25000 нм, | | | | які мають будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) об'єм понад 100 куб.см; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) діаметр або довжину більшої осі | | | | понад 80 мм і товщину (глибину) | | | | 20 мм; | | | |--------------------------------------+--------------| | |c) "компоненти" для оптичних систем, | | | | "придатні для використання в | | | | космосі", наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) з "еквівалентною густиною" |9001 90 90 00 | | | елементів, зменшеною на 20% у | | | | порівнянні з суцільними | | | | заготовками тієї ж апертури та | | | | товщини; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) необроблені підкладки, оброблені |9001 90 90 00 | | | підкладки, які мають захисні | | | | покриття (одношарові чи | | | | багатошарові, металеві або | | | | діелектричні, провідні, | | | | напівпровідні чи ізолюючі) або | | | | мають захисні плівки; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) сегменти або вузли дзеркал, |9002 90 90 00 | | | призначені для складання у космосі| | | | в оптичну систему із загальною | | | | апертурою, еквівалентною або | | | | більшою 1 м у діаметрі; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) компоненти виготовлені з |9001 90 90 00,| | | "композиційних" матеріалів, які |9002 90 90 00 | | | мають коефіцієнт лінійного | | | | теплового розширення, що | | | | дорівнює або менше ніж | | | | -6 | | | | 5 х 10 у будь-якому напрямку | | | | координат; | | | |--------------------------------------+--------------| | |d) обладнання для керування оптичними | | | | елементами: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) обладнання, спеціально призначене |9032 89 90, | | | для підтримання профілю поверхні |9031 41 00 00,| | | або орієнтації оптичних |9031 49 00 00,| | | "компонентів", які "придатні для |9031 49 90 00 | | | використання в космосі" і | | | | підлягають контролю згідно з | | | | позицією 6.A.4.c.1 або 6.A.4.c.3; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) обладнання має смугу частот |9032 89 90 00,| | | керування, стеження, стабілізації |9031 41 00 00,| | | або юстирування резонатора, яка |9031 49 00 00 | | | дорівнює або більше ніж 100 Гц, та| | | | похибку 10 мкрад або менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) карданові підвіси, які мають усі |9032 89 90 | | | наведені нижче характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) максимальний кут повороту понад | | | | 5 град.; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) ширину смуги частот 100 Гц або | | | | більше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) похибку кутового наведення | | | | 200 мкрад або менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | d) мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) діаметр або довжину більшої осі | | | | понад 0,15 м, але не більше ніж | | | | 1 м, та здатність до кутових | | | | прискорень понад 2 рад/кв.с; або| | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) діаметр або довжину більшої осі | | | | понад 1 м та здатність до | | | | кутових прискорень понад | | | | 0,5 рад/кв.с; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) спеціально призначені для |9032 89 90 | | | підтримання юстирування систем | | | | дзеркал з фазованими антенними | | | | ґратками або фазованими | | | | сегментами, які складаються із | | | | дзеркал діаметром сегмента чи | | | | довжиною більшої осі 1 м або | | | | більше; | | | |--------------------------------------+--------------| | |e) асферичні оптичні елементи, які |9002 90 90 00 | | | мають усі наведені нижче | | | | характеристики: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) найбільший розмір оптичної | | | | апертури більше ніж 400 мм; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) шорсткість поверхні менше ніж 1 нм| | | | (середньоквадратична) для довжин | | | | зняття вимірів, що дорівнюють або | | | | перевищують 1 мм; та | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) абсолютну величину коефіцієнта | | | | лінійного теплового розширення | | | | -6 | | | | менше ніж 3 х 10 /К при | | | | 25 град.C. | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Технічні |1. "Асферичний оптичний елемент" - це будь-який | |примітки. |елемент, що використовується в оптичній системі, | | |поверхня або поверхні зображення якого спроектовані | | |таким чином, щоб відрізнятися від форми ідеальної | | |сфери. | | |2. Від виробників вимагається вимірювати шорсткість | | |поверхні, зазначену в позиції 6.A.4.e.2, тільки в тих| | |випадках, коли цей оптичний елемент було спеціально | | |призначено або виготовлено таким, що має чи перевищує| | |контрольний параметр. | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.4.e контролю не підлягають | | |асферичні оптичні елементи, які мають будь-яку з | | |наведених нижче характеристик: | | |a) найбільший розмір оптичної апертури менше ніж 1 м,| | |а відношення фокусної відстані до апертури дорівнює | | |або більше 4,5:1; | | |b) найбільший розмір оптичної апертури дорівнює або | | |більше ніж 1 м, а відношення фокусної відстані до | | |апертури дорівнює або більше 7:1; | | |c) спроектовані як оптичні елементи Френеля, флайай, | | |смугові, призматичні або дифракційні оптичні | | |елементи; | | |d) виготовлені з боросилікатного скла та мають | | |коефіцієнт лінійного теплового розширення більше ніж | | | -6 | | |2,5 х 10 /K при 25 град.C; або | | |e) є рентгенівським оптичним елементом, який може | | |функціонувати як внутрішнє дзеркало (наприклад, | | |трубчасті дзеркала). | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Для асферичних оптичних елементів, спеціально | |примітка. |призначених для літографічного обладнання, див. | | |позицію 3.B.1. | |----------+-----------------------------------------------------| | |ЛАЗЕРИ | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.5. |"Лазери", "компоненти" та оптичне | | |[6A005] |обладнання: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Імпульсні "лазери", наведені нижче, включають | | |"лазери", які працюють у безперервному режимі (CW) з | | |накладеним імпульсним випромінюванням. | | |2. Ексимерні, напівпровідникові, хімічні "лазери", | | |"лазери" на моноокису вуглецю, "лазери" на двоокису | | |вуглецю, а також імпульсні "лазери" неперіодичної дії| | |на склі з неодимом контролюються тільки згідно з | | |позицією 6.A.5.d. | | |3. Позиція 6.A.5. включає оптоволоконні "лазери". | | |4. Статус контролю "лазерів" з функцією перетворення | | |частоти (тобто зміни довжини хвилі) засобом, що | | |відрізняється від накачки одного "лазера" іншим | | |"лазером", визначається застосуванням контрольних | | |параметрів як для вихідного сигналу "лазера" - | | |джерела, так і для перетвореного за частотою | | |оптичного вихідного сигналу. | | |5. Згідно з позицією 6.A.5, контролю не підлягають | | |такі "лазери": | | | a) рубінові, що мають вихідну енергію нижче 20 Дж; | | | b) азотні; | | | c) криптонові. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.5. |a) "неперестроювані" "лазери", що |9013 20 00 00,| | | працюють у безперервному режимі, |9013 90 10 00,| | | які мають будь-яку з наведених |9013 90 90 00 | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання менше ніж 150 нм | | | | з вихідною потужністю понад | | | | 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання, що дорівнює | | | | 150 нм або більше, але не | | | | перевищує 520 нм, з вихідною | | | | потужністю 30 Вт; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.5.a.2 контролю не підлягають | | |аргонові "лазери", які мають вихідну потужність 50 Вт| | |або менше. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 3) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 520 нм, але | | | | не більше 540 нм, та будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) одномодову з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання з вихідною| | | | потужністю понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) багатомодове з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання з вихідною| | | | потужністю понад 150 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 540 нм, але | | | | не більше 800 нм, з вихідного | | | | потужністю випромінювання | | | | понад 30 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 800 нм, але | | | | не більше ніж 975 нм, та будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) одномодову з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання з вихідною| | | | потужністю понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) багатомодову з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання з вихідною| | | | потужністю понад 80 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 975 нм, але | | | | не більше ніж 1150 нм, та будь-яку| | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) одномодову з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання, що має | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) енергетичну ефективність понад | | | | 12% та вихідну потужність понад | | | | 100 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) вихідну потужність понад 150 Вт;| | | |--------------------------------------+--------------| | | b) багатомодову з поперечною модою | | | | вихідне випромінювання, що має | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) енергетичну ефективність понад | | | | 18% та вихідна потужність понад | | | | 500 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) вихідну потужність понад 2 кВт; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.5.a.6.b контролю не підлягають | | |багатомодові промислові "лазери" з поперечною модою з| | |вихідною потужністю понад 2 кВт, але не більше 6 кВт,| | |що мають загальну масу більше ніж 1200 кг. Для цілей | | |цієї примітки до загальної маси входять усі | | |компоненти, необхідні для функціонування "лазера", | | |наприклад, "лазер", джерело живлення, теплообмінник, | | |але не входять зовнішні оптичні пристрої для | | |формування та/або доставки променя. | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Енергетична ефективність визначається як відношення | |примітка. |вихідної потужності "лазера" (або "середньої вихідної| | |потужності" до повної вхідної електричної потужності,| | |яка потрібна для роботи "лазера", включаючи джерело | | |живлення/формування променя та | | |термокондиціювання/теплообмінник. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 7) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 1150 нм, | | | | але не більше 1555 нм, що має | | | | одну з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) одномодову з поперечною модою та | | | | вихідною потужністю понад 50 Вт; | | | | або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідною потужністю 80 Вт; або| | | |--------------------------------------+--------------| | | 8) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 1555 нм з | | | | вихідною потужністю понад 1 Вт; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.5. |b) "неперестроювані" "імпульсні | | | | лазери", що мають будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання менше ніж 150 нм та| | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 50 мДж та "максимальну | | | | потужність" понад 1 Вт; або | | | | b) "середню вихідну потужність" | | | | понад 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання 150 нм або більше, | | | | але не більше 520 нм, та будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 1,5 Дж та "максимальну | | | | потужність" понад 30 Вт; або | | | | b) "середню вихідну потужність" | | | | понад 30 Вт. | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 6.A.5.b.2.b контролю не підлягають | | |аргонові "лазери", які мають "середню вихідну | | |потужність" 50 Вт або менше. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 3) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 520 нм, але | | | | не більше ніж 540 нм, та будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) одномодову з поперечною модою та | | | | вихідним випромінюванням, яке має| | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 1,5 Дж та "пікову потужність" | | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінювання, яке | | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 1,5 Дж та "пікову потужність" | | | | понад 150 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 150 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 540 нм, але | | | | не більше 800 нм, та будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 1,5 Дж та "пікову потужність" | | | | понад 30 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "середню вихідну потужність" | | | | понад 30 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 800 нм, але | | | | не більше ніж 975 нм, та будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "тривалість імпульсу" не більше | | | | ніж 1 мкс та має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 0,5 Дж та "пікову потужність" | | | | понад 50 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) одномодову з поперечною модою та| | | | вихідним випромінюванням та | | | | "середню вихідну потужність" | | | | понад 20 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням та | | | | "середню вихідну потужність" | | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "тривалість імпульсу" більше ніж | | | | 1 мкс та має будь-яку з наведених| | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 2 Дж та "пікову потужність" | | | | понад 50 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) одномодову з поперечною модою та| | | | вихідним випромінюванням з | | | | "середньою вихідною потужністю" | | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням та | | | | "середню вихідну потужність" | | | | понад 80 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 975 нм, але | | | | не більше 1150 нм, та будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "тривалість імпульсу" менше ніж | | | | 1 нс та будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну "пікову потужність" в | | | | імпульсі понад 5 ГВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 10 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 0,1 Дж; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "тривалість імпульсу", що | | | | дорівнює або більше ніж 1 нс, | | | | але не більше 1 мкс, та будь-яку | | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) одномодову з поперечною модою та| | | | вихідним випромінюванням, яке | | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "пікову потужність" понад | | | | 100 МВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "середню вихідну потужність" | | | | понад 20 Вт, обмежену за | | | | розрахунком максимальною | | | | частотою повторення імпульсів, | | | | що дорівнює 1 кГц або менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) енергетичну ефективність понад | | | | 12% та "середню вихідну | | | | потужність" понад 100 Вт і | | | | здатні працювати з частотою | | | | повторення імпульсів більше ніж| | | | 1 кГц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | d) "середню вихідну потужність" | | | | понад 150 Вт і здатні працювати| | | | з частотою повторення імпульсів| | | | більше ніж 1 кГц; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | e) вихідну енергію в імпульсі | | | | понад 2 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) багатомодове з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням, яке| | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "пікову потужність" понад | | | | 400 МВт; | | | | b) енергетичну ефективність понад | | | | 18% та "середню вихідну | | | | потужність" понад 500 Вт; | | | | c) "середню вихідну потужність" | | | | понад 2 кВт; або | | | | d) вихідну енергію в імпульсі | | | | понад 4 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) "тривалість імпульсу" понад 1 мкс| | | | та будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) одномодову з поперечною модою та| | | | вихідним випромінюванням, яке | | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "пікову потужність" понад | | | | 500 кВт; | | | | b) енергетичну ефективність понад | | | | 12% та "середню вихідну | | | | потужність" понад 100 Вт; або | | | | c) "середню вихідну потужність" | | | | понад 150 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) багатомодове з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням, яке| | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "пікову потужність" понад | | | | 1 МВт; | | | | b) енергетичну ефективність понад | | | | 18% та "середню вихідну | | | | потужність" понад 500 Вт; або | | | | c) "середню вихідну потужність" | | | | понад 2 кВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 7) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 1150 нм, але | | | | не більше ніж 1555 нм, та будь-яку| | | | з наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "тривалість імпульсу" не більше | | | | ніж 1 мкс та має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 0,5 Дж та "максимальну | | | | потужність" понад 50 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) одномодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням, що | | | | має "середню вихідну потужність"| | | | понад 20 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням, що | | | | має "середню вихідну потужність"| | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "тривалість імпульсу" більше ніж | | | | 1 мкс та будь-яка з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію понад 2 Дж та | | | | "пікову потужність" понад 50 Вт;| | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) одномодову з поперечною модою та| | | | вихідним випромінюванням з | | | | "середньою вихідною потужністю" | | | | понад 50 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) багатомодову з поперечною модою | | | | та вихідним випромінюванням з | | | | "середньою вихідною потужністю" | | | | понад 80 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 8) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 1555 нм та | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 100 мДж та "пікову потужність" | | | | понад 1 Вт; або | | | | b) "середню вихідну потужність" | | | | понад 1 Вт; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.5. |c) "перестроювані" "лазери", які мають|9013 20 00 00,| | | будь-яку з наведених нижче |9013 90 10 00,| | | характеристик: |9013 90 90 00 | |----------+-----------------------------------------------------|

|Примітка. |Позиція 6.A.5.c.1 включає титаносапфірові (Tі:Al2O3);| | |тулій-YAG (Tm:YAG); тулій-YSGG (Tm:YSGG) "лазери"; | | |"лазери" на олександриті (Cr:BeAl2O4) та "лазери" на | | |центрах забарвлення. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 1) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання менше ніж 600 нм та| | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 50 мДж та "пікову потужність" | | | | понад 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) середню або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання 600 нм або більше, | | | | але таку, що не перевищує 1400 нм,| | | | та будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 1 мДж та "пікову потужність" | | | | понад 20 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) середню або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад 20 Вт;| | | | або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання більше 1400 нм та | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 50 мДж та "пікову потужність" | | | | понад 1 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) середню або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад 1 Вт; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.5. |d) інші "лазери", що не підлягають | | | | контролю згідно з позиціями | | | | 6.A.5.a, 6.A.5.b або 6.A.5.c, як | | | | наведено нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) напівпровідникові "лазери", | | | | наведені нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітки. |1. Позиція 6.A.5.d.1 включає напівпровідникові | | |"лазери", що мають вихідні оптичні з'єднувачі | | |(наприклад, оптоволоконні гнучкі виводи). | | |2. Контрольний статус напівпровідникових "лазерів", | | |спеціально призначених для іншого обладнання, | | |визначається контрольним статусом цього обладнання. | |----------+-----------------------------------------------------| | | a) індивідуальні одномодові з | | | | поперечною модою | | | | напівпровідникові "лазери", які | | | | мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) довжину хвилі 1,51 нм або менше | | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 1,5 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі більше ніж 1,51 нм| | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 500 мВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) індивідуальні, багатомодові з | | | | поперечною модою напівпровід- | | | | никові "лазери", які мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) довжину хвилі менше ніж 1,4 нм | | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 10 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі 1,4 нм або більше,| | | | але менше ніж 1,9 нм, та середню| | | | або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад | | | | 2,5 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) довжину хвилі 1,9 нм або більше | | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) індивідуальні, багатомодові з | | | | поперечною модою | | | | напівпровідникові "лазери", які | | | | мають будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) довжину хвилі менше ніж 1,4 нм | | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 80 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) довжину хвилі 1,4 нм або більше,| | | | але менше ніж 1,9 нм, та середню| | | | або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад | | | | 25 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) довжину хвилі 1,9 нм або більше | | | | та середню або вихідну | | | | потужність у безперервному | | | | режимі понад 10 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | d) пакети матриць напівпровідникових| | | | "лазерів", до складу яких входить| | | | принаймні одна матриця, що | | | | підлягає контролю згідно з | | | | позицією 6.A.5.d.1.c. | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічні |1. Напівпровідникові "лазери" відомі також як | |примітки. |"лазерні" діоди. | | |2. "Матриця" складається з багатьох | | |напівпровідникових "лазерних" випромінювачів, | | |виготовлених в одному кристалі таким чином, що | | |центри випромінюваних світлових пучків знаходяться на| | |паралельних траєкторіях. | | |3. Пакет матриць виготовляється шляхом пакетування | | |або іншого методу складання "матриць" таким чином, що| | |центри випромінюваних світлових пучків знаходяться на| | |паралельних траєкторіях. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 2) "лазери" на окису вуглецю (CO), | | | | які мають будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну енергію в імпульсі понад | | | | 2 Дж та імпульсну "пікову | | | | потужність" понад 5 кВт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) середню або вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад 5 кВт;| | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) "лазери" на двоокису вуглецю | | | | (CO ), які мають будь-яку з | | | | 2 | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) вихідну потужність у | | | | безперервному режимі понад | | | | 15 кВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) імпульсне випромінювання з | | | | "тривалістю імпульсу" понад | | | | 10 мкс та будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "середню вихідну потужність" | | | | понад 10 кВт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "пікову потужність" понад | | | | 100 кВт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) імпульсне випромінювання з | | | | "тривалістю імпульсу", що | | | | дорівнює або менше ніж 10 мкс, | | | | та має будь-яку з наведених | | | | нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) енергію в імпульсі понад 5 Дж; | | | | або; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 2,5 кВт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) ексимерні "лазери", які мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання, що не перевищує | | | | 150 нм, та має будь-яку з | | | | наведених нижче характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі | | | | понад 50 мДж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 1 Вт; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 150 нм, але | | | | не більше ніж 190 нм, та має | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 1,5 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 120 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 190 нм, але | | | | не більше ніж 360 нм, та має | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 10 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 500 Вт; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | d) довжину хвилі вихідного | | | | випромінювання понад 360 нм та | | | | має будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) вихідну енергію в імпульсі понад| | | | 1,5 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "середню вихідну потужність" | | | | понад 30 Вт; | | |----------+-----------------------------------------------------|

|Особлива |Для ексимерних "лазерів", спеціально призначених для | |примітка. |літографічного обладнання, див. позицію 3.B.1. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 5) "хімічні лазери", наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) воднево-фторові (HF) "лазери"; | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) дейтерій-фторові (DF) "лазери"; | | | |--------------------------------------+--------------| | | c) "перехідні лазери", наведені | | | | нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) киснево-йодові (O I) "лазери"; | | | | 2- | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) дейтерій-фторові- | | | | двоокисвуглецеві | | | | (DF-CO ) "лазери"; | | | | 2 | | | |--------------------------------------+--------------| | | 6) імпульсні лазери періодичної дії | | | | на неодимовому склі, що мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) "тривалість імпульсу" не більше | | | | 1 мкс і вихідну енергію в | | | | імпульсі понад 50 Дж; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) "тривалість імпульсу" понад 1 мкс| | | | і вихідну енергію в імпульсі | | | | понад 100 Дж; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Імпульсні "лазери" неперіодичної дії відноситься до | | |таких, які виробляють одиночний вихідний імпульс, або| | |таких, що мають часовий інтервал між імпульсами понад| | |1 хвилину. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.5. |e) "Компоненти", наведені нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) дзеркала, охолоджувані або | | | | активним охолодженням, або | | | | охолоджувальною системою на | | | | теплових трубах; | | |----------+-----------------------------------------------------| |Технічна |Активним охолодженням є метод охолодження оптичних | |примітка. |"компонентів", в якому використовується течія рідини | | |по субповерхні (як правило, розташованої ближче ніж | | |1 мм від оптичної поверхні) оптичного "компонента" | | |для відведення тепла від оптики. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 2) оптичні дзеркала або прозорі, або | | | | частково прозорі, оптичні або | | | | електрооптичні "компоненти", | | | | спеціально призначені для | | | | використання в "лазерах", які | | | | підлягають контролю; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.5. |f) оптичне обладнання, наведене | | | | нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Особлива |Оптичні елементи з спільною апертурою, здатні | |примітка. |функціонувати у застосуваннях "надпотужного лазера" | | |("SHPL"), див. у примітці 2.d до позиції ML19 Списку | | |товарів військового призначення, міжнародні передачі | | |яких підлягають державному контролю, затвердженого | | |постановою Кабінету Міністрів України від | | |20 листопада 2003 р. N 1807. | |----------+-----------------------------------------------------| | | 1) обладнання для динамічного | | | | вимірювання фази хвильового | | | | фронту, здатне відображати | | | | принаймні 50 позицій на | | | | хвильовому фронті променя з | | | | будь-якою з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) частотою кадру, що дорівнює або | | | | більше ніж 100 Гц, і фазовою | | | | роздільною здатністю принаймні 5%| | | | довжини хвилі променя; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) частотою кадру, що дорівнює або | | | | більше ніж 1000 Гц, і фазовою | | | | роздільною здатністю принаймні | | | | 20% довжини хвилі променя; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "лазерне" діагностичне обладнання,| | | | здатне вимірювати похибки кутового| | | | керування променем системи | | | | "надпотужного лазера" з точністю, | | | | що дорівнює або менше ніж | | | | 10 мкрад; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) оптична апаратура і "спеціально | | | | призначені компоненти" для системи| | | | "надпотужного лазера" з фазованими| | | | ґратками, для когерентного | | | | зведення променів з точністю | | | | зведення l/10 на призначеній | | | | довжині хвилі, або 0,1 мкм, яке | | | | з цих значень менше; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) проекційні телескопи, спеціально | | | | призначені для використання із | | | | системами "надпотужних лазерів". | | |----------+--------------------------------------+--------------| | |ДАТЧИКИ МАГНІТНОГО ТА ЕЛЕКТРИЧНОГО | | | |ПОЛЯ | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.6. |"Магнітометри", "магнітні |9015 80 93 00,| |[6A006] |градієнтометри", "внутрішні магнітні |9015 90 00 00 | | |градієнтометри", підводні датчики | | | |електричного поля та "компенсаційні | | | |системи" і "спеціально призначені | | | |компоненти" для них, наведені нижче: | | |----------+-----------------------------------------------------| |Примітка. |Згідно з позицією 6.A.6 контролю не підлягають | | |прилади, спеціально призначені для застосування у | | |рибному промислі або біомагнітних вимірюваннях для | | |медичної діагностики. | |----------+-----------------------------------------------------| |6.A.6. |a) "магнітометри" та підсистеми, як | | | | наведено нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | 1) "магнітометри" що застосовують | | | | "технологію" "надпровідних" | | | | квантових інтерференційних | | | | пристроїв (SQUID) та мають | | | | будь-яку з наведених нижче | | | | характеристик: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) системи надпровідних квантових | | | | інтерференційних пристроїв | | | | (SQUID), призначені для | | | | стаціонарної роботи, без | | | | спеціально спроектованих | | | | підсистем, призначених для | | | | зменшення шуму під час руху, які | | | | мають середньоквадратичне | | | | значення чутливості, що дорівнює | | | | або менше (краще) ніж 50 фТ, | | | | поділене на корінь квадратний | | | | з Гц, на частоті 1 Гц; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | b) системи надпровідних квантових | | | | інтерференційних пристроїв | | | | (SQUID), які мають | | | | середньоквадратичне значення | | | | чутливості під час руху | | | | магнітометра нижче (краще) ніж | | | | 50 пТ, поділене на корінь | | | | квадратний з Гц, на частоті 1 Гц | | | | та спеціально спроектовані таким | | | | чином, щоб знижувати шум під час | | | | руху; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 2) "магнітометри", що застосовують | | | | "технологію" оптичної накачки або | | | | ядерної прецесії | | | | (протонної/Оверхаузера) та мають | | | | середньо-квадратичне значення | | | | чутливості менше (краще) ніж | | | | 20 пТ, поділене на корінь | | | | квадратний з Гц, на частоті 1 Гц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 3) "магнітометри" що застосовують | | | | "технологію" ферозондів (fluxgate)| | | | та мають "середньоквадратичне | | | | значення чутливості", що дорівнює | | | | або менше (краще) ніж 10 пТ, | | | | поділене на корінь квадратний | | | | з Гц, на частоті 1 Гц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 4) "магнітометри" з котушкою |9015 80 93 00 | | | індуктивності, які мають | | | | середньоквадратичне значення | | | | чутливості менше (краще) ніж | | | | будь-яке з наведених нижче: | | | |--------------------------------------+--------------| | | a) 0,05 нТ, поділене на корінь | | | | квадратний з Гц, на частотах | | | | менше ніж 1 Гц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | -3 | | | | b) 1 х 10 нТ, поділене на корінь | | | | квадратний з Гц, на частотах | | | | 1 Гц і більше, але не більше | | | | ніж 10 Гц; або | | | |--------------------------------------+--------------| | | -4 | | | | c) 1 х 10 нТ, поділене на корінь | | | | квадратний з Гц, на частотах | | | | понад 10 Гц; | | | |--------------------------------------+--------------| | | 5) волоконно-оптичні "магнітометри" з|9015 80 93 00 | | | середньоквадратичним значенням | | | | чутливості менше (краще) ніж 1 нТ,| | | | поділеним на корінь квадратний | | | | з Гц; | | |----------+--------------------------------------+--------------| |6.A.6. |b) підводні датчики електричного поля,|з 9030 | | | що мають чутливість нижче (краще) | | | | ніж 8 нановольт на метр на корінь | | | | квадратний з Гц, на частоті 1 Гц; | | |----------+--------------------------------------+--------------|